[发明专利]耦合式环形振荡器及其布置方法有效

专利信息
申请号: 200680009968.4 申请日: 2006-05-25
公开(公告)号: CN101151803A 公开(公告)日: 2008-03-26
发明(设计)人: 道正志郎;崎山史朗;武田宪明 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03K3/03 分类号: H03K3/03
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 耦合 环形 振荡器 及其 布置 方法
【权利要求书】:

1.一种耦合式环形振荡器,包括:

n个环形振荡器,每个环形振荡器都包括m个反相器电路;以及

相位耦合环路,其中m×n个相位耦合电路彼此连接而形成环路,每个所述相位耦合电路以某一相位模式耦合两点的信号相位,

其中所述反相器电路彼此连接的连接点和所述相位耦合电路彼此连接的连接点双射连接;以及

每个所述反相器电路都连接在以某一比率将所述相位耦合电路分成两部分的两点之间。

2.如权利要求1的耦合式环形振荡器,其中每个所述相位耦合电路都以反相模式耦合两点的信号相位;以及

每个所述反相器电路都连接在将所述相位耦合电路分成n个相位耦合电路和n×(m-1)个相位耦合电路的两点之间。

3.如权利要求2的耦合式环形振荡器,其中每个所述相位耦合电路都包括两个反相器电路,且所述反相器电路中的一个的输入端子和输出端子分别连接到另一反相器电路的输出端子和输入端子。

4.如权利要求2的耦合式环形振荡器,其中每个所述相位耦合电路都包括两个相同极性的MOS晶体管,且所述MOS晶体管中的一个的栅极和漏极分别连接到另一MOS晶体管的漏极和栅极。

5.如权利要求4的耦合式环形振荡器,其中所述MOS晶体管是NMOS晶体管。

6.如权利要求1的耦合式环形振荡器,其中每个所述相位耦合电路都以同相模式耦合两点的信号相位;以及

每个所述反相器电路都连接在将所述相位耦合电路分成n×(m-1)/2个相位耦合电路和n×(m+1)/2个相位耦合电路的两点之间。

7.如权利要求6的耦合式环形振荡器,其中所述相位耦合环路形成两圈并且是闭合的。

8.如权利要求6的耦合式环形振荡器,其中每个所述相位耦合电路都是MOS晶体管,其中源极和漏极用作输入/输出端子且预定电压施加到栅极。

9.如权利要求8的耦合式环形振荡器,其中所述MOS晶体管是NMOS晶体管,以及

用于所述环形振荡器的振荡频率的控制电压施加到所述NMOS晶体管的栅极。

10.如权利要求6的耦合式环形振荡器,其中所述相位耦合电路是传输门。

11.如权利要求6的耦合式环形振荡器,其中所述相位耦合电路是电阻元件。

12.如权利要求1的耦合式环形振荡器,其中所述n个环形振荡器和所述相位耦合环路以嵌套图案布置。

13.如权利要求1的耦合式环形振荡器,其中所述相位耦合环路布置成在嵌套图案的最内侧。

14.一种用于布置耦合式环形振荡器的方法,包括以下步骤:

(a)连接m×n个基本单元,每个所述基本单元都包括相位耦合元件和电路元件,

其中所述相位耦合元件对应于在所述相位耦合电路的两端连接的两个半电路,每个所述半电路等效于以反相模式耦合两点的两个信号相位的相位耦合电路的一半,

所述电路元件包括反相器电路,在所述反相器电路中输入端子或输出端子连接到所述两个半电路彼此连接的连接点,以及

所述m×n个基本单元连接成环路,使得每个相位耦合电路都形成在所述相位耦合元件中的相邻相位耦合元件之间;以及

(b)在相隔(n-1)个基本单元的任意两个基本单元中,将所述两个基本单元中一个基本单元的反相器电路的输入端子与另一基本单元的反相器电路的输出端子相连接。

15.如权利要求14的方法,其中每个所述相位耦合元件都包括两个反相器电路作为所述两个半电路,并且所述两个反相器电路的输入端子彼此连接;以及

所述方法进一步包括步骤(c):在所述相位耦合元件的相邻两个相位耦合元件中,将所述两个相位耦合元件中一个相位耦合元件的反相器电路之一的输入端子与另一相位耦合元件的反相器电路之一的输入端子相连接。

16.如权利要求15的方法,其中将每个相位耦合元件中的两个反相器电路的输入端子与每个所述基本单元中的反相器电路的输入端子相连接。

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