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[发明专利]Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法-CN201511015761.5有效
发明人：汪昌州;刘东方;张伟;杨康 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。通过磁控交替溅射方法将相变材料GeTe和非相变材料Si在纳米量级进行复合形成多层相变薄膜结构，由于热稳定性的Si材料存在，Si/GeTe纳米复合多层薄膜能有效的提高相变薄膜材料的结晶温度，拓宽了相变材料的温度适用范围随着周期单元中Si层厚度的增加，纳米复合多层薄膜的结晶温度也随之增加，因此，可以通过对Si层和GeTe层厚度比的调控，调节Si/GeTe纳米复合多层薄膜的结晶温度，从而达到改善相变薄膜热稳定性的目的。
si gete 纳米复合多层相变薄膜存储器及其制备方法

[发明专利]一种GeTe₄相变记忆元件及制备方法-CN201210235824.8无效
发明人：李润;夏奕东;唐时宇;殷江;刘治国 -专利权人：南京大学
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种GeTe4相变记忆元件，选用GeTe4薄膜为相变记忆存储材料，所述GeTe4薄膜在室温下为非晶态；相变记忆元件的基本构型为三层结构，最上面一层为顶电极膜（1），中间一层为GeTe4薄膜（2），下面一层为底电极膜（3），由顶电极膜（1）和底电极膜（3）分别接出用铜丝或金丝制成引线；GeTe4薄膜（2）厚120±30纳米；三层结构制备相变记忆元件沉积在衬底（5）上。针对相变记忆存储器的发展，提供一种新型相变记忆材料GeTe4薄膜及其制备方法，得到GeTe4相变记忆元件。
一种 gete sub 相变记忆元件制备方法

[发明专利]α相GeTe宽光谱红外探测器及其制备方法-CN201911011259.5在审
发明人：唐利斌;赵逸群;杨盛谊;彭廷海;舒恂 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：α相GeTe宽光谱红外探测器及其制备方法，属于光电子技术领域，尤其是一种薄膜宽光谱红外探测器。本发明α相GeTe宽光谱红外光电探测器，从下往上分别是基底、α相GeTe光敏层和金属电极层，制备过程包括基底清洗、α相GeTe薄膜溅射、GeTe退火、电极蒸镀过程。同时，GeTe作为相变材料，已成为下一代存储和计算的关键材料。
宽光谱红外探测器薄膜光电子技术领域红外光电探测器退火金属电极层关键材料红外探测基底清洗相变材料制备过程电极光敏层探测率响应度基底溅射蒸镀制备存储应用

[发明专利]一种用于低功耗相变存储器的GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质-CN201710035000.9有效
发明人：任堃 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明一种用于低功耗相变存储器的GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质。GeTe/Bi2Te3超晶格结构存储介质包含至少一个Bi2Te3层和GeTe材料层叠放单元，相邻单元间Bi2Te3层和GeTe材料层交替排布；Bi2Te3层厚度范围为10～50埃，GeTe层厚度范围为10Bi2Te3/GeTe超晶格结构的应用能更有效降低相变存储器器件功耗。
一种用于功耗相变存储器 gete bi2te3 晶格结构存储介质

[发明专利]一种基于碲化锗相变开关的可重构滤波器-CN202310261175.7在审
发明人：刘明浩;张继华;高莉彬;陈宏伟 -专利权人：重庆邮电大学;电子科技大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明属于滤波器件领域，具体涉及一种基于碲化锗相变开关的可重构滤波器，包括：基板、开关加热电极层、介质隔离层、GeTe层、电极层、背面接地层、滤波器谐振环；基板用于支撑整个器件结构；开关加热电极层嵌入基板特定的凹槽内，用于加热GeTe层使其相变；介质隔离层设置在开关加热电极层与GeTe层之间，用于隔离开关加热电极层与GeTe层；电极层位于GeTe层上方与滤波器谐振环连接，用于固定GeTe层与滤波器谐振环；背面接地层位于基板底部本发明通过加热开关加热电极层改变GeTe相变材料的物理状态，不需要一直外加电压，与一般的MEMS可调滤波器相比具有更快的响应时间、更小的驱动电压脉冲不消耗静态功率。
一种基于碲化锗相变开关可重构滤波器

[发明专利]基于p-GeTe/n-Si光伏型红外探测器及其制备方法-CN202010097961.4在审
发明人：唐利斌;赵逸群;杨盛谊;彭廷海;舒恂 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：基于p‑GeTe/n‑Si光伏型红外探测器及其制备方法，属于红外探测领域，尤其是一种光伏型红外探测器。本发明由n型单晶Si基片、p型GeTe薄膜和两个电极构成；其中p型GeTe薄膜设置在单晶Si基片之上；两个电极其中一个设置在Si基片表面，另一个设置在GeTe薄膜表面。制备过程包括基片清洗、GeTe薄膜溅射、电极蒸镀、退火步骤。本发明具有工艺简单，易于集成，成本低，响应快，探测率高等优点，且可以在室温下工作，在红外探测领域具有重要的应用前景。
基于 gete si 光伏型红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种n型GeTe基热电材料及其制备方法-CN202211326190.7在审
发明人：刘庆丰;王德壮 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供一种n型GeTe基热电材料及其制备方法，涉及热电材料技术领域。所述的n型GeTe基热电材料，具备多层级可控微结构，其化学式为(GeTe)1‑x(AgBiTe2)所述的n型GeTe基热电材料通过AgBiTe2合金化制得，制备步骤包括：将Ge粉、Bi粉、Te粉和Ag粉混合并细化得到原料颗粒，随后将所述原料颗粒真空密封，并依次经过熔融烧结本发明提供的一种n型GeTe基热电材料及其制备方法，能够实现多层级可控微结构设计，具有优异的热电性能，填补了n型GeTe材料的研究空缺，具有良好的应用前景。
一种 gete 热电材料及其制备方法

[发明专利]一种柔性多层复合GeTe/ZnSb相变薄膜材料及其制备方法-CN201811605991.0在审
发明人：胡益丰;张锐;郭璇;徐永康;孙松;朱小芹;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子薄膜材料技术领域，具体涉及一种柔性多层复合GeTe/ZnSb相变薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料由GeTe薄膜层和ZnSb薄膜层交替沉积复合而成，其中GeTe薄膜层的厚度为1‑10nm，ZnSb薄膜层的厚度为1‑10nm，GeTe/ZnSb相变薄膜材料总厚度为40‑60nm。
薄膜层相变薄膜材料制备薄膜材料多层复合微电子薄膜材料相变存储材料交替沉积热稳定性功耗复合

[发明专利]一种二维材料Fe3-CN202110035291.8有效
发明人：黄毅;马素萍;李广浩;李卓 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维材料Fe3GeTe2纳米片的制备方法。；4）离心分级，得到Fe3GeTe2二维纳米片分散液；5）冻干得到Fe3GeTe本发明方法具有以下优点：1）工艺简单，制备周期短；2）可实现宏量制备；3）可制备得到厚度可控的Fe3GeTe2纳米片，3GeTe2纳米片缺陷少，晶体结构保留完整。该方法简便可行，可以极大地推动Fe3GeTe2材料的研究及应用。
一种二维材料 fe base sub

[发明专利]一种GeTe/Sb₂Te₃纳米复合多层相变薄膜及其制备方法-CN200910049851.4无效
发明人：翟继卫;汪昌州;尚飞 -专利权人：同济大学
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种GeTe/Sb₂Te₃纳米复合多层相变薄膜，所述GeTe/Sb₂Te₃纳米复合多层相变薄膜中GeTe本发明的GeTe/Sb₂Te₃纳米复合多层相变薄膜既具有高相变速度又具有高热稳定性，且可有效提高相变存储器的开/关比，更好地保证数据读出的可靠性。
一种 gete sb sub te 纳米复合多层相变薄膜及其制备方法

[发明专利]α-GeTe二维材料及其PVD制备方法和应用-CN202210278701.6在审
发明人：段曦东;李威;吴瑞霞 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种α‑GeTe二维材料的PVD制备方法，将GeTe原料在600‑700℃下加热挥发，并将挥发的原料在含氢气载气、340‑380℃的温度下物理气相沉积在无悬挂键的基底表面，制得α‑GeTe二维材料；所述的含氢气载气为氢气和保护性气氛的混合气，其中，氢气的流量为1‑10sccm，保护性气氛的流量为70～90sccm。本发明技术方案可以二维方式延伸原子级薄的α‑GeTe 2D金属纳米片；首次实现原子级厚度α‑GeTe纳米片的可控制备。
gete 二维材料及其 pvd 制备方法应用

[发明专利]一种基于底部亚微米级电极的超薄GeTe相变存储器及其制备方法-CN202210695023.3在审
发明人：陈益敏;孟英杰;孙磊;王国祥;顾辰杰;沈祥 -专利权人：宁波大学
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于底部亚微米级电极的超薄GeTe相变存储器及其制备方法，特点是包括衬底层，衬底层上设置有黏附层，黏附层上设置有下电极层，下电极层上设置有绝缘层，绝缘层上设置有超薄GeTe相变层，绝缘层中间且位于超薄GeTe相变层的下表面与下电极层的上表面之间嵌设有直径100‑300nm的亚微米级柱状加热电极，超薄GeTe相变层上设置有上电极层，超薄GeTe相变层的直径大于柱状加热电极的直径且小于绝缘层的外径，优点是具有高
一种基于底部微米电极超薄 gete 相变存储器及其制备方法

[发明专利]具有近室温高热电性能的菱形碲化锗基化合物热电材料及其制备-CN201911194682.3有效
发明人：裴艳中;李文;卜中林 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：与现有技术相比，本发明制备的GeTe基热电材料通过在菱方相GeTe中固溶立方相PbTe，利用高晶体结构对称度的PbTe使菱方相GeTe沿[111]方向扭曲的程度发生改变，调节其晶体结构对称度，得到由菱方相GeTe到立方相GeTe不同对称度的材料，基于晶体结构对称度调整使L和∑带发生汇聚，提高能带简并度，进而得到近室温高热电性能的碲化锗基化合物材料。
具有室温热电性能菱形碲化锗基化合物材料及其制备

[发明专利]伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法-CN202010417769.9在审
发明人：骆军;程世文;吴立华;张继业;王晨阳 -专利权人：上海大学
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种伪立方相结构GeTe基热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式为Ge0.90‑xTixSbGeTe基热电材料的制备方法。本发明通过加入Ti元素，并控制其含量，使GeTe基热电材料的晶体结构发生转变，有效地将GeTe基热电材料的室温晶体结构转变为伪立方相结构。本发明提供的伪立方相结构GeTe基热电材料无铅，在室温下存在稳定的伪立方相结构，具有较低的热导率，并在工作温度范围内有良好的热电性能，具有优异的应用前景。
立方结构 gete 热电材料及其制备方法

[发明专利]一种多尺度Ca、Sb共掺杂的GeTe基热电材料的制备方法-CN202311172204.9在审
发明人：刘吉星;邵柏淘;李建峰;张平祥 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多尺度Ca、Sb共掺杂的GeTe基热电材料的制备方法，该方法包括：一、将锗粉、钙粉、碲粉和锑粉进行研磨；二、压制得到Ca、Sb共掺杂Ge‑Te坯体；三、熔炼处理后淬火冷却和退火得到Ca、Sb共掺杂GeTe热电合金；四、经行星球磨和高能球磨得到不同粒径的行星球磨粉末和高能球磨粉末；五、不同粒径的行星球磨粉末、高能球磨粉末与纳米Si/B粉复合进行放电等离子烧结得到多尺度Ca、Sb共掺杂GeTe本发明采用化学共掺杂法调控GeTe热电材料的能带，优化其功率因子，结合采用多尺度粉体复合，大幅降低体系的晶格热导率，进而使GeTe基热电材料的热电优值大幅提升。
一种尺度 ca sb 掺杂 gete 热电材料制备方法

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