[发明专利]一种应用于功率因数校正器中的高压大电流驱动电路有效

专利信息
申请号: 201110363627.X 申请日: 2011-11-16
公开(公告)号: CN102403902A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 代国定;陈跃;马晓辉;韩辉;马任月 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/44;H02M1/12
代理公司: 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 代理人: 罗永娟
地址: 214028 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 功率因数 校正 中的 高压 电流 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于功率因数校正器中的高压大电流驱动电路,包括电流镜像电路(1)、高压预调制电路(2)、电平移位电路(3)、死区时间控制电路(4)和大电流输出级(5),其特征在于:

所述电流镜像电路(1)利用电阻和三极管组成的电流源电路和电流沉电路,将启动电流Istart和基准电流源产生的输入信号Ibias转换为高压预调制电路的输入信号,将启动电流Istart转换为电平移位电路的输入信号;

所述高压预调制电路(2)在电流镜像电路(1)偏置作用下,利用高压LDMOS管的隔离作用以及稳压二极管的击穿稳压特性,将一个高的输入电源电压VDD转换为相对低的电压,以保证驱动电路工作在一个安全的电压范围内,同时产生电平移位电路的输入电压VCLAMP

所述电平移位电路(3)在高压预调制电路(2)的输出作用下,利用电流镜像电路(1)的偏置作用,利用死区时间控制电路产生的第一逻辑开关信号S1和第二逻辑开关信号S2,控制高压管PMOS和高压管NOMS的导通与关断,从而产生电平移位电路的输出信号VS,为大电流输出级电路提供逻辑开关信号;

所述死区时间控制电路(4)在数字逻辑驱动信号的作用下,利用逻辑门电路和电容的延迟作用,产生反相不交迭的第一逻辑开关信号S1和第二逻辑开关信号S2,控制电平移位电路和大电流输出级的工作状态;

所述大电流输出级(3),在高压三极管所组成的达林顿复合管作用下,利用高压管NMOS和电平移位电路产生的逻辑开关信号VS,以及死区时间控制电路产生的第二逻辑开关信号S2,产生具有较大源电流和灌电流能力的输出驱动信号GATE_DRIVER,驱动外围功率器件的导通与关断。

2.根据权利要求1所述的高压大电流驱动电路,其特征在于:所述电流镜像电路(1)包括三极管Q3、Q4、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14和电阻R1、R2、R3、R4、R7;所述三极管Q13和三极管Q14组成第一电流镜像电路;其中三极管Q3、Q4、Q6、Q7、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12和电阻R1、R2、R3、R4、R7组成第二电流镜像电路;第一电流镜像电路的输入端连接到外部基准电流源的输出端Ibias上,第一电流镜像电路用于电流正常工作时为高压预调制电路提供偏置电流;第二电流镜像电路为高压预调制电路和电平移位电路提供偏置电流。

3.根据权利要求1所述的高压大电流驱动电路,其特征在于:所述的高压预调制电路(2)包括LDMOS管LDMOS1、LDMOS管LDMOS2、稳压二极管D4、D5、D6,三极管Q5;所述LDMOS管LDMOS1和LDMOS管LDMOS2组成第三电流镜像电路,其中,LDMOS管LDMOS1作为高压预调制电路的第一高压隔离管,LDMOS管LDMOS2作为LDMOS管LDMOS1的栅极偏置管,稳压二极管D6作为第三电流镜像电路的栅极筘位保护,稳压二极管D4、D5的串联组成第一高压预调制电路,三极管Q5作为高压预调制电路的第二高压隔离管。

4.根据权利要求3所述的高压大电流驱动电路,其特征在于:所述高压预调制电路(2)中,第三电流镜像电路中LDMOS管LDMOS2的栅极和漏极连接在一起,同时接在第一电流镜像电路中三极管Q13的集电极输出端,LDMOS管LDMOS1和LDMOS管LDMOS2的源极连接到输入电源VDD上,筘位二极管D6连接在第三电流镜像电路LDMOS管LDMOS1和LDMOS管LDMOS2的栅极和源极之间,LDMOS管LDMOS1的漏端连接在筘位二极管D4、D5串联的N端,同时连接三极管Q5的基极、以及第二电流镜像电路中三极管Q7的集电极输出端,在三极管Q5的发射极产生高压预调制信号VCLAMP

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