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[发明专利]一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法-CN202211078007.6在审
发明人：谭新;李拴;王举亮;代同光 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种LPCVD石英舟的饱和清洗方法，所述饱和清洗方法包括：对使用次数到达清洗阈值区间的LPCVD石英舟进行碱洗，并根据LPCVD石英舟是使用次数控制碱洗时长；对碱洗后的LPCVD石英舟进行水洗处理；对水洗后的LPCVD石英舟进行干燥处理；对干燥后的LPCVD石英舟进行饱和处理；对饱和后的LPCVD石英舟进行冷却处理。本发明通过根据使用次数对达到使用次数清洗阈值区间的LPCVD石英舟进行不同程度的碱洗以及水洗、干燥、饱和冷却处理，从而降低了LPCVD石英舟受应力隐裂风险以及清洗过程中被化学品腐蚀的风险，提高石英舟使用寿命
一种 lpcvd 石英饱和清洗方法

[实用新型]一种改造后的LPCVD反应室-CN202122065570.7有效
发明人：周进 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种改造后的LPCVD反应室，包括固定底座、设置在所述固定底座上方的LPCVD炉管管体、以及设置在所述固定底座和LPCVD炉管管体之间的保护单元；其中，所述固定底座的顶部内侧具有向下凹进的第一容纳部本实用新型提供的改造后的LPCVD反应室，能够保证所述LPCVD炉管管体在发生偏移后，所述LPCVD炉管管体和所述固定底座之间不发生碰撞，且在对设备进行抽真空时，所述保护单元能够保证所述LPCVD炉管管体在下压时不与所述固定底座接触而导致所述LPCVD炉管管体破裂。确保LPCVD设备后续工作进行。
一种改造 lpcvd 反应

[实用新型]一种具有稳定气流作用的LPCVD石英管结构-CN202123349539.2有效
发明人：薛治祥;张晓仪;施嘉颖;龚雨桃 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型一种具有稳定气流作用的LPCVD石英管结构，包括LPCVD石英管，以及石英连接件。LPCVD石英管石英管内径150～250mm,长度2000～2500mm；LPCVD石英管进气端，在石英舟前方设置石英内套管；石英内套管通过石英连接件与LPCVD石英管内壁连接；石英连接件与LPCVD石英管内壁连成一体；LPCVD石英管与石英内套管之间设置间隙；石英内套管长度为200～500mm。本实用新型在一根LPCVD石英管内设置一段石英内套管，即局部是双层管或准双层管，减少石英舟前端的假片，节约LPCVD石英管反应腔内的空间，提高空间利用率。
一种具有稳定气流作用 lpcvd 石英管结构

[发明专利]一种LPCVD石英舟的清理方法及清理设备-CN202010176079.9在审
发明人：杨楠楠;金井升;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种LPCVD石英舟的清理方法，通过将待清理LPCVD石英舟置入高温炉中；在预设温度下向所述高温炉中通入氯气，使所述LPCVD表面的多晶硅层与所述氯气进行反应；排出废气，得到去除所述多晶硅层的LPCVD石英舟。本发明利用氯气在高温下与硅反应生成气态的四氯化硅的特性，将达到一定使用次数的LPCVD石英舟表面的多晶硅层去除，避免了所述多晶硅层积压过多导致应力提升使所述LPCVD石英舟发生隐裂的问题，大大延长了所述LPCVD石英舟的使用寿命，进而降低了TOPCON电池的生产成本。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的LPCVD石英舟的清理设备。
一种 lpcvd 石英清理方法设备

[发明专利]LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法-CN201510005536.7有效
发明人：丁波;李轶;陈瀚;侯金松 -专利权人：上海微世半导体有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开一种LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，在通入气体时候，依据通入气体的流量和真空度，预测出温度下降的幅度和炉体加温到恒定温度的时间进行前馈加热，这样就能保证在气体通入时炉温恒定，没有波动；并能够精准、实时控制LPCVD炉温度，实现稳定控制LPCVD炉炉温，避免了炉温的波动，实现LPCVD炉的稳定运行，从而保证了LPCVD初始沉积膜的一致性。
lpcvd 初始沉积炉温精确控制方法

[发明专利]一种改善立式LPCVD设备镀膜效果的方法-CN202211214006.X在审
发明人：姬常晓;赵瓛;黄升;袁野;陈庆广 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善立式LPCVD设备镀膜效果的方法，该方法是在利用立式LPCVD设备沉积晶硅薄膜的过程中依次对立式LPCVD设备进行真空捡漏、工艺压强控制、工艺气流场调控、薄膜沉积、工艺管道升压吹扫，通过增加工艺气流场调控环节，改善立式LPCVD设备的薄膜沉积的工艺效果，不仅可以改善立式LPCVD设备的沉积薄膜厚度的均匀性及重复稳定性，也可以改善薄膜沉积工艺的颗粒度。因此，本发明方法，能够最大限度的弥补国产立式LPCVD设备自身硬件条件的不足，并使得沉积的晶硅薄膜厚度均匀性、重复稳定性和工艺颗粒度满足用户要求，对于推广国产设备产业化应用具有重要意义。
一种改善立式 lpcvd 设备镀膜效果方法

[发明专利]卧式LPCVD工艺炉和方法-CN202211726918.5在审
发明人：尚海波;汪祖一 -专利权人：上海合晶硅材料股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及卧式LPCVD工艺炉和方法，LPCVD工艺炉中包括悬臂和弥散管，所述的弥散管具有一个或多个竖管部，竖管部上开设有出气孔，竖管部被设置在悬臂放置晶舟位置的两侧；LPCVD方法为在该卧式LPCVD本申请的有益效果在于实现了在卧式LPCVD工艺炉内放置立式晶舟进行气相化学沉积，从而同时兼具了卧式工艺炉和立式工艺炉的优点，减少了晶片崩边、碎片情况的发生。
卧式 lpcvd 工艺方法

[实用新型]卧式LPCVD工艺炉-CN202223592365.7有效
发明人：尚海波;汪祖一 -专利权人：上海合晶硅材料股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及卧式LPCVD工艺炉，LPCVD工艺炉中包括悬臂和弥散管，所述的弥散管具有一个或多个竖管部，竖管部上开设有出气孔，竖管部被设置在悬臂放置晶舟位置的两侧；LPCVD方法为在该卧式LPCVD工艺炉的悬臂上本申请的有益效果在于实现了在卧式LPCVD工艺炉内放置立式晶舟进行气相化学沉积，从而同时兼具了卧式工艺炉和立式工艺炉的优点，减少了晶片崩边、碎片情况的发生。
卧式 lpcvd 工艺

[发明专利]LPCVD工艺设备-CN201410098489.0在审
发明人：林敏伟;张凌越;范洁修 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种LPCVD工艺设备，所述LPCVD工艺设备包括：反应腔室及位于所述反应腔室底部的歧管，所述歧管外设置有冷却装置。在本发明提供的LPCVD工艺设备中，通过在歧管外设置冷却装置以降低反应腔室底部的温度，从而减少LPCVD HTO工艺中的氯气浓度，进而能够得到质量高、平整性好的DCS-HTO薄膜（氧化硅层）。
lpcvd 工艺设备

[发明专利]一种氮化硅薄膜的生成装置及方法-CN200910092851.2有效
发明人：徐威;黄辛庭;秦正健 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-09-09 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅薄膜的生成装置及方法，其中装置包括：用于通入DCS气体的第一管路、用于通入NH3的第二管路、与第一管路连通的第三管路以及LPCVD反应腔；第一管路和第二管路分别与LPCVD反应腔相连，第三管路用于在停止向LPCVD反应腔中通入DCS气体后，向第一管路中通入能够将第一管路中残留的DCS气体排出至LPCVD反应腔的第一气体。本发明提供的氮化硅薄膜的生成装置及方法，能够在LPCVD反应结束后，及时将第一管路中残留的DCS气体排出，避免了第一管路中残留的DCS气体冷凝进入LPCVD反应腔，形成颗粒附着在晶圆表面的问题，保证了晶圆表面氮化硅薄膜的生成质量
一种氮化薄膜生成装置方法

[发明专利]LPCVD设备的温控时滞系统自校正方法与装置-CN201310503909.4有效
发明人：王峰;王健;孙少东 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LPCVD设备的温控时滞系统自校正方法，包括：对LPCVD设备各个温控区建立包含时滞误差的PID控制模型；建立包含权重系数的比例，积分，微分控制项的自校正调节项模型，并确定已建立的权重系数取值范围；建立监督控制项，用于加强LPCVD设备的温控时滞系统的稳定性。同时，本发明也公开了一种LPCVD设备的温控时滞系统自校正装置，包括：控制模型模块，用于建立LPCVD设备各个温控区的包含时滞误差的PID控制模型；权重PID控制模型模块，用于建立包含处理大时滞环节权重系数的比例，积分，微分控制项模型，并确定已建立的权值系数取值范围；监督模块，用于加强LPCVD设备的温控时滞系统的稳定性。
lpcvd 设备温控系统校正方法装置

[发明专利]一种波导型锗探测器集成工艺方法及波导型锗探测器-CN202310339887.6在审
发明人：范智斌 -专利权人：苏州希卓科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种波导型锗探测器集成工艺方法，硅片热氧化后，利用LPCVD沉积氮化硅，并制作氮化硅波导，再通过选择性锗外延工艺直接在硅片上外延锗，完成氮化硅波导和锗探测器集成。本发明通过在LPCVD氮化硅层中开窗暴露硅衬底和实现锗外延，解决了先锗外延、后LPCVD氮化硅制程产生的锗外延不耐受LPCVD氮化硅高温的问题。采用LPCVD工艺制备的氮化硅具有更低的光损耗，结合氮化硅开窗后的选择性外延锗方法，能够制备高性能的集成氮化硅波导的有源器件。
一种波导探测器集成工艺方法

[实用新型]一种LPCVD晶舟旋转装置-CN202122065555.2有效
发明人：周进 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LPCVD晶舟旋转装置；包括LPCVD晶舟旋转控制器和盖板，其中，所述盖板靠近所述LPCVD晶舟旋转控制器的其中一侧；还包括靠近所述LPCVD晶舟旋转控制器设置的冷却装置，所述冷却装置设置在所述盖板上，且位于所述盖板面向所述LPCVD晶舟旋转控制器的一侧。
一种 lpcvd 旋转装置

[发明专利]一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺-CN201110217318.1有效
发明人：郭良权;吴晓鸫;郑若成;洪根深 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺，其包括如下步骤：a、提供圆片，并放入LPCVD炉管内；b、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2与NH3，以在圆片上生长初始膜层；c、向LPCVD炉管内通入反应气体SiCl2H2及NH3，使LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，圆片的初始膜层上生长中间膜层；d、保持LPCVD炉管内反应气体SiCl2H2与NH3体积比为1：10，在上述圆片的中间膜层上生长顶层膜层；e、向LPCVD炉管内继续通入NH3气体，并停止向通入SiCl2H2，使LPCVD炉管内的SiCl2H2充分反应，得到圆片上所需的氮化硅层。
一种 sonos 结构氮化生长工艺

[发明专利]高效率非晶硅光伏器件-CN201080041573.9无效
发明人： D·博雷洛;E·瓦拉特-绍瓦因;J·拜拉特;U·克罗尔;J·迈尔;S·贝纳格利;M·马梅洛;G·蒙特杜罗;J·赫策尔;J·施泰因豪泽;C·卢西 -专利权人：欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫)
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：所述电池包括抗反射涂层以及掺杂的LPCVD ZnO正面与背面接触，其中，所述掺杂的LPCVD ZnO正面与背面接触是由大型粒状物所构成的多晶膜，所述大型粒状物的末端在生长表面呈现为角锥。所述方法包括：通过LPCVD沉积所述正面接触；通过等离子体增强化学气相沉积来沉积所述p-i-n太阳能电池的硅层；通过LPCVD沉积所述背面接触；提供所述抗反射涂层。
高效率非晶硅光伏器件

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