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[发明专利]具有ZnTe过渡层的GaN-CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法-CN201811264136.8有效
发明人：沈悦;孙佳豪;徐宇豪;顾峰;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN‑CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应
具有 znte 过渡 gan cdznte 复合结构组件应用及其制备方法

[发明专利]ZnTe/TiO2-CN202310438105.4在审
发明人：王秀通;南有博;徐慧;孙亚楠;鹿桂英 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23F13/12 文献下载
摘要：本发明涉及ZnTe/TiO2异质结材料，制备方法及应用。该ZnTe/TiO2异质结材料包括TiO2纳米管阵列，ZnTe纳米花，其中ZnTe纳米花负载于TiO2纳米管阵列上负载ZnTe纳米花。本发明所得ZnTe/TiO2异质结材料ZnTe和TiO2之间构建了界面电场，在界面内电场的驱动下，异质结加速了光生成电子‑空穴对的分离和电子从ZnTe向TiO2的转移。
znte tio base sub

[发明专利]一种ZnTe@HP-PAMAM聚合物及其制备方法-CN202211363815.7在审
发明人：廉琪;郑学芳;于洪媚;陈丽;李美琦 -专利权人：河北科技师范学院
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C08F120/14 文献下载
摘要：本发明属于荧光纳米材料领域，公开了一种ZnTe@HP‑PAMAM聚合物的制备方法。以ZnCl2和Te粉为原料，采用水相合成法合成了ZnTe量子点；然后以乙二胺和丙烯酸甲酯为原料，甲醇为溶剂，合成ZnTe@HP‑PAMAM聚合物。本发明通过ZnTe量子点与HP‑PAMAM的结合，合成了ZnTe@HP‑PAMAM聚合物，荧光强度极大提升，提高了ZnTe@HP‑PAMAM的应用价值。ZnTe@HP‑PAMAM的荧光强度随着抗坏血酸含量的变化而呈现有规律的线性变化，可用于对抗坏血酸含量的检测，且对蔬菜水果中抗坏血酸的检测结果准确，具有广泛实用价值。
一种 znte hp pamam 聚合物及其制备方法

[发明专利]一种ZnTe合金靶材的制备方法-CN202310232401.9在审
发明人：张玉玲;朱伟 -专利权人：基迈克材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C4/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnTe合金靶材的制备方法，涉及溅射镀膜领域，其技术方案要点是：一种ZnTe合金靶材的制备方法，包括以下步骤S1：将Zn锭和Te锭作为原料，清洗烘干后按原子质量份数装入坩埚中，加入气雾化设备中，温度1300‑1400℃，压力3‑5MPa，制备ZnTe合金粉末；S2：将所述合金粉末球磨后过筛，得到＜50um的过筛粉末；S3：将过筛后的粉末用烧结炉进行烧结，烧结温度950‑1100℃，保温4‑7h，得到ZnTe合金烧结粉体；S4：将背靶进行喷砂处理，喷砂用铁砂，目数为：40‑60目；将所述ZnTe合金烧结粉体与背靶通过热喷涂设备进行结合，得到ZnTe合金毛坯靶材；S5：将所述ZnTe合金毛坯靶材进行抛光和加工处理，得到ZnTe合金靶材。本发明能够制备导电性好的ZnTe合金靶材。
一种 znte 合金制备方法

[发明专利]一种稀磁性半导体薄膜材料外延结构和制备方法-CN202310239592.1在审
发明人：张珂 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀磁性半导体薄膜材料外延结构和制备方法，外延结构包括由下至上依次设置的：p‑GaAs衬底、p‑ZnTe薄膜层、ZnTe阻止层、(Zn，Cr)Te磁性层、AlN绝缘层、Au电压引出层，所述p‑ZnTe薄膜层的掺杂元素为N原子。本发明在p‑ZnTe薄膜层和(Zn，Cr)Te磁性层上生长ZnTe阻止层，可以防止p‑ZnTe薄膜层中的N原子扩散至(Zn，Cr)Te磁性层，从而改变含(Zn，Cr)Te磁性层磁学特性，并进一步提高器件的有效工作温度
一种磁性半导体薄膜材料外延结构制备方法

[发明专利]一种维持ZnTe晶体稳定性的方法-CN202010819993.0在审
发明人：徐亚东;孙俊杰 -专利权人：南京公诚节能新材料研究院有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种维持ZnTe晶体稳定性的方法，包括采用Te熔剂‑TGSM技术生长ZnTe电光晶体；探索掺杂对Zn空位的补偿原理和效率；选取Zn粒作为退火源，将ZnTe晶体插在石英支架上固定于石英管内的一端，退火源金属Zn粒装入退火管的另一端，将退火管内抽成真空，然后熔封退火管；将退火管装入两段式退火炉，ZnTe晶体在Zn蒸汽氛围中进行退火；退火后，取出退火管，将ZnTe晶体取出，去除晶体的损伤层，并对晶体表面进行打磨抛光改善熔体的对流，优化溶质的分布，生长大尺寸、低缺陷密度ZnTe单晶，优化退火工艺消除ZnTe晶体中微米尺度的Te夹杂，并实现对其电活性缺陷的调控，提高稳定性，提高晶体的电学和光学性能。
一种维持 znte 晶体稳定性方法

[发明专利]一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法-CN202211283580.0在审
发明人：徐振恒;李鹏;田兵;陈仁泽;王志明;李立浧;钟枚汕;卢星宇;张伟勋;何毅 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明涉及磁场探测技术领域，且公开了一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法，通过材料制备工艺及探测器工作频段建立CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构，随后对CrTe/ZnTe光栅结构施加磁场提出设计CrTe/ZnTe半金属异质结的光栅结构，利用CrTe/ZnTe光栅结构响应谱的变化来探测外界磁场的大小。因微弱的磁场变化就会影响CrTe/ZnTe材料的磁阻等特性，从而进一步改变CrTe/ZnTe光栅结构的响应谱共振频率。
一种 crte znte 金属异质结光栅结构磁场探测方法

[发明专利]ZnTe/ZnSe核壳型量子点及其制备方法-CN201510826546.7在审
发明人：李冬梅;黄凯翔;张方方;李杰;杨柳;程涛 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnTe/ZnSe核壳型量子点及其制备方法。该量子点是以ZnTe为核，在其表面修饰ZnSe；所述的ZnTe核的粒径为5nm左右；所述的核与壳的质量比为：1:2。本发明制备的ZnTe/ZnSe量子点具有稳定性好、团聚少等特点，可在常温避光存储下储藏两个月之久，说明其稳定性较好。本发明方法在酸性条件下进行，抑制了水溶液中Zn离子的水解，通过对ZnTe量子点表面包覆，制备出了较高量子产率、高稳定性的ZnTe/ZnSe量子点。
znte znse 核壳型量子及其制备方法

[发明专利]在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法-CN201510468759.7有效
发明人：査钢强;李嘉伟;李颖锐;曹昆;席守志;蔺云;汤三奇;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种在(100)GaAs衬底上制备ZnTe外延厚膜的方法，用于解决现有方法制备ZnTe外延厚膜生长速率慢的技术问题。技术方案是将经过处理的ZnTe生长源及(100)GaAs衬底放入生长炉腔室内，生长前采用高纯Ar反复清洗生长炉腔室以去除残余空气并充入Ar至目标压强，加热ZnTe生长源和(100)GaAs衬底，加热到一定温度后本发明通过控制ZnTe生长源温度、生长炉腔室压力以及生长源与衬底之间的距离，来控制生长ZnTe外延厚膜的速率，其生长速率由背景技术的10μm/h提高到20μm/h～100μm/h。
100 gaas 衬底制备 znte 外延方法

[发明专利]一种Sr掺杂BaTiO3-CN202010102738.4有效
发明人：熊贤强;张晓;王勇;武承林;李江山;李天丁;付帅 -专利权人：台州学院
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C25B1/55 文献下载
摘要：本发明涉及一种Sr掺杂BaTiO3/ZnTe光阴极材料的制备方法，属于光电催化技术领域。所述的Sr掺杂BaTiO3/ZnTe光催化剂由Sr掺杂BaTiO3纳米纤维核和片状ZnTe壳组成。ZnTe作为光吸收体，由水热法制备。通过外加电场极化铁电材料，能够诱导ZnTe光生电荷的选择性分离，增强光生电子在催化剂/溶液界面的聚集，有效提升了ZnTe的光电催化CO2还原活性。
一种 sr 掺杂 batio base sub

[发明专利]一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法-CN201210080824.5无效
发明人：王占勇;钟柳明;金敏;徐家跃;申慧;房永征 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开一种取向纳米晶ZnTe晶体的制备方法，即以纯度高于99.999%的金属Zn和Te为原料，在真空中合成ZnTe合金料，合金料经过去离子水清洗，用导电银胶粘结在脉冲激光沉积设备载物台上，作为溅射靶材，在室温下以脉冲激光能量密度为2~5J/cm2溅射ZnTe靶材，靶材与衬底距离设置为5cm，溅射衬底为玻璃、蓝宝石或单晶硅等，将溅射后的薄膜在30~400℃下进行原位退火处理后，即得到取向纳米晶ZnTe所得的取向纳米晶ZnTe晶体，其晶粒尺寸约为20～60nm，且具有<110>和<111>取向。与传统制备方法相比，该方法可通过溅射后退火温度控制、衬底控制实现纳米晶ZnTe晶体取向生长。
一种取向纳米 znte 晶体制备方法

[发明专利]一种CdSe/ZnTe核壳型量子点及其制备方法-CN201210040663.7无效
发明人：黄朝表;孙启壮;付沙沙;董美婷;刘淑贤 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：一种CdSe/ZnTe核壳型量子点，由CdSe量子点和ZnTe组成，CdSe量子点表面包覆ZnTe层，CdSe量子点与ZnTe的摩尔比为5∶1。该CdSe/ZnTe核壳型量子点低毒、具有水溶性、高荧光效率。
一种 cdse znte 核壳型量子及其制备方法

[发明专利]一种碲化锌单晶生长技术-CN200910048393.2无效
发明人：徐家跃;金敏;赵洪阳;胡同兵;何庆波;房永征 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，即将合成好的高纯富碲多晶ZnTe原料，装入底部事先安置好ZnTe籽晶的PBN坩埚内，然后密封于石英坩埚内，置于三温区下降炉内进行生长晶体，炉温控制在1000晶体生长结束后，通过调整坩埚位置和控制炉温，对晶体实行原位退火，即获得ZnTe单晶。本发明的ZnTe单晶的底部籽晶法生长技术，所用的生长炉结构简单，操作方便，炉膛内部温度梯度可调节，且原位退火可降低热应力引起的晶体缺陷，同时由于炉内多个等效工位，可同时生长多根晶体，降低晶体成本，非常适合规模生产
一种碲化锌单晶生长技术

[发明专利]一种提高ZnTe晶体掺杂元素均匀性的方法-CN202010821085.5在审
发明人：徐亚东;孙俊杰 -专利权人：南京公诚节能新材料研究院有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高ZnTe晶体掺杂元素均匀性的方法，包括如下步骤：采用Te熔剂‑TGSM技术生长ZnTe电光晶体；将晶体在生长炉内低温区保温退火；将晶体锭条取出，进行定向切片，研磨和抛光，然后清洗干净并甩干备用；建立掺杂量与ZnTe晶体电阻率及载流子传输特性的定量关系，获得THz辐射的吸收和散射机理；将晶体切片架在石英支架上固定于石英安瓿内，将安瓿瓶进行内进行抽真空，然后对安瓿瓶的瓶口进行熔封，将安瓿瓶放入退火炉进行均匀性退火通过建立掺杂量与ZnTe晶体电阻率及载流子传输特性的定量关系，获得THz辐射的吸收和散射机理，优化掺杂浓度及设计多阶段组合退火处理工艺，最终获得高均匀性光学品质的ZnTe晶体。
一种提高 znte 晶体掺杂元素均匀方法

[发明专利]一种ZnTe-Mo/Mg-MOF光阴极材料的制备方法-CN202010382690.7有效
发明人：武承林;熊贤强;张晓;张川群;范利亚;李江山;付帅;褚雨潇 -专利权人：台州学院
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种ZnTe‑Mo/Mg‑MOF光阴极材料的制备方法，属于光电催化技术领域。所述的复合光电极由p型ZnTe半导体和Mo/Mg双金属MOF组成，其中ZnTe通过热蒸发沉积和液相反应法合成，可以有效吸收可见光，而Mo/Mg‑MOF能够有效捕获和活化CO2，二者协同作用，显著提高ZnTe还原CO2的电流密度，降低反应起始电位。
一种 znte mo mg mof 阴极材料制备方法

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