[发明专利]一种低压高匹配度CMOS恒定电流源电路有效
| 申请号： | 201110341199.0 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102395234A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 鞠建宏;刘楠 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H05B37/02 | 分类号： | H05B37/02;G05F3/24 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 金利琴 |
| 地址： | 226019 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 匹配 cmos 恒定 电流 电路 | ||
1.一种低压高匹配度CMOS恒定电流源电路，其特征在于：其为适用于低压恒流LED的驱动电路，其包括镜像电流源电路，保证镜像电流源电路稳定的补偿电容和提供镜像电流源电路高电流匹配精度的辅助放大器。
2.根据权利要求2所述的低压高压配度CMOS恒定电流源电路，其特征在于：所述镜像电流源包括一第一N型场效应晶体管和一第二N型场效应晶体管，所述第一N型场效应晶体管和所述第二N型场效应晶体管的共用相同的栅极并连接到辅助放大器的输出端，所述第一N型场效应晶体管的漏极分别与所述辅助放大器的正向输入端和参考电源相连；所述第二N型场效应晶体管的漏极分别与辅助放大器的负向输入端和需供电的LED灯的负向端相连；所述LED灯和所述参考电源共同连接到电源上，所述电容跨接在第一N型场效应晶体管的栅极和漏极之间。
3.根据权利要求3所述的低压高匹配度CMOS恒定电流源电路，其特征在于：所述辅助放大器包括一作为其正向输入端的第三N型场效应晶体管的源极和一作为其反向输入端的第四N型场效应晶体管；所述第三N型场效应晶体管漏极和一第二P型场效应晶体管漏极相连接作为所述辅助放大器的输出端；一第一P型场效应晶体管、第二P型场效应晶体管和一第三P型场效应晶体管的源极均与供电电源连接；参考电源则串接在零电位和第一P型场效应晶体管的栅极之间。
4.根据权利要求1所述的低压高匹配度CMOS恒定电流源电路，其特征在于：所述补偿电容为设于N阱中的N型场效应晶体管电容,该N型场效应晶体管的漏极和源极相连并连接到衬底。
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