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【摘要】:
以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜,包括以下组分:Bi(NO3)2·5H2O、Co(NO3)2·6H2O、钛酸丁酯、乙二醇甲醚、乙酰丙酮;制备方法的步骤为:以Bi4Ti2.95Co0.05O12溶胶为前驱体,在以c轴取向LaNiO3为缓冲层的Si基底上制备Bi4Ti2.95Co0.05O12凝胶薄膜,随后经干燥、热处理,制备具有c轴取向性的Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜;具有优异的导电性、可取代铂和金等贵金属作为Bi4Ti2.95Co0.05O12薄膜电性能测试的底电极的特点。
【主权项】:
1.以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜,其特征在于,按重量百分比,包括以下组分:Bi(NO3)2·5H2O7.63%‑19.22%、Co(NO3)2·6H2O0.1%‑0.26%、钛酸丁酯3.5%‑8.88%、乙二醇甲醚80.4%‑50.64%、乙酰丙酮8.3%‑21%。
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