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[发明专利]掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法-CN201210203837.7有效
发明人：郑新和;李雪飞;张东炎;吴渊渊;陆书龙;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第一GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs本发明还提供一种上述掺杂超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上依次生长第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，且第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。
掺杂晶格结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法-CN201710235790.5有效
发明人：吕红亮;赵曼丽;赵小红;张义门;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法。该InP/InGaAs异质结构包括N+‑InP衬底、N‑InP层、P+‑InGaAs层、P+‑InGaAs欧姆接触层和两个欧姆接触电极，N+‑InP衬底、N‑InP层、P+‑InGaAs层和PInGaAs层共同构成InP/InGaAs异质结外延层，P+‑InGaAs欧姆接触层生长于P+‑InGaAs层的顶部。本发明的InP/InGaAs异质结构在一定反向偏压下，耗尽层宽度不至于完全耗尽，从而耗尽层宽度增加使得结电容减小，进而满足深能级瞬态谱测试要求。
一种基于能级瞬态测试 inp ingaas 结构及其制备方法

[发明专利]生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法-CN201610966099.X在审
发明人：李国强;张曙光;王凯诚 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。本发明还公开了上述n‑InGaAs薄膜的制备方法。本发明的n‑InGaAs薄膜的Si掺杂剂在薄膜中呈现脉冲式分布，有效地抑制Si的自补偿效应，提高掺杂效率、电子迁移率及晶体质量。
生长 gaas 衬底 ingaas 薄膜及其制备方法

[发明专利]基于量子点超晶格结构的太阳能电池及其制备方法-CN201410664646.X在审
发明人：卢建娅;陈曦;郑新和;王乃明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于量子点超晶格结构的太阳能电池，包括有源区，该有源区包括第一i-GaAs层、第一GaNAs/InGaAs超晶格结构、第二InGaAs超晶格结构、第二i-GaAs层，其中第二InGaAs超晶格结构设于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面。第一i-GaAs层与第二i-GaAs层厚度相同，第一GaNAs/InGaAs超晶格结构与第二InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同，第二InGaAs超晶格结构中掺入量子点，且其InGaAs层中掺杂其他元素
基于量子晶格结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]InGaAs探测器芯片及其制备方法-CN201811607949.2有效
发明人：黄寓洋 -专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs探测器芯片及其制备方法，所述InGaAs探测器芯片依次包括衬底、N型半导体层、吸收层、及P型半导体层，所述N型半导体层为n+掺杂的InP层，P型半导体层为p+掺杂的InP层，吸收层包括p+掺杂的P型InGaAs吸收层和n+掺杂的N型InGaAs吸收层，P型InGaAs吸收层与P型半导体层相邻，N型InGaAs吸收层与N型半导体层相邻，所述P型InGaAs吸收层的厚度小于N型InGaAs吸收层的厚度，P型InGaAs吸收层的掺杂浓度大于N型InGaAs吸收层的掺杂浓度。本发明通过优化吸收层的厚度及掺杂，采用高低掺杂的两层InGaAs吸收层，可以增大PN结的结电容，在不影响芯片响应速度的情况下，大大提高了探测器芯片的抗静电能力，保证了芯片的可靠性。
ingaas 探测器芯片及其制备方法

[实用新型]生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜-CN201621186039.8有效
发明人：李国强;张曙光;王凯诚 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。本实用新型的n‑InGaAs薄膜的Si掺杂剂在薄膜中呈现脉冲式分布，有效地抑制Si的自补偿效应，提高掺杂效率、电子迁移率及晶体质量。
生长 gaas 衬底 ingaas 薄膜

[发明专利]InGaAs/Si外延材料的制备方法-CN201810018868.2在审
发明人：王俊;尹海鹰;胡海洋;杨泽园;成卓;黄永清;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种InGaAs/Si外延材料的制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底上制作InGaAs低温成核层，所述InGaAs低温成核层的温度为410～430℃，利用MOCVD方法制作；在所述InGaAs低温成核层上制作InGaAs高温外延层，以完成对InGaAs/Si外延材料的制备，所述InGaAs高温外延层利用MOCVD方法制作。本发明提供的InGaAs/Si外延材料的制备方法，通过设置采用MOCVD方法先制成低温成核层，再制成高温外延层，仅用以上两步完成对InGaAs/Si外延材料的制备，具有成本低，更适合产业化的需求的有益之处，相较于现有技术中采用MBE生长InxGa1‑xAs等缓冲层，使用超晶格位错阻挡层以及选区外延等方法，本发明采用MOCVD仅用两步完成InGaAs/Si材料的制备，使得本发明的制备方法工艺简单，适合于大批量生长
制备外延材料低温成核层外延层制作制备方法工艺单晶硅位错阻挡层选区外延生长产业化超晶格缓冲层衬底

[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体管-CN201810587096.4在审
发明人：杨秋旻;张杨;曾一平 -专利权人：中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种赝配高电子迁移率晶体管的外延材料，选用半绝缘GaAs作为衬底层，在所述衬底层上依次逐层生长GaAs缓冲层、AlGaAs/GaAs超晶格层、未掺杂的AlGaAs层、第一掺杂层、第一AlGaAs隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二掺杂层、AlGaAs势垒层、掺杂帽层，InGaAs沟道层包括依次逐层生长的第一InGaAs沟道层、第二InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层，第一InGaAs沟道层和第三InGaAs沟道层中的In组分均小于第二InGaAs沟道层中的In组分。本发明能够减少电子迁移率受界面散射的影响和降低中间InGaAs沟道层中由于晶格失配而产生晶体缺陷的风险。本发明还提供了一种具有上述外延材料的赝配高电子迁移率晶体管。
沟道层赝配高电子迁移率晶体管外延材料掺杂层衬底层隔离层电子迁移率超晶格层晶格失配晶体缺陷半绝缘势垒层未掺杂散射生长帽层掺杂

[发明专利]共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法-CN201810488345.4有效
发明人：张翠;丁庆;杨旻蔚;孙竹;许奔 -专利权人：雄安华讯方舟科技有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在衬底上依次层叠沉积的第一重掺杂InGaAs层、InP层、第一AlAs势垒层、InGaAs势阱层、第二AlAs势垒层和第二重掺杂InGaAs层；在所述第二重掺杂InGaAs层上沉积金属图形，形成第二欧姆接触；在金属图形以外的区域，先用可刻蚀InGaAs材料和AlAs材料、但不刻蚀InP材料的第一刻蚀液从第二重掺杂InGaAs层刻蚀至InP层，再用可刻蚀InP材料、但不刻蚀InGaAs材料和AlAs材料的第二刻蚀液刻蚀至第一重掺杂InGaAs层；在经刻蚀处理后的第一重掺杂InGaAs层上沉积金属形成第一欧姆接触。
共振二极管结构制备方法

[发明专利]一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202110815592.2有效
发明人：陈树鹏;刘红侠;王树龙;张浩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括P+GaAsSb源区、i‑InGaAs第一抑制层、i‑InGaAs第二抑制层、n+InGaAs第一漏区、n+InGaAs第二漏区、i‑InGaAs隧穿层、栅极介质层和凹型栅极；P+GaAsSb源区远离i‑InGaAs隧穿层的一侧设置有源极，n+InGaAs第一漏区设置有第一漏极，n+InGaAs第二漏区上设置有第二漏极。本发明通过引入凹型栅结构、隧穿层、抑制层、高k栅极介质以及GaAsSb/InGaAs异质结，提高了晶体管开态电流，降低了晶体管亚阈值摆幅与工作电压，可用于超低功耗集成电路器件。
一种基于准断带异质结性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]具有超晶格结构的太阳能电池及其制备方法-CN201210203843.2有效
发明人：郑新和;李雪飞;张东炎;吴渊渊;陆书龙;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超晶格结构的太阳能电池，包括第一GaAs层和有源区，所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上，所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构，所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面，且所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同。本发明还提供一种如上述具有超晶格结构的太阳能电池的制备方法，在第一GaAs层的裸露表面上生长两种GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区，所述两种GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs
具有晶格结构太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种多结太阳能电池及制造方法-CN202110849429.8在审
发明人：李俊承;白继锋;徐培强;潘彬;王向武;熊珊 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明提出一种多结太阳能电池及制造方法，包括：Ge基板，作为基电池；GaAs光栅结构，设置于Ge基板的一端，是通过全息曝光形成的反射镜结构；InGaAs铺垫层，覆盖GaAs光栅结构；InGaAs中电池，设置于InGaAs铺垫层另一端；InGaP顶电池，设置于InGaAs中电池另一端；电极，设置于InGaP顶电池的另一端；减反射膜，覆盖于InGaP顶电池的电极所在端面，且覆盖着电极之外的区域；其中，InGaAs铺垫层与InGaAs中电池的连接，以及InGaAs中电池与InGaP顶电池的连接均通过隧穿结进行连接。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点及其制备方法-CN201710057826.5在审
发明人：李国强;张曙光;温雷;高芳亮;徐珍珠 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，由下至上依次包括GaAs(115)A衬底、InGaAs量子点层、GaAs盖层、In纳米结构层和石墨烯覆盖层。本发明还公开了上述生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点的制备方法。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InGaAs量子点，极大提高了InGaAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InGaAs量子点的有效方法。
生长 gaas 衬底 ingaas 量子及其制备方法

[发明专利]InGaAs红外相机及控制方法-CN201711115126.3在审
发明人：金鹏;尹传祥;张昔峰;常宏 -专利权人：合肥美亚光电技术股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种InGaAs红外相机及控制方法。InGaAs红外相机包括InGaAs红外传感器；温度调节单元，用于调节InGaAs红外传感器的温度；镜头，所述镜头正对InGaAs红外传感器；信号处理与控制电路，信号处理与控制电路分别与InGaAs红外传感器和温度调节单元相连，信号处理与控制电路预存有对应于多个温度的光谱响应曲线，用于根据接收到的温度调节指令控制温度调节单元调节InGaAs红外传感器的温度至目标温度，以使对应于目标温度的InGaAs红外传感器的光谱响应曲线在目标温度下保持稳定本发明的红外相机可以改变InGaAs红外传感器的光谱响应范围，使红外相机的光谱响应曲线在某个特定温度下保持稳定，提高物料识别的广度以及提高物料识别的成功率。
ingaas 红外相机控制方法

[发明专利]一种基于InGaAs材料的光电探测器及其制造方法-CN201910816576.8在审
发明人：徐之韬;王丹;王权兵;王任凡 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于InGaAs材料的光电探测器及其制造方法，该光电探测器外延结构从下至上依次包括：衬底、InP缓冲层、N⁺‑InGaAs接触层、N型InP、InGaAsP带隙过渡层、InGaAs本征吸收层、P型掺杂渐变InGaAs光窗层，其中：P型掺杂渐变InGaAs光窗层中掺杂InGaAs材料的浓度逐渐改变，在N型InP层经N⁺‑InGaAs接触层引出N型欧姆电极，在P型掺杂渐变InGaAs光窗层引出P型欧姆电极。本发明实施例提供的一种光电探测器及其制造方法，光窗采用掺杂渐变的InGaAs材料作为P区结构，该结构能够在P区建立扩散自建电场，自建电场有效地克服了光生载流子的自吸收问题，从而有效提高光电探测器的量子效率和响应速度
光电探测器渐变光窗电场掺杂制造高速通信系统本征吸收层光生载流子传输需求量子效率外延结构过渡层有效地自吸收衬底带隙扩散响应

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