[发明专利]一种确定中低能电子非弹性散射的方法

权利要求书

1.一种确定中低能电子非弹性散射的方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)根据电子发生非弹性散射前的电子能量E和非弹性散射中转移的能量ΔE，确定与电子相互作用的等离子体激元的中心频率上限ω_m；

(2)根据材料的光学能量损失函数在离散能量点E_pk上的值Im{-1/ε(E_p)}，确定E_m以内离散能量点上的权重函数W(ΔE，E_pk)，E_m为中心频率上限对应的能量上限；

(3)根据离散能量点上的权重函数W(ΔE，E_pk)，按照线性插值的方法确定各等离子体激元与电子相互作用的0阶贡献和1阶贡献

(4)利用步骤(3)中得到的等离子体激元与电子作用的贡献，确定转移能量为ΔE的微分非弹性散射截面，并确定发生非弹性散射后的原电子散射角θ_IE及产生的二次电子散射角θ_SE。

2.根据权利要求1所述的一种确定中低能电子非弹性散射的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的E_m根据下式获得，

Em2/3=(f+f-e3)2/3+(f-f-e3)2/3-ef>e3e(2cos(23arctane3f-1)-1)f≤e3]]>

其中：普朗克常量h＝6.626176×10^-34J/s；

e=0.1308E(1-1-δ)2;]]>

f=14E2(δ2-(1-1-δ)4);]]>

δ＝ΔE/E。