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[发明专利]一种带有片内栅极回跳保护的常关型HEMT器件-CN202111353667.6有效
发明人：刘毅;李翔;肖延兵 -专利权人：芯众享（成都）微电子有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有片内栅极回跳保护的常关型HEMT器件，包括作为主器件的第一增强型P‑GaNHEMT器件、作为回跳管的第二增强型P‑GaNHEMT器件；所述第二增强型P‑GaNHEMT器件的栅极连接的控制端；所述第二增强型P‑GaNHEMT器件的漏极与第一增强型P‑GaNHEMT器件的栅极连接；所述第二增强型P‑GaNHEMT器件的源极与第一增强型P‑GaNHEMT器件的源极连接；本发明使p‑GaNHEMT
一种带有栅极保护常关型 hemt 器件

[发明专利]一种Cascode增强型级联器件-CN202111156516.1在审
发明人：宋亮;武乐可;朱廷刚;李亦衡;章涛 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明涉及了一种Cascode增强型级联器件，所述级联器件包括：金属板、SiMOSFET器件和GaNHEMT器件；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件均设置在所述金属板上；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件通过所述金属板级联连接。本发明将金属板作为所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件互联的基础，并作为散热片，无需陶瓷板，在提高了器件的散热性能的基础上，降低了成本。
一种 cascode 增强级联器件

[发明专利]具有防破坏性击穿功能的GaN HEMT器件结构及制作方法-CN202310211079.1在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;王强;潘茂林;黄自强;谢欣灵;黄海;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域的p+掺杂区与N+掺杂区，以及分别形成于所述p+掺杂区与N+掺杂区上的阳极与阴极；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述GaN缓冲层表面相对的两侧区域；GaNHEMT器件，形成于所述GaN缓冲层上；其中，所述pN二极管的击穿电压低于所述GaNHEMT器件的击穿电压。解决了当在GaNHEMT器件的源极与漏极之间施加大电压或者持续高压应力时，GaNHEMT器件会发生破坏性击穿的问题，从而实现了提高GaNHEMT器件可靠性的效果。
具有破坏性击穿功能 gan hemt 器件结构制作方法

[发明专利]一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路-CN202211369003.3在审
发明人：罗景涛 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明属于功率器件测试技术领域，尤其为一种GaNHEMT软开关动态电阻测量电路，包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM模块、滤波电感L和负载电容Co以及负载电阻Ro，直流电源的电压范围为3‑10V，直流电源电流等级大于等于20A，直流电源电压设计要求主要用来满足待测器件的源漏电压不超过10V，以保证动态电阻的测试精度,本发明可以测试GaNHEMT在软开关条件下的动态电阻，更贴合实际应用场景,对于在实际应用条件下的GaNHEMT软开关测试有开创性的作用。
一种 gan hemt 开关动态电阻测量电路

[发明专利]一种P型栅GaN HEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法-CN202110837558.5有效
发明人：李林欢;曹荣幸;黄鑫;孟洋;薛玉雄;刘洋;周敏;韩丹;李红霞;郑澍 -专利权人：扬州大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型栅GaNHEMT器件内部单粒子烧毁敏感区域确定方法，基于建立的单粒子烧毁模型，可以精确计算单粒子烧毁时器件内部电参数空间分布特性、器件的安全工作电压范围，确定器件内部单粒子烧毁敏感区域，可实现P型栅GaNHEMT器件单粒子烧毁的敏感性评价，为其空间应用防护设计提供技术保障。
一种型栅 gan hemt 器件内部粒子烧毁敏感区域确定方法

[发明专利]一种用于耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法-CN202210141635.8在审
发明人：顾岚雁;林河北;梅小杰;解维虎;覃尚育;陈永金 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了用于耗尽型GaNHEMT器件堆叠封装方法，通过将耗尽型GaNHEMT器件通过机械减薄得到芯片的晶圆，并将晶圆切割至预设尺寸，将胶带贴在晶圆的背面且用铁圈固定起来，采用晶片切割机将晶圆片切成一颗颗芯片将切割后的芯片放置在导线架或基板中的晶片座上，并以银浆或金‑硅共晶黏合法黏住固定送至烘烤，烘烤完成后送入压焊机物料轨道，先用铝线后用铜线进行压焊得到待封装器件，将待封装器件的栅极和启动管的源极分别使用金属加厚并进行键合形成用于耗尽型GaNHEMT
一种用于耗尽 gan hemt 器件堆叠封装方法

[发明专利]一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法-CN202310000307.0在审
发明人：冯士维;潘世杰;李轩;白昆;鲁晓庄 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法，涉及半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对GaNHEMT器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集，并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。本发明通过电路设计将瞬态电压曲线的采集提升至微秒级，可用于不同厂商生产的GaNHEMT器件陷阱测试，具有较好的通用性。
一种采用微秒瞬态曲线表征 ganhemt 器件陷阱参数方法

[发明专利]GaN HEMT器件、半导体器件、电子设备以及制备方法-CN202310211066.4在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p‑GaN
gan hemt 器件半导体器件电子设备以及制备方法

[发明专利]具有抑制衬底漏电结构的GaN HEMT器件与制作方法-CN202310211017.0在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;王强;潘茂林;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有抑制衬底漏电结构的GaNHEMT器件，包括：衬底，以及形成于衬底上的缓冲层；第一P+型掺杂区与第一N+型掺杂区；其中，第一P+型掺杂区形成于缓冲层中；第一N+型掺杂区形成于部分第一P+型掺杂区的表层，且第一P+型掺杂区包裹第一N+型掺杂区；GaNHEMT结构；形成于缓冲层的顶端；其中，GaNHEMT结构包括栅极金属层与漏极金属层；栅极金属层与漏极金属层沿水平方向排列；其中，第一N+
具有抑制衬底漏电结构 gan hemt 器件制作方法

[实用新型]一种p-GaN器件的片内过压保护电路-CN202122799707.1有效
发明人：刘毅;徐周;林芳 -专利权人：芯众享（成都）微电子有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p‑GaN器件的片内过压保护电路，涉及晶体管技术领域，包括作为主器件的增强型P‑GaNHEMT器件、作为小回跳管的触发二极管组；所述增强型P‑GaNHEMT器件的栅极连接的触发二极管组的一端；所述增强型P‑GaNHEMT器件的源极连接的触发二极管组的另一端；触发二极管组由多个二极管串联或并联构成；其中，触发二极管组在电压超过一定限度值的时候开启，提供一条低阻的电流泄放通道，从而起到电压钳位作用
一种 gan 器件保护电路

[实用新型]InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构-CN201120317811.6有效
发明人：邢东;冯志红;房玉龙;刘波;张雄文;敦少博;蔡树军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型实现了InAlN/GaNHEMT异质结器件与其他半导体器件（其组分含In、Al、Ga、N元素）的连接，将不同器件集成在一个晶圆片上。为将来实现InxAlN/GaNHEMT与其他半导体器件（半导体由In，Ga，Al，N至少两种元素以上组成）的集成提供了一条新技术路线。
inaln gan 异质结有源结构

[发明专利]GaNHEMT偏置电路-CN201510416630.1有效
发明人：谢路平;李娣;林锡贵;刘江涛 -专利权人：京信通信系统（中国）有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN HEMT偏置电路，包括第一接地电容组、第一变压器、第二变压器、漏压开关和栅压产生与控制电路，第一接地电容组、第一变压器的输入端、漏压开关的第一输入端与外部电压输入端连接，第二变压器的输入端、栅压产生与控制电路的第一输入端与第一变压器的输出端连接，第二变压器的输出端与栅压产生与控制电路的第二输入端连接，漏压开关的输出端与GaN HEMT的漏极、栅压产生与控制电路的第三输入端连接，漏压开关的第二输入端与栅压产生与控制电路的第一输出端连接，栅压产生与控制电路的第二输出端、第四输入端与GaN HEMT的栅极连接。本发明实现了GaN HEMT电路的自动上、掉电功能，避免了GaN HEMT被大电流烧毁，保障了使用GaN HEMT的无线通信设备正常工作。
ganhemt 偏置电路

[发明专利]一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法-CN202210053252.5在审
发明人：李永强;谭佳青 -专利权人：西安博瑞集信电子科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaNHemt射频开关控制电路及控制方法，包括接地电容C1、C2、C3，下拉电阻R2、R3，延时电阻R1，分压电阻R4、R5、R6、R7、R8、R9，六个MOS管，通过MOS管作为开关器件负压电压可达‑60V左右，能够为当前的GaN器件提供更快的电压控制方案，摆脱了传统控制的时序即时间响应问题，通过单逻辑控制GaN射频开关，节省逻辑空间；硬件延时电阻来避免控制时序不确定带来的抖动问题，可以解决GaNHemt
一种 ganhemt 射频开关控制电路控制方法

[发明专利]一种具有反向阻断能力的薄势垒GaN HEMT器件-CN202310209979.2在审
发明人：周春华;廖志康;周琦;韩阳;柏鹏翔;吴桐;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件。本发明所提出的具有反向阻断能力的薄势垒GaNHEMT器件有着工艺简单，反向泄露电流小和耐压能力强等优点。
一种具有反向阻断能力薄势垒 gan hemt 器件

[发明专利]InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构和激活方法-CN201110250158.0有效
发明人：邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实现了InAlN/GaNHEMT异质结器件与其他半导体器件（其组分含In、Al、Ga、N元素）的连接，将不同器件集成在一个晶圆片上。为将来实现InxAlN/GaNHEMT与其他半导体器件（半导体由In，Ga，Al，N至少两种元素以上组成）的集成提供了一条新技术路线。
inaln gan 异质结有源结构激活方法

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