专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种Memory模块的验证方法及系统-CN201510390857.3有效
  • 张明懿 - 福州瑞芯微电子股份有限公司
  • 2015-07-07 - 2017-07-11 - G06F11/26
  • 本发明提供一种Memory模块的验证方法,所述方法1、在单个Memory模块或组合的Memory模块外包一层Wrapper,实现在IC芯片各个工艺库下Memory模块对外接口的一致性;2、对每个Memory模块的Wrapper前级产生激励信号;3、对每个Memory模块的Wrapper后级进行数据采集,采集在各种激励信号情况下产生的Memory数据;4、对Memory数据进行行为分析,判断是否符合所需的预期值,是,发出通过的信号;否,发出失败的信号,并给出Memory模块错误的类型与地址。本发明的Memory的集成和功能性的验证的完备性可以得到最大的提升,尤其是write mask和多个Memory整合的错误可以被发现。
  • 一种memory模块验证方法系统
  • [发明专利]三维集成电路系统的抗静电放电方法-CN201811630154.3在审
  • 俞大立;柳雅琳 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2018-12-29 - 2020-07-07 - H01L25/18
  • 本发明提供一种三维集成电路系统的抗静电放电方法,提供SOC芯片和Memory芯片,所述SOC芯片和Memory芯片通过硅通孔或混合键合技术实现三维堆叠,系统的若干引脚于SOC芯片端引出,将位于Memory芯片端的Memory芯片静电放电主通路电源引入到SOC芯片端,并通过电源中断单元连接至SOC芯片静电放电主通路电源,缩短Memory芯片抗静电放电处理路径;或者系统的若干引脚于Memory芯片端引出,将位于SOC芯片端的SOC芯片静电放电主通路电源引入到Memory芯片端,并通过电源中断单元连接至Memory芯片静电放电主通路电源,缩短SOC芯片抗静电放电处理路径。
  • 三维集成电路系统抗静电放电方法
  • [发明专利]存储器装置与其编程方法-CN201910409284.2有效
  • 刘亦峻 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2019-05-16 - 2022-07-19 - G11C16/12
  • 本发明公开了一种存储器装置与其编程方法,该存储器装置(memory device)包括存储单元阵列(memory cell array)和存储器控制器(memory controller)。存储单元阵列包括多个存储区块(memory blocks)。各这些存储区块包括多条字线(Word lines)。多个记忆块(memory chunks)耦接到这些字线的至少其中之一。存储器控制器架构成通过执行块操作(chunk operation)将数据编程至多个记忆块的特定记忆块(particular memory chunk),该块操作包括从多条字线中选择特定字线(particularword line),从耦接到特定字线的多个记忆块中选择特定记忆块,并将编程电压施加到对应于特定记忆块的特定存储区块(particular memory block),以将数据编程到特定记忆块。
  • 存储器装置与其编程方法
  • [发明专利]一种向SD memory卡读写私有数据的方法-CN201010570211.0有效
  • 胡荣英;陈官学 - 国民技术股份有限公司
  • 2010-12-02 - 2012-06-06 - G06K17/00
  • 本发明涉及一种向SD memory卡读写私有数据的方法,包括:在SD memory卡中建立私有数据读、写文件,将私有数据读文件的地址保存到SD memory卡的存储空间并常驻内存,所述私有数据读、写文件的FAT表可写、目录可写、数据区可写;写私有数据时SD memory卡判断SD标准写命令中是否有私有数据写标识符,若有则执行私有数据写操作;读私有数据时SD memory卡判断SD标准读命令的地址是否与自身保存的私有数据读文件的地址相匹配使用本发明的向SD memory卡读写私有数据的方法,可以在SD memory卡量产时建立的读文件文件在被删除之后、被编辑之后或SD memory卡被格式化之后还能够实现私有数据的读写。
  • 一种sdmemory读写私有数据方法
  • [发明专利]一种多窗口串行的图像锐化方法-CN202010874515.X有效
  • 胡雪梅 - 瑞芯微电子股份有限公司
  • 2020-08-27 - 2023-09-29 - G06T5/00
  • 本发明提供了图像处理技术领域的一种多窗口串行的图像锐化方法,包括如下步骤:步骤S10、设定一大小为a列×b行像素的分块尺寸,基于所述分块尺寸将待锐化的图像进行分块,生成若干块原始图像;步骤S20、分别创建大小均等于所述分块尺寸的一第一memory、一第二memory、一第三memory以及一第四memory;步骤S30、设定一一级滤波器、一二级滤波器以及一三级滤波器;步骤S40、利用所述一级滤波器、二级滤波器、三级滤波器、第一memory、第二memory、第三memory以及第四memory分别对各原始图像进行轮转锐化,输出三级锐化图像;步骤S50、将所述三级锐化图像叠加至原始图像上,完成图像的锐化。
  • 一种窗口串行图像锐化方法

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