[发明专利]改善液晶显示器线性残影的方法有效
申请号: | 200810082783.7 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101241681A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 廖培钧;张庭瑞;刘品妙;廖干煌;陈予洁 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G02F1/133 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 液晶显示器 线性 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种改善液晶显示器线性残影的方法,更明确地说,涉及一种利用残余电压来改善液晶显示器线性残影的方法。
背景技术
请参考图1。图1为现有技术液晶显示器的横剖面图。液晶显示器100由两片玻璃基板(上板UL和下板LL)所构成,两片玻璃基板中间再注入液晶层LCL。液晶层中包含了液晶分子LC。玻璃基板LL上包含多数条数据线(未图标)与多数条扫描线(未图标),以及多数个由扫描线与数据线交错而形成的像素区(未图示)。然而由于实际情况中非为理想,故在液晶层LCL中,除了液晶分子LC之外,还掺杂杂质分子P。杂质分子P如图所示,可为正电性或负电性。
请参考图2。图2为现有技术液晶显示器于显示画面时的示意图。如图所示,当要显示画面时,玻璃基板UL与LL之间会加上一个电压差使得液晶分子LC转向。也就是说,在玻璃基板UL与LL之间会产生一个电场E。在液晶分子LC转向的同时,杂质分子P也会因为本身的电性,随着电场的方向移动。
请参考图3。图3为现有技术液晶显示器于显示画面一段时间后的示意图。如图所示,当显示画面一段时间后,玻璃基板UL与LL之间所加上的电场E会使得杂质分子P的移动更彻底。使得带有正电的杂质分子P都聚于一侧,而带有负电的杂质分子P都聚于另外一侧。这样的情况,由于杂质分子P移动速度较慢,因此在电场E消失后,杂质分子P并不会马上变回原本常态分布的状况;这样一来,杂质分子P便会在液晶层LCL中产生另外一个电场,而使得原本应该回到预定位置的液晶分子LC受到影响,造成无法回到原本预定位置。也就是说,若原本预设的电场为E1,杂质分子P聚集而产生的电场为E2,在理想状态下,液晶分子LC所感受到的电场应为E1,而能够根据电场E1转动到预定的位置,但是由于杂质分子P产生的电场E2的作用,液晶分子LC实际上所感受到的电场变成(E1+E2),因此液晶分子LC便无法顺利转动到预定的位置,因此产生了影像残留的现象。
请参考图4。图4为现有技术液晶显示器于显示画面一段时间后的示意图。杂质分子P所移动的方向,除了电场E的影响外,也会受到液晶分子LC转向的影响。如图4所示,由于液晶分子LC受到电场E而略为倾斜,因此会造成杂质分子P除了在垂直方向上的移动外,也有水平方向的横移。持续移动的结果将会造成杂质分子P堵塞(trap)于液晶显示器100中的某些像素之间(堵塞的方式与画面显示的图案有关),造成堆积较多杂质分子P的像素所受到杂质分子P的影响较大,而堆积较少杂质分子P的像素所受到杂质分子P的影响较小。这样一来,堆积较多杂质分子P的像素与堆积较少杂质分子P的像素的液晶分子LC的感受的电场将会有明显不同,而造成显示画面时会有不均匀的情况,这就是所谓的线状的影像残留(image sticking of line shape type)。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种改善液晶显示器线性残影的方法。
为实现上述目的,本发明提供的改善液晶显示器线性残影的方法,该液晶显示器包含多数个像素。每个该像素都包含一第一子像素与一第二子像素。该方法包含以一第一最佳共同电压,驱动该多数个像素的该第一子像素;以一第二最佳共同电压,驱动该多数个像素的该第二子像素;以及以一面板电压,驱动该液晶显示器,其中该面板电压介于该第一最佳共同电压与该第二最佳共同电压之间。
综上论述,采用本发明所提供的方法能有效地利用液晶显示器上残余的电压,降低液晶显示器的线性残影,提供更好的显示质量。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有技术液晶显示器的横剖面图;
图2为现有技术液晶显示器于显示画面时的示意图;
图3为现有技术液晶显示器于显示画面一段时间后的示意图;
图4为现有技术液晶显示器于显示画面一段时间后的示意图;
图5为本发明于液晶显示器上外加残余偏压以降低线性残留的示意图;
图6为本发明于一像素上外加残余偏压以降低线性残留的示意图;
图7为根据图6所示的方式驱动子像素的示意图;
图8为本发明利用残余电压的第一实施例的电路的示意图;
图9根据图8的实施例的时序示意图;
图10为本发明利用残余电压的第二实施例的电路的示意图;
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