本发明的一种基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。本发明的光学生化传感芯片通过在顶部的单晶硅层形成光栅FP腔检测外界物质对光信号的影响,同时引入狭缝光波导结构,使光信号的检测从传统的倏逝场转向狭缝空间,其优势在于狭缝空间中的光能量密度远大于倏逝场中光能量的密度,光与物质相互作用更强,使检测灵敏度更高,检测难度进一步降低。
基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片,包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体,其特征在于,所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导,所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。
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