[发明专利]层叠陶瓷电子部件无效

专利信息
申请号: 201080050489.3 申请日: 2010-11-08
公开(公告)号: CN102598165A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 南条纯一 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01F17/00 分类号: H01F17/00;H05K3/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 金世煜;苗堃
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 陶瓷 电子 部件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电子部件。特别涉及在基材层内部具有线圈图样的层叠陶瓷电子部件。

背景技术

对于具有感应器功能的层叠陶瓷电子部件,在多数情况下使用铁氧体陶瓷。近年来,伴随着小型化要求,使用高磁导率的铁氧体陶瓷。

例如,在专利文献1中公开了如图4所示的层叠陶瓷电子部件。该层叠陶瓷电子部件具备基材层102和配置在基材层102的主面上的表面层103、104。而且,在基材层102内部配置有线圈图样109。另外,线圈图样109介由内部电极106、贯通电极108与外部电极107进行电连接。而且,安装部件110、111由焊料凸点112或焊料113固定在层叠陶瓷电子部件的主面上。

专利文献

专利文献1:WO2007/148556号公报

发明内容

在专利文献1中,在线圈图样(coil pattern)109中流通高频率信号。此时,利用线圈图样109在基材层102内产生磁场。由于该磁场的变化而导致存在如下问题:在基材层102内的贯通电极中产生由电磁感应引起的电动势而发生噪声。

本发明是鉴于上述课题而作出的,其目的在于降低在基材层内的贯通电极内发生的噪声。

本发明涉及的层叠陶瓷电子部件,其特征在于,具备层叠体,该层叠体具有基材层、配置在所述基材层内部且在所述基材层内产生磁场的线圈图样、和至少一部分配置在所述基材层内部的贯通电极,所述贯通电极周围的与所述基材层接触的部分中的至少一部分由磁导率比所述基材层的磁导率低的低磁性层所覆盖。

根据本发明的构成,能够降低由磁场变化引起的、在基材层内的贯通电极内发生的噪声。

另外,本发明涉及的层叠陶瓷电子部件中,优选上述基材层由铁氧体陶瓷构成。

在上述情况下,线圈图样的小型化变得可能。

另外,本发明涉及的层叠陶瓷电子部件中,优选上述低磁性层的磁导率为1~30。

在上述情况下,能够有效地抑制贯通电极的磁场变化。

另外,本发明涉及的层叠陶瓷电子部件中,优选上述层叠体进一步具有配置在上述基材层的至少一个主面上的表面层。

在上述情况下,能够抑制配置在层叠体的主面附近的内部电极的磁场变化。

另外,本发明涉及的层叠陶瓷电子部件中,具备配置在上述基材层内部的内部电极、和配置在上述层叠体的主面上的外部电极,上述贯通电极优选以将上述内部电极和上述外部电极进行电连接的方式形成。

在上述情况下,能够抑制将内部电极和外部电极进行连接的贯通电极的磁场变化。

另外,本发明涉及的层叠陶瓷电子部件中,具备配置在上述层叠体的主面上的外部电极,上述贯通电极优选以与上述线圈图样进行电连接的方式形成。

在上述情况下,能够抑制与线圈图样连接的贯通电极的磁场变化。

另外,本发明涉及的层叠陶瓷电子部件中,上述贯通电极优选以与上述基材层的主面垂直地贯通上述基材层的方式形成。

在上述情况下,能够抑制贯通基材层的贯通电极的磁场变化。

根据本发明的构成,利用贯通电极周围的低磁性层,能够抑制贯通电极内的磁场变化。因此,能够降低由磁场变化引起的、在基材层内的贯通电极内发生的噪声。

附图说明

图1是表示本发明涉及的层叠陶瓷电子部件的截面图。

图2是表示本发明中的磁场屏蔽的示意图。

图3是表示本发明涉及的层叠陶瓷电子部件的制造方法的截面图。

图4是表示现有的层叠陶瓷电子部件的截面图。

具体实施方式

以下,对用于实施本发明的方式进行说明。

图1是表示本发明的层叠陶瓷电子部件的截面图。

该层叠陶瓷电子部件例如构成DC-DC转换器。层叠陶瓷电子部件具备层叠体5,该层叠体5具有基材层2、表面层3、4、内部电极6c、6d、贯通电极8a、8b、8c、8d、8e和线圈图样9。而且,在层叠体5的主面上配置外部电极7a、7b、7c、7d、7e。

表面层3、4配置在基材层2的主面上。表面层3、4起到使表面层3、4内的内部电极6d或贯通电极8a、8b、8c、8d、8e不受到线圈图样9的磁场的影响的作用。

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