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[发明专利]脊状发光二极管-CN201710347986.3在审
发明人：冉文方 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种脊状发光二极管，包括SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge‑Sn合金层、N型Ge‑Sn合金层、P型Ge‑Sn合金层，其中所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；所述脊状Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；所述N型Ge‑Sn合金层和P型Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge‑Sn合金层两侧。本发明利用LRC工艺处理Ge外延层，横向释放Ge外延层的位错缺陷，获得低位错密度的Ge外延层；同时，由于LRC工艺可精确控制晶化区域，Si与Ge之间材料界面特性好，从而提高了器件性能。
发光二极管

[发明专利]一种红外LED及其制备方法-CN201710347362.1有效
发明人：冉文方 -专利权人：湛江通用电气有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外LED及其制备方法，所述制备方法包括：选取单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底上生长Ge外延层；利用激光再晶化工艺处理包括所述单晶Si衬底、所述Ge外延层的整个材料，得到晶化Ge层；对所述晶化Ge层掺杂形成P型晶化Ge层；在所述P型晶化Ge层上生长第一Ge阻挡层；在所述第一Ge阻挡层上生长GeSn层；在所述GeSn层上生长第二Ge阻挡层；在所述第二Ge阻挡层上生长Ge层并掺杂形成N型Ge层；在所述P型晶化Ge层及所述N型Ge层上分别引出电极。
一种红外 led 及其制备方法

[发明专利]Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法-CN201710371220.9有效
发明人：欧欣;张润春;龚谦;游天桂;黄凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法，所述Ge复合衬底的制备方法包括：提供Ge衬底，且所述Ge衬底具有注入面，其中，所述Ge衬底为具有斜切角度的Ge衬底；于所述注入面进行离子注入，以在所述Ge衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，将所述Ge衬底与所述支撑衬底键合；沿所述缺陷层剥离部分所述Ge衬底，使所述Ge衬底的一部分转移至所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成Ge薄膜，获得Ge复合衬底通过上述方案，解决了在Si基衬底上直接生长III‑V族外延层困难、在Ge衬底上外延生长III‑V族外延层反相畴难抑制以及Ge与Si基材料等集成难的问题。
ge 复合衬底外延结构及其制备方法

[发明专利]Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法-CN201611247544.3在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池及其制备方法，其中，所述制备方法包括：选取Si衬底，在所述Si衬底上生长Ge外延层形成Ge/Si衬底；在所述Ge/Si衬底表面形成SiO2氧化层；用激光再晶化工艺使所述Ge外延层晶化并刻蚀所述SiO2氧化层；在所述Ge外延层上制备GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池层；制备接触电极以完成Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池的制备；本发明中所述Ge/Si衬底是由磁控溅射经两步法形成薄的Ge外延层，再用激光再晶化工艺使Ge横向结晶生长，可有效降低Ge/Si衬底的位错密度。同时，Si衬底上Ge薄膜厚度也较前述常见方法更薄，从而更有利于光的透过。因此，通过本发明制备的高质量的Ge/Si衬底的GaInP/GaAs/Ge三结太阳能电池将获得更高的光电转化效率。
衬底制备三结太阳能电池外延层晶化激光光电转化效率衬底表面磁控溅射横向结晶接触电极生长两步法刻蚀位错薄膜

[实用新型]脊状发光二极管-CN201720544793.2有效
发明人：张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脊状发光二极管，包括SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge‑Sn合金层、N型Ge‑Sn合金层、P型Ge‑Sn合金层，其中所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；所述脊状Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；所述N型Ge‑Sn合金层和P型Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge‑Sn合金层两侧。
发光二极管

[发明专利]连接交换机与接入点AP的适配器和网络通信系统-CN201510622423.1有效
发明人：陈培枝;李明纬 -专利权人：北京星网锐捷网络技术有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H04L12/02 文献下载
摘要：所述适配器包括：至少两个千兆以太网接口GE、以及至少一个n GE，其中，n GE包括2.5GE、5GE或10GE，所述适配器的n GE用于与所述交换机的n GE连接；所述适配器的GE用于与所述AP的GE本发明能够使用多个GE的AP，实现多GE的AP与交换机的链接，进而提高AP的上链带宽。
连接交换机接入 ap 适配器网络通信系统

[发明专利]一种提高剥离Si基和SOI基Ge薄膜质量的方法-CN201910939228.X有效
发明人：柯少颖;陈松岩;黄东林;周锦荣 -专利权人：闽南师范大学;厦门大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高Si基和SOI基剥离Ge薄膜质量的方法。该方法为将Si片、SOI片和Ge片经表面处理后，在Si片、SOI片上溅射a‑Ge薄膜，然后将Ge片分别与溅射有a‑Ge薄膜的Si片和SOI片贴合在一起；经低温短时间热压键合和分步骤短时间退火，实现Si基、SOI基Ge薄膜的剥离；将剥离后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用手动化学机械抛光对Ge薄膜的剥离表面进行抛光；抛光后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用小功率RIE刻蚀技术对Ge薄膜表面的离子注入损伤层进行刻蚀，以获得高质量的Si基和SOI基剥离Ge薄膜。
一种提高剥离 si soi ge 薄膜质量方法

[实用新型]GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池-CN201621473395.8有效
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，所述GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池包括Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池层、接触层、减反膜，其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。本实用新型实施例采用LRC工艺制备GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池，采用LRC技术制备的Ge晶体制备Ge外延层，可以制备出很薄的Ge外延层，并且质量较高、热预算低。且LRC使Ge横向结晶生长，从而减少由于晶格失配引起的位错，制备出具有品质优良的Ge/Si衬底的GaInP2/GaAs/Ge三结太阳能电池。
gainp2 gaas ge 太阳能电池

[发明专利]激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法-CN201611250913.4在审
发明人：尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池及其制作方法，包括：(a)制备衬底层，所述衬底层材料为单晶硅；(b)利用磁控溅射法在所述衬底层上用两步法工艺生长Ge外延层，所述衬底层和所述Ge外延层构成Ge/Si衬底；(c)利用CVD方法在所述Ge外延层上形成氧化层；(d)采用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(e)刻蚀清除所有所述氧化层；(f)在所述Ge/Si衬底上制备Ge/GaAs双结太阳能电池层；(g)在所述太阳能电池层上制备接触层和反射膜层，最终形成所述Ge/GaAs双结太阳能电池。本发明激光辅助晶化Ge/Si衬底上Ge/GaAs双结太阳能电池的制作方法通过连续激光辅助晶化Ge/Si衬底，可有效降低Ge/Si衬底的位错密度，利于获得高质量Ge/Si衬底Ge/GaAs双结太阳能电池，
衬底双结太阳能电池晶化衬底层外延层激光辅助制备太阳能电池层氧化层制作磁控溅射法两步法工艺单晶硅反射膜层连续激光电转化接触层刻蚀位错生长

[发明专利]一种基于无线传输的硅基肖特基二极管及整流电路-CN201811620029.4在审
发明人：刘奕晨;李薇 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无线传输的硅基肖特基二极管及整流电路，硅基肖特基二极管包括：Si衬底、第一Ge层、第二Ge层、SiGe/Ge应变超晶格插层、第一N型张应变Ge层、第二N型张应变Ge层、铝Al金属层和钨W金属层，第一Ge层设置在Si衬底的表面；第二Ge层设置在第一Ge层的表面；SiGe/Ge应变超晶格插层设置在第二Ge层的表面；第一N型张应变Ge层设置在第二Ge层的表面；第二N型张应变Ge层内嵌在第一N型张应变Ge层中；Al金属层设置在第二N型张应变Ge层的表面上；W金属层设置在第一N型张应变Ge层的表面的预设的肖特基接触指定区域内。
张应变肖特基二极管硅基应变超晶格无线传输整流电路金属层插层衬底电子迁移率肖特基接触内嵌预设应用

[发明专利]GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法-CN201210249553.1有效
发明人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池，包括Ge衬底层，以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和(In)GaAs或Ge的接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一Ge衬底层；2）在Ge衬底层表面生长第一Ge子电池；3）在第一Ge子电池表面生长第一隧穿结；4）在第一隧穿结表面生长第二Ge子电池；5）在第二Ge子电池表面生长第二隧穿结；6）在第二隧穿结表面生长GaAs子电池；7）在GaAs子电池表面生长第三隧穿结；8）在第三隧穿结表面生长GaInP子电池；9）在GaInP子电池表面生长接触层
gainp gaas ge 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]基于LRC工艺SiGe选择外延致准直接带隙Ge及其制备方法-CN201610727737.2在审
发明人：包文涛;宋建军;任远;宣荣喜;胡辉勇;舒斌;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于LRC工艺SiGe选择外延致准直接带隙Ge及其制备方法，该方法选取Si衬底；第一温度范围下，在Si衬底表面生长第一Ge籽晶层；第二温度范围下，在第一Ge籽晶层表面生长第二Ge主体层；刻蚀第二Ge主体层形成Ge台阶；在Ge台阶周围生长SiGe层；对Ge台阶进行离子注入以形成基于LRC工艺SiGe选择外延致准直接带隙Ge。本发明的准直接带隙Ge材料是通过采用激光再晶化(Laser Re‑Crystallization，简称LRC)工艺实现，连续激光再晶化工艺选择性高，仅作用于Ge外延层，控制精确，避免了Si‑Ge互扩的问题，利用Ge周围选择性外延SiGe引入张应力，制得的准直接带隙Ge材料晶体质量高，大大增强其自发辐射效率，发光效率高，有利于光电子的应用。
基于 lrc 工艺 sige 选择外延直接 ge 及其制备方法

[发明专利]SiGe选择外延致Ge准直接带隙半导体材料及其制备方法-CN201610486813.5有效
发明人：苗渊浩;宋建军;黄云霞;胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiGe选择外延致Ge准直接带隙半导体材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底；生长第一Ge层；生长第二Ge层；在第二Ge层表面涂抹光刻胶，采用光刻工艺曝光光刻胶，保留第二Ge层表面中心位置处的光刻胶；刻蚀一定厚度的第二Ge层形成Ge台阶；在第二Ge层表面生长SiGe层；对Ge台阶进行离子注入形成N型Ge台阶形成SiGe选择外延致Ge准直接带隙半导体材料。基于低温‑高温两步生长法制备Ge材料，并利用选择性外延SiGe引入张应力，制备的准直接带隙Ge晶体质量高，且载流子复合效率高，能够应用于光子器件，在制备工艺上优势明显。
sige 选择外延 ge 直接半导体材料及其制备方法

[发明专利]有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用-CN201910085196.1有效
发明人：田内裕基;寺前裕美 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：为包含包括Al‑Ge系合金膜、以及与Al‑Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al‑Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al‑Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al‑Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al‑Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。
有机 el 显示器用反射阳极电极及其应用

[发明专利]一种gE-HEK293细胞的构建方法及其应用-CN202110194448.1有效
发明人：谭小东;周云;庄宗兰;方超;祁碧玉;杨世龙 -专利权人：安徽智飞龙科马生物制药有限公司;重庆智飞生物制品股份有限公司;北京智飞绿竹生物制药有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种gE‑HEK293细胞的构建方法及其应用，所述方法包括如下步骤：构建重组质粒，重组质粒转染，重组细胞株构建：将gE‑HEK293细胞和HEK293细胞加压筛选，获得初代gE‑HEK293细胞，在培养箱中培养后选取gE蛋白表达量最高的单克隆细胞进行传代培养，直至传代后的gE‑HEK293细胞能够稳定表达gE蛋白，形成最终能够表达gE蛋白的gE‑HEK293细胞。本发明构建的gE‑HEK293细胞能够稳定表达gE蛋白，并且可以用于FAMA实验、流式细胞术和细胞ELISA检测VZV gE的特异性抗体，检测过程中使用构建的gE‑HEK293细胞能够简化操作过程，快速获得检测结果
一种 ge hek293 细胞构建方法及其应用

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