[实用新型]一种带延时分励装置的小型断路器有效
申请号: | 201020267976.2 | 申请日: | 2010-07-20 |
公开(公告)号: | CN201732744U | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 邹城华;王兴仙;卢权胜;王兴刚 | 申请(专利权)人: | 浙江天正电气股份有限公司 |
主分类号: | H01H71/10 | 分类号: | H01H71/10;H01H71/44 |
代理公司: | 温州金瓯专利事务所(普通合伙) 33237 | 代理人: | 黄肇平 |
地址: | 325604 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 延时 装置 小型 断路器 | ||
技术领域
本实用新型涉及断路器领域,尤其涉及一种带延时功能并具有分励装置的小型断路器。
背景技术
建国以来,中国电力的基础设施呈几何级增长,在中国电力发展中重要的一环,即是电器保护。而断路器在电器保护中起的作用不可估量,随着技术的发展,断路器的做用并不仅限于在电路发生故障时作断开动作。其中一项拓展功能即是在智能电力缴费系统中作欠费断电功能。现有的技术一般采用在断路器内设置分励机构,断路器外增加一个IC计费装置。IC卡计费装置通过采集IC卡信息,并根据IC卡信息控制断路器内分励机构动作而控制断路器开合闸。但是当电网不稳定时,断路器也可能会立即跳闸,这种跳闸会损伤电器,进而造成经济损失或安全事故。
发明内容
为了解决上述问题,本实用新型提供一种具有可判断电网不稳定或是IC卡欠费功能的带延时分励装置的小型断路器。本实用新型采用的技术方案是:
一种带延时分励装置的小型断路器,包括断路器本体、分励脱扣机构,所述的分励脱扣机构设于断路器本体内,所述的分励脱扣机构控制断路器本体分闸及合闸,还包括一个延时控制电路,所述的延时控制电路设于断路器本体内,所述的延时控制电路与分励脱扣机构连接,并控制分励脱扣机构动作。
进一步,所述的延时控制电路包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1、D2,稳压二极管D3、D4,双向稳压二极管D5,可控硅Q1,三极管Q2,电容C1、C2、C3,分励线圈TQ,控制信号输入端A,负载端L、N;
所述的负载端L与电阻R1一端和二极管D1正极连接,二极管D1与电阻R2一端和可控硅Q1控制极G连接,电阻R2另一端与三极管Q2集电极C、稳压管D3负极、电阻R3一端连接,所述的电阻R3另一端与肖特基二极管D5一端、电容C2正极连接,稳压管D3正极与稳压管D4负极连接,所述的肖特基二极管D5另与电阻R5一端连接,电阻R5另一端与可控硅Q1阳极A和电容C3一端连接;
所述的负载端N与电阻R1另一端、三极管Q2发射级E、电容C1负极、稳压二极管D4正极、电容C2负极、分励线圈TQ一端连接,分励线圈TQ另一端与电容C3另一端、可控硅Q1阴极K连接;
所述的控制信号输入端A与电阻R4一端连接,电阻R4另一端与稳压管D2正极连接,稳压管D2负极与三极管Q2基极连接。
更进一步,所述的延时控制电路外设有防护罩。
本实用新型采用可控硅技术、电容充放电原理,使断路器在电网不稳定的状态下处于合闸状态。
本实用新型的技术优势在于:在分励脱扣机构与外部IC卡计费装置间采用延时控制电路连接,使得该断路器的安全性更为可靠、适用范围更广。
下面将采用具体实施例和附图相结合来更详细的说明该实用新型。
附图说明
图1是本实施例内部延时控制电路图
图2是本实施例侧面剖视图
图3是本实施例正面示意图
图4是本实施列内部分励线圈图
具体实施方式
参照图1、图2、图3,本实施例包括外部控制信号输入线1、电源线2、静触头3、动触头4、操作机构5、锁扣6、手柄7、顶杆8、动铁芯9、分励脱扣线圈TQ10、外壳11、电子线路板12、防护罩13。所有的部件设于外壳11内,外部控制信号输入线1与外部IC卡计费装置连接,电源线2与负载端L、负载端N连接。分励脱扣线圈TQ10使动铁芯9动作,进而通过顶杆8联动静触头3、动触头4、操作机构5,锁扣6动作。实线断路器的开合闸。所述的分励脱扣线圈TQ10接入电子线路板12内的延时控制电路。
所述的延时控制电路如图1所示,所述的延时控制电路包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、二极管D1、D2,稳压二极管D3、D4,双向稳压二极管D5,可控硅Q1,三极管Q2,电容C1、C2、C3,分励线圈TQ10,控制信号输入端A,负载端L、N;
所述的负载端L与电阻R1一端和二极管D1正极连接,二极管D1与电阻R2一端和可控硅Q1控制极G连接,电阻R2另一端与三极管Q2集电极C、稳压管D3负极、电阻R3一端连接,所述的电阻R3另一端与肖特基二极管D5一端、电容C2正极连接,稳压管D3正极与稳压管D4负极连接,所述的肖特基二极管D5另与电阻R5一端连接,电阻R5另一端与可控硅Q1阳极A和电容C3一端连接;
所述的负载端N与电阻R1另一端、三极管Q2发射级E、电C1负极、稳压二极管D4正极、电容C2负极、分励线圈TQ10一端连接,分励线圈TQ10另一端与电容C3另一端、可控硅Q1阴极K连接;
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