[发明专利]一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷及其制备技术无效
| 申请号： | 201110347842.0 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102503148A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨安平;陈大钦;余运龙;林航;王元生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C03C10/16 | 分类号： | C03C10/16;C03B32/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 in sub 纳米 玻璃 陶瓷 及其 制备 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种含In2S3纳米晶的硫卤玻璃陶瓷，其化学组分为GeS2：40-70 mol%；In2S3：15-25 mol%；CsI：5-35 mol%；其中，In2S3与CsI的摩尔比大于1；该玻璃陶瓷具有如下显微结构特征：立方结构的In2S3纳米晶均匀分布在玻璃基体中，In2S3晶粒的平均尺度为20纳米。
2.一种权利要求1的硫卤玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于：采用熔体急冷法和后续热处理制备。
3.如权利要求2所述的硫卤玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的熔体急冷法和后续热处理包括如下步骤：（1）前驱玻璃制备；（2）前驱玻璃的晶化处理。
4.如权利要求3所述的硫卤玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于：所述的前驱玻璃的晶化过程中，热处理温度为400～500℃，保温时间为1～24小时。
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