[实用新型]一种掩膜版有效
申请号: | 200820147200.X | 申请日: | 2008-09-05 |
公开(公告)号: | CN201237695Y | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 李跃松;苏利刚 | 申请(专利权)人: | 清溢精密光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518057广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 | ||
1、一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版具有一显影精度控制图标,所述显影精度控制图标包含有第一组刻度标记,所述第一组刻度标记由一组刻度标记图案组成,所述第一组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化,所述第一组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀。
2、如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述刻度标记图案为矩形图案。
3、如权利要求1或2所述的掩膜版,其特征在于,所述显影精度控制图标包含有第二组刻度标记,所述第二组刻度标记由一组刻度标记图案组成,所述第二组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化的,所述第二组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀;所述第二组刻度标记中的刻度标记图案的最大线宽小于所期望显影的刻度标记的线宽。
4、如权利要求1或2所述的掩膜版,其特征在于,所述显影精度控制图标包含有第二组刻度标记,所述第二组刻度标记由一组刻度标记图案组成,所述第二组刻度标记中的各个刻度标记图案的线宽依次呈递增或递减变化的,所述第二组刻度标记中的每个刻度标记图案的线宽均匀;所述第二组刻度标记中的刻度标记图案的最小线宽大于所期望显影的刻度标记的线宽。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备