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[实用新型]PECVD沉积槽-CN201220157527.1有效
发明人：孙双庆;杜颖涛;齐海洋 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种PECVD沉积槽，包括：PECVD沉积槽本体(1)，覆盖于PECVD沉积槽本体(1)顶面的喷砂层(2)，和覆盖于喷砂层(2)顶面的镀铝层(3)。本实用新型提供的PECVD沉积槽，与现有技术相比，通过喷砂层(2)提高了该PECVD沉积槽顶面的粗糙度，镀铝层(3)增强了PECVD沉积槽顶面的吸附能力，使得沉积在PECVD沉积槽顶面的氮化硅较难脱离PECVD沉积槽顶面，减少了脱离PECVD沉积槽的氮化硅量，即减少了落在硅电池片上的氮化硅量，进而减小了氮化硅对硅电池片镀膜质量的影响，提高了硅电池片将光能转换为电能的转换效率。
pecvd 沉积

[发明专利]一种多晶硅PECVD三层镀膜工艺制备方法-CN201610408537.0在审
发明人：刘晓龙;刘成;吴肖;孙立国 -专利权人：浙江昂成新能源有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种三层镀膜工艺，尤其涉及一种多晶硅PECVD三层镀膜工艺制备方法。按以下步骤进行：PECVD分析→PECVD作用→PECVD膜的特点→PECVD三层镀膜工艺制备方法→PECVD三层膜优势。
一种多晶 pecvd 三层镀膜工艺制备方法

[发明专利]去除PECVD装置的电荷的系统及其控制方法-CN201410049076.3有效
发明人：王振斌;蒲以康;凌复华;姜谦 -专利权人：清华大学;沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提出一种去除PECVD装置的电荷的系统，包括：PECVD腔室，具有光源出入口；光源，用于照射PECVD腔室的内壁；驱动装置，驱动装置与光源相连，用于驱动光源从光源出入口进出PECVD腔室；挡板，位于PECVD腔室的内壁的一侧，用于开闭光源出入口；控制器，分别与光源，驱动装置和挡板相连，用于在通过驱动装置控制光源进入PECVD腔室时，控制挡板打开光源出入口并控制光源照射PECVD腔室的内壁，以及在光源移出PECVD腔室时、控制挡板关闭光源出入口。本发明的系统，可有效地去除PECVD腔室的内壁积累的电荷，结构简单、可靠，提高了整个工艺过程的稳定性。本发明还提出了一种去除PECVD装置的电荷的系统的控制方法。
去除 pecvd 装置电荷系统及其控制方法

[实用新型]一种复合薄膜生长装置结构-CN201921912945.5有效
发明人：邹杨;孙蕾;邹松东 -专利权人：洛阳奥尔材料科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及复合薄膜技术领域，且公开了一种复合薄膜生长装置结构，包括PECVD生长室、MWCVD生长室和MWCVD生长台，所述PECVD生长室上设置有PECVD阴极，所述PECVD生长室上对应PECVD阴极设置有PECVD生长台，所述PECVD生长室和MWCVD生长室之间设置有门阀，所述PECVD生长室的底部设置有插板阀，所述插板阀下方设置有分子泵，所述MWCVD生长室旁设有控制单元和电源，所述MWCVD生长台位于MWCVD生长室中心，所述PECVD室的左侧设置有机械手。
一种复合薄膜生长装置结构

[实用新型]一种PECVD设备中央计算机集成控制系统-CN201120487193.X有效
发明人：李时仲;易定方 -专利权人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PECVD设备中央计算机集成控制系统，旨在提供一种使用方便的PECVD设备中央计算机集成控制系统，其包括PECVD设备和设于PECVD设备内的若干台工控机，所述PECVD设备中央计算机集成控制系统还包括通过网线与所述各工控机相连的交换机和通过网线与所述交换机相连且与所述各工控机构成局域网的服务器本实用新型可用于PECVD设备。
一种 pecvd 设备中央计算机集成控制系统

[发明专利]一种减少管式PECVD插片划伤的方法及采用该方法的镀膜工艺-CN202010642024.2在审
发明人：熊诗龙;金井升 -专利权人：晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及新能源技术领域，特别涉及一种减少管式PECVD插片划伤的方法及采用该方法的镀膜工艺。一种减少管式PECVD插片划伤的方法，该方法主要过程是将空舟放入PECVD炉管，在石墨舟上镀一层氮氧化硅膜，具体包括以下步骤：第一步：空石墨舟进入PECVD管；第二步：用氮气对PECVD管吹扫，去除PECVD管内的空气；第三步：对PECVD管进行抽真空；第四步：沉积氮氧化硅；第五步：用氮气对PECVD管吹扫，去除PECVD管内的SiH4/N2
一种减少 pecvd 划伤方法采用镀膜工艺

[发明专利]减少PECVD沉积薄膜过程中产生颗粒的方法-CN202111540413.5在审
发明人：范思大;吕先峰;丁晓林;崔虎山;刘朋飞;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少PECVD沉积薄膜过程中产生颗粒的方法，包括以下步骤：S1、将晶圆通过传输机构输送至PECVD腔室内并进行预加热；S2、向PECVD腔室内通入工艺气体中副反应气体，并维持PECVD腔室内腔压稳定；S3、开启射频电源并保持第一预定时间，直至PECVD腔室内等离子体处于稳定状态；S4、向PECVD腔室内通入工艺气体中主反应气体，开始沉积薄膜直至预定厚度，关闭主反应气体；S5、将射频电源接通状态继续维持第二预定时间后关闭本发明实施例的减少PECVD沉积薄膜过程中产生颗粒的方法，通过优化工艺反应气体进入PECVD腔室顺序、以及射频开启顺序来减少PECVD在沉积薄膜过程中产生的颗粒，对于减少薄膜表面颗粒的产生效果十分显著。
减少 pecvd 沉积薄膜过程产生颗粒方法

[发明专利]全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备-CN200810229877.2有效
发明人：赵科新;奚建平;赵崇凌;张冬;洪克超;段鑫阳;张健;徐宝利;李士军;高振国;崔秀伟 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存在的需要在真空条件下进行工作等问题。该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，PECVD室通过管路连接真空抽气系统本发明只给PECVD室提供了真空环境，其余部分都在大气或是保护气体下进行工作。本发明在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式PECVD和多腔室平板式PECVD的技术指标。
全自动大型平板 pecvd 晶硅光伏减反射制备设备

[实用新型]等离子体增强化学气相沉积PECVD小车识别系统-CN200920177505.X有效
发明人：陈光;陈海;王春祥;严前程 -专利权人：江阴浚鑫科技有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种等离子体增强化学气相沉积PECVD小车识别系统，包括多组机台和PECVD小车，所述机台上设有传感器，所述PECVD小车上设有识别反光板；所述机台设置传感器的位置与同组PECVD小车设置识别反光板的位置相对应，当所述PECVD小车运动到同组的所述机台的上料位置时，所述传感器感应到所述识别反光板，所述传感器指令所述机台上的机械手的动作。本实用新型实施例通过在PECVD小车设置识别反光板和在机台的相应位置设有感应器，并且将每种型号的PECVD小车的识别反光板的位置都设不同的方案，使得机台可以识别不同的PECVD小车，从而可以避免错误的PECVD
等离子体增强化学沉积 pecvd 小车识别系统

[实用新型]全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备-CN200820231791.9无效
发明人：赵科新;奚建平;赵崇凌;张冬;洪克超;段鑫阳;张健;徐宝利;李士军;高振国;崔秀伟 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存在的需要在真空条件下进行工作等问题。该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，PECVD室通过管路连接真空抽气系统本实用新型只给PECVD室提供了真空环境，其余部分都在大气或是保护气体下进行工作。本实用新型在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式PECVD和多腔室平板式PECVD的技术指标。
全自动大型平板 pecvd 晶硅光伏减反射制备设备

[发明专利]用于异质结太阳能电池的镀膜方法及镀膜设备-CN202110645343.3在审
发明人：欧阳亮 -专利权人：理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：所述方法先将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；然后对第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第一PVD反应腔同时抽真空；接着依次在各腔中进行第一本征PECVD、N型PECVD、第一PVD工艺，从而在硅片正面形成第一本征非晶硅、N型非晶硅及第一TCO；然后对各腔同时破真空，并通过翻面装置将硅片进行翻面后以背面朝上的方式放置至托盘；接着将托盘传送至第二本征PECVD、P型PECVD反应腔以及第二PVD反应腔分别进行第二本征PECVD、P型PECVD工艺以及第二PVD工艺，从而在硅片背面分别形成N型非晶硅、P型非晶硅及第二TCO；最后对第二本征、P型PECVD以及第二PVD反应腔同时破真空
用于异质结太阳能电池镀膜方法设备

[实用新型]PECVD设备用气源柜及PECVD设备-CN201120041190.3无效
发明人：王志盾;徐桂香 -专利权人：青岛金立盾电子设备有限公司
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种PECVD设备用气源柜及PECVD设备。PECVD设备用气源柜，包括：柜体和储气装置，所述柜体上设置有进气口和出气口，所述储气装置与所述进气口连通。通过储气装置与柜体的进气口连通，储气装置能够通过进气口进入到柜体中，而柜体的出气口将连通PECVD设备中炉体，从而使储气装置输出的气体通过柜体注入到炉体中，避免炉体中的有害气体从进口泄漏到外部环境中而造成污染环境，实现通过PECVD设备用气源柜降低PECVD设备污染程度并提高PECVD设备的安全性。
pecvd 备用气源柜设备

[实用新型]用于PECVD设备的配套供应系统-CN202022452258.9有效
发明人：左国军;梁建军;柳昆鹏 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于PECVD设备的配套供应系统，用于PECVD设备的配套供应系统包括循环水管路系统，循环水管路系统包括：进水管路装置，进水管路装置与腔体和/或设备组件连通；出水管路装置，出水管路装置与腔体和/或设备组件连通；其中，进水管路装置能够将冷却水输入腔体和/或设备组件以实现对PECVD设备的冷却降温功能。本实用新型的技术方案中，由于进水管路装置能够向PECVD设备的腔体和/或设备组件内输入冷却水，这样能够对PECVD设备进行整体地冷却降温，从而使得PECVD设备中需要降温的腔体和/或设备组件得到良好的降温，避免了PECVD设备超温工作而发生运行故障的问题，进而确保PECVD设备能够正常地工作。
用于 pecvd 设备配套供应系统

[发明专利]PECVD镀膜系统和镀膜方法-CN202110139691.3有效
发明人：宗坚 -专利权人：江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明提供一PECVD镀膜系统和镀膜方法，其中所述镀膜方法中通过一PECVD镀膜设备在一基体的表面沉积形成有机疏水膜，在沉积镀膜时，包括步骤：(A)通过所述PECVD镀膜设备的一ICP发生器为所述PECVD镀膜设备的一反应腔体提供电感耦合电场以形成耦合磁场；和(B)通过所述PECVD镀膜设备的一偏压电源为所述反应腔体提供偏压电场。
pecvd 镀膜系统方法

[发明专利]全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统-CN200910011028.4无效
发明人：赵科新;赵崇凌;李士军;洪克超;段鑫阳;张振厚;张冬;张健;徐宝利;钟福强;奚建平;高振国;崔秀伟 -专利权人：中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池片薄膜制备装置，具体地说是一种多腔室在真空条件下连续工作的全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统，包括自动传输装载台、预热室、PECVD室、冷却室及自动传输卸载台，其中预热室、PECVD室及冷却室依次安装在台架上，自动传输装载台与预热室相连，自动传输卸载台与冷却室相连；预热室、PECVD室及冷却室分别通过气体管路连接有真空抽气系统。本发明采用组合式多腔室在真空条件下工作的全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统，在工作的情况下，同样能够达到管式PECVD和进口平板式PECVD的技术指标。
全自动大型平板 pecvd 氮化硅覆膜制备系统

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