[发明专利]一种用于MOCVD的基片加热炉无效
申请号: | 201010160219.X | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101899650A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 吴向方;李春成 | 申请(专利权)人: | 苏州索乐机电设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/02 |
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地址: | 215101 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 加热炉 | ||
1.一种用于MOCVD的基片加热炉,包括炉体、加热电阻丝和电极,其特征在于:所述炉体为圆柱状结构,架设于耐高温的绝缘隔板之上,炉体内穿设有一组以上加热电阻丝,且所述炉体的环状外壁设有热屏蔽层,并在绝缘隔板下侧设有用于外接电源的电极。
2.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述一组以上的加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均匀分布。
3.根据权利要求2所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述同一炉体圆面上穿设有四组加热电阻丝,其中一组加热电阻丝间隔穿设围绕在炉体圆面最外圈,另三组加热电阻丝呈直径递减状环环相套于炉体圆面中心。
4.根据权利要求2所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述同一炉体原面上穿设有四组加热电阻丝,其中三组加热电热丝分别呈120°角度分布排列,中间为另一组电热丝反复弯绕形成的复数个“C”形套圈。
5.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述一组以上的加热电阻丝沿炉体圆面呈环形均匀分布的同时,沿炉体轴向立体分布。
6.根据权利要去5所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述一组以上的加热电阻丝沿炉体轴向呈立体错位分布。
7.根据权利要求1所述的一种用于MOCVD的基片加热炉,其特征在于:所述热屏蔽层为由耐高温金属板及耐高温绝缘材料相叠构成的多层结构。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的