[发明专利]基于硅基环形谐振腔的光子可调宽带射频移相器无效

专利信息
申请号: 200810040447.6 申请日: 2008-07-10
公开(公告)号: CN101320188A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 昌庆江;李强;苏翼凯;仇旻 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G02F1/225 分类号: G02F1/225;H01P1/18
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 基于 环形 谐振腔 光子 可调 宽带 射频 移相器
【权利要求书】:

1.一种基于硅基环形谐振腔的光子可调宽带射频移相器,包括:泵浦信号光发生系统、载波抑制光双边带产生系统、硅基环形谐振腔系统、以及测量系统,其特征在于,泵浦信号光发生系统和载波抑制光双边带产生系统的输出端与硅基环形谐振腔系统的输入端相连,硅基环形谐振腔系统的输出端与测量系统的输入端相连;

所述硅基环形谐振腔系统包括一个光耦合器和一个硅基环形谐振腔,光耦合器的输出端连接到硅基环形谐振腔的输入端口,其中:硅基环形谐振腔由一个硅基微环和一根直波导构成,硅基微环和直波导之间的空气隙间隔为几十至几百纳米,硅基环形谐振腔频谱特征是周期性的带阻滤波特性,在谐振波长处的透射率等于0或非常接近0;

所述的泵浦信号光发生系统包括第一可调激光器、高功率光放大器、可调光衰减器,其中:第一可调激光器产生连续的激光,波长对应硅基环形谐振腔的一个谐振峰,其输出端口与高功率光放大器的输入端相连,高功率光放大器的输出端口与可调光衰减器输入端口相连,可调光衰减器的输出端口连接到硅基环形谐振腔系统中光耦合器的一个输入端口;

所述的载波抑制光双边带产生系统包括第二可调激光器、一个射频信号发生器、一个马赫曾德调制器、第一光放大器,其中:第二可调激光器产生连续的激光,波长对应硅基环形谐振腔的另一个谐振峰,该谐振峰的位置与泵浦信号光发生系统所对应的谐振峰的位置最近,第二可调激光器输出端口与马赫曾德调制器的光输入端口相连,射频信号发生器的输出端口与马赫曾德调制器的射频输入端口相连,马赫曾德调制器偏置在传输曲线的最低点,得到载波抑制的光双边带信号,马赫曾德调制器的光输出端口连接到第一光放大器的输入端口,第一光放大器的输出端口连接到硅基环形谐振腔系统中光耦合器的另一个输入端口;

所述的测量系统包括第二光放大器、窄带可调光滤波器和示波器,其中:硅基环形谐振腔的输出端与第二光放大器的输入端相连,第二光放大器的输出端连接到窄带可调光滤波器,窄带可调光滤波器的输出端口连接到示波器的输入端口进行检测。

2.根据权利要求1所述的基于硅基环形谐振腔的光子可调宽带射频移相器,其特征是,所述硅基环形谐振腔,其传输光谱和它的相位具有相关性,在整个自由光谱范围具有2π的相位差,当功率较强的泵浦光注入到硅基环形谐振腔时,硅基环形谐振腔将吸收的光能转化为热能,产生非线性热效应,这种非线性热效应会使得谐振峰发生红移,导致信号的相位发生改变。

3.根据权利要求1所述的基于硅基环形谐振腔的光子可调宽带射频移相器,其特征是,所述的窄带可调光滤波器的3-dB带宽在0.3nm-2nm的范围内。

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