[发明专利]一种制备一维硅纳米结构的方法无效
| 申请号： | 200710030216.2 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101117208A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;佘峻聪;何浩;姚日晖;邓少芝;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 一维硅 纳米 结构 方法 | ||
1.一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于工艺步骤顺序如下：
(A)在基底材料表面制备出纳米颗粒掩模；
(B)用等离子体刻蚀技术对基底材料进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于：所述步骤A包括以下步骤：
(i)首先在基底材料表面旋涂一层光刻胶，接着采用电子光刻技术在基底材料表面形成微孔；
(ii)在基底材料表面沉积一层掩模薄膜；
(iii)对沉积了掩模薄膜的基底材料进行光刻胶剥离工艺，从而在步骤i的微孔处形成纳米颗粒掩模。
3.根据权利要求1所述的一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于：在步骤A中，首先在基底材料表面沉积一层金属薄膜；然后对金属薄膜进行热处理，在基底材料表面得到金属纳米颗粒掩模。
4.根据权利要求2或3所述的一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于：步骤A中所述的基底材料为单晶硅，或沉积在衬底上的单晶硅薄膜。
5.根据权利要求2或3所述的一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于：步骤A中所述的基底材料为非晶硅，或沉积在衬底上的非晶硅薄膜。
6.根据权利要求2所述的一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于：步骤ii所述的掩模材料为金属，或金属氧化物，或二氧化硅。
7.根据权利要求2或3所述的一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于：步骤B采用各向同性刻蚀工艺，工艺参数为：工艺气体C4F8(50sccm)和SF6(25sccm)，气压10mTorr，RF功率40W，ICP功率750W。
8.根据权利要求2或3所述的一种制备一维硅纳米结构的方法，其特征在于：步骤B采用各向异性刻蚀工艺，工艺参数为：工艺气体C4F8(65sccm)和SF6(15sccm)，气压8mTorr，RF功率38W，ICP功率800W。
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