[发明专利]一种高稳定电子陶瓷材料

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子陶瓷介质材料，尤其涉及一种温度稳定型的陶 瓷电容器介质材料。

背景技术

电子陶瓷介质材料主要用来制作陶瓷电容器，陶瓷电容器由于用途 不同分为多种，如中高压陶瓷电容器、超高压陶瓷电容器，不同性能的 电容器需要用不同的介质材料制作，其中中高压陶瓷电容器、超高压陶 瓷电容器是用量大、重要性高的一类瓷料，性能要求较高，国内已有厂 家生产该瓷料，但存在温度稳定性差、不能用于要求较严的场合等缺点。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术中陶瓷介质材料存在的温度稳定性 差、适应性差的缺点，提供一种以二氧化钛(TiO₂)为基料，通过添加部 分稀土氧化物，优选组分，制成温度稳定性好的、适合于特殊场所使用 的陶瓷介质材料。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的，一种高稳定电子陶瓷材 料，其组分以重量分表示为：二氧化钛(TiO₂)80～90分、锡酸钙(CaSnO₃) 2～8分、氧化铋(Bi₂O₃)2～10分、钛酸镁(Mg₂TiO₄)2～10分、氧化钨 (WO₃)0.2～0.8分、氧化钬(Ho₂O₃)0.1～0.5分。

上述高稳定电子陶瓷材料组分的优选方案为：二氧化钛(TiO₂)84～ 87分、锡酸钙(CaSnO₃)4～6分、氧化铋(Bi₂O₃)5～7分、钛酸镁(Mg₂TiO₄) 5～7分分、氧化钨(WO₃)0.4～0.6分、氧化钬(Ho₂O₃)0.2～0.3分。

上述高稳定电子陶瓷材料组分的最佳方案为：二氧化钛(TiO₂) 86分、锡酸钙(CaSnO₃)5分、氧化铋(Bi₂O₃)6分、钛酸镁(Mg₂TiO₄)6 分、氧化钨(WO₃)0.5分、氧化钬(Ho₂O₃)0.25分。

该发明为TiO₂基瓷料，通过CaSnO₃和2TiO₂·Bi₂O₃双重置换作用 将TiO₂的温度变化率从-750ppm/℃移至0附近，从而大大改善了使用温 度范围内的温度变化率；添加Mg₂TiO₄，降低烧结温度，达到瓷体细晶化， 从而提高了耐压、降低了损耗。

本发明的主要特点是用稀土氧化物Ho₂O₃取代了常用的氧化铈 (CeO₂)、五氧化二铌(Nb₂O₅)组分，在进一步促使瓷体细晶化、提高耐压、 降低损耗方面有明显的效果。

本发明采用常规的高压陶瓷电容器介质制备工艺，原材料购入后， 经过检验合格后首先进行TiO₂煅烧、预合成CaSnO₃、Mg₂TiO₄基料的配 料，经过球磨、压滤、干燥、煅烧、粉碎、除铁工艺，得到TiO₂预烧 料、CaSnO₃、Mg₂TiO₄等基料待用；然后即可进行成品料配料，再经过 球磨、搅拌磨、混料、喷雾造粒、除铁、混料即得成品料，检验合格 后包装入库备用。

具体实施方式

为进一步验证本发明配方组分的性能指标，进行了不同配方组分下 的性能指标试验。

表1各试样的成分配比

表2各配方试样的介电性能