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[发明专利]Ga2O3系半导体元件-CN201280043335.0有效
发明人：佐佐木公平;东胁正高 -专利权人：株式会社田村制作所;独立行政法人情报通信研究机构
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高品质的Ga2O3系半导体元件。作为一个实施方式，提供Ga2O3系半导体元件（20），包含n型β‑Ga2O3基板（2），在n型β‑Ga2O3基板（2）上形成的β‑Ga2O3单晶膜（3），在β‑Ga2O3单晶膜（3）上形成的源电极（22a）、（22b），在n型β‑Ga2O3基板（2）的与β‑Ga2O3单晶膜（3）相反侧的面上形成的漏电极（25），在β‑Ga2O3单晶膜（3）中形成的连接源电极（22a）、（22b）的n型接触区域（23a）、（23b），以及在β‑Ga2O3单晶膜（3）上介由栅极绝缘膜（26）形成的栅电极（21）。
ga2o3 半导体元件

[发明专利]Ga2O3系单晶基板及其制造方法-CN201480010964.2有效
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种Ga2O3系单晶基板及其制造方法，该Ga2O3系单晶基板包括既抑制晶体质量的下降又具有高电阻之Ga2O3系单晶。根据本发明的一个实施方式，上述制造方法包括：将Fe添加至Ga2O3系原料中，培育含有比从上述Ga2O3系原料混入之施主杂质的浓度高的上述Fe之Ga2O3系单晶(5)；以及从Ga2O3系单晶(5)切出Ga2O3
ga sub 系单晶基板及其制造方法

[发明专利]一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管及其制备方法-CN201810443071.7在审
发明人：卢星;任远;陈志涛;刘晓燕;赵维;龚政;黎子兰 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明所述晶体管，包括由下至上层叠的漏电极、n+‑Ga2O3衬底以及n‑‑Ga2O3耐压层，n‑‑Ga2O3耐压层上表面设置条状延伸的n‑‑Ga2O3沟道层，在所述n‑‑Ga2O3沟道层上表面向上依次设有n+‑Ga2O3接触层和源电极；在所述n‑‑Ga2O3沟道层和n+‑Ga2O3接触层侧面和n‑‑Ga2O3耐压层上表面设有栅介质层，栅介质层在n‑‑Ga2O3沟道层和n‑‑Ga2O3耐压层连接处相对应的另一表面设有栅电极；所述的n‑‑Ga2O3沟道层和n+‑Ga2O3接触层组成三维鳍片状结构，所述的三维鳍片状结构在n‑‑Ga2O3耐压层上表面平行设置两组或以上。
沟道层耐压层上表面垂直场效应晶体管鳍片状结构接触层氧化镓三维栅介质层鳍式沟道制备半导体器件技术平行设置条状延伸制备工艺晶体管漏电极源电极栅电极衬底沟道两组侧面

[发明专利]β－Ga2O3系单晶的培养方法-CN201380054859.4在审
发明人：渡边信也;胁本大树;饭冢和幸;舆公祥;增井建和 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种β－Ga2O3系单晶的培养方法，能得到晶体品质高的板状的β－Ga2O3系单晶。在一实施方式中，提供β－Ga2O3系单晶的培养方法，其使用导模法，所述β－Ga2O3系单晶的培养方法包含：使板状的晶种(20)与Ga2O3系熔体(12)接触的工序和提拉晶种(20)使β－Ga2O3系单晶(25)生长的工序，所述板状的晶种(20)由全部区域的缺陷密度为5×105/cm2以下的β－Ga2O3系单晶构成。
ga2o3 系单晶培养方法

[发明专利]晶体层叠结构体-CN201710964931.7在审
发明人：佐佐木公平 -专利权人：株式会社田村制作所
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供能够使晶体高效地外延生长在β‑Ga2O3系基板上得到高品质的β‑Ga2O3系晶体膜的晶体层叠结构体。提供晶体层叠结构体(2)，包含具有从(100)面旋转50°～90°的面作为主面(10)的β‑Ga2O3系基板(1)；和形成在β‑Ga2O3系基板(1)的主面(10)上的β‑Ga2O3系分子束外延晶体膜(
晶体层叠结构

[发明专利]TiO₂/MnS/Ga₂O₃复合光催化胶体制备方法-CN201610385545.8有效
发明人：陈纳新;单兴刚 -专利权人：浙江和谐光催化科技有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiO2/MnS/Ga2O3复合光催化胶体制备方法，包括以下步骤：1）合成TiO2溶胶 2）合成Ga2O3溶胶3）合成絮状MnS 4）TiO2/MnS/Ga2O3复合光催化胶体合成：将步骤1）、步骤2）所制备的TiO2溶胶、Ga2O3溶胶混合，TiO2/MnS/Ga2O3复合光催化胶体烘干后的固体中TiO2含量90.0～97.0 wt%,MnS含量2.9～8.0 wt%,Ga2O3的含量
复合光催化胶体制备合成絮状催化氧化能力太阳光利用率胶体合成烘干制备

[发明专利]TiO₂/Ga₂O₃复合光催化胶体的制备方法-CN201610385546.2有效
发明人：陈纳新;单兴刚 -专利权人：浙江和谐光催化科技有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种TiO2/Ga2O3复合光催化胶体的制备方法，包括以下步骤：1）合成TiO2溶胶 2）合成Ga2O3溶胶 3）TiO2/Ga2O3复合光催化胶体合成：将步骤1）和步骤2）所制备的TiO2胶体和Ga2O3胶体按9～999:1的重量比例混合，持续搅拌2～6小时；最终TiO2/Ga2O3复合胶体中Ga2O3含量控制在0.1‑5.0 wt%即可；本发明太阳光利用率高以及催化氧化能力强。
复合光催化制备合成催化氧化能力太阳光利用率持续搅拌复合胶体含量控制胶体合成

[发明专利]基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法-CN201711029584.5在审
发明人：张香丽 -专利权人：张香丽
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于紫外光电探测器技术领域，具体涉及基于氧化镓异质结结构的紫外光光电探测器及其制备方法，包括α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片阵列、ITO透明导电玻璃以及Ti/Au薄膜电极，α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片是由α‑Ga2O3纳米片作为内核，β‑Ga2O3作为外壳包裹于α‑Ga2O3纳米片外围构成。
基于氧化镓异质结结构紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于氧化镓-氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法-CN202211457530.X在审
发明人：姜天才;陶金;肖希 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于氧化镓‑氧化铝的日盲型紫外探测器及制备方法，其包括衬底、生长于所述衬底上的Ga2O3纳米线、沉积于所述Ga2O3纳米线表面上的Al2O3纳米层，且所述Al2O3纳米层与Ga2O3纳米线形成Ga2O3/Al2O3纳米线，所有的所述Ga2O3/Al2O3纳米线构成复合材料层；两个电极设于所述复合材料层上。本申请是利用CVD生长机制，在衬底上直接生出Ga2O3纳米线，无需刻蚀块体化合物半导体，从而提高了半导体与衬底的兼容性。本申请在Ga2O3纳米线表面上沉积了一层Al2O3纳米层，引入Al2O3纳米层作为包层，很大程度上降低了暗电流，同时一定程度上减少氧气吸附带走的电子，从而增大开关比，提高响应度。
基于氧化氧化铝日盲型紫外探测器制备方法

[发明专利]一种自支撑Ga₂O₃薄膜及其制备方法-CN201810549907.1在审
发明人：唐为华;王霞 -专利权人：北京镓族科技有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述制备方法具体为：在衬底上生长一层Sr3Al2O6薄膜后，再在所述Sr3Al2O6薄膜上生长一层Ga2O3薄膜；将覆有两层薄膜的衬底放入水中，待Sr3Al2O6薄膜溶解后，分离衬底和Ga2O3薄膜，即得自支撑Ga2O3薄膜。本发明所述的制备方法工艺可控性强，易操作；本发明所制得的自支撑Ga2O3薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。
薄膜自支撑制备衬底制备方法工艺致密薄膜表面薄膜溶解厚度稳定可控性生长放入均一两层水中

[发明专利]基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法-CN201611124463.4有效
发明人：元磊;张弘鹏;贾仁需;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法。该方法包括选取β‑Ga2O3衬底；在β‑Ga2O3衬底表面生长β‑Ga2O3材料形成同质外延层；在同质外延层表面生长上生长Ir2O3材料形成异质外延层；刻蚀异质外延层和同质外延层形成梯形结构；在异质外延层表面形成顶电极；在β‑Ga2O3衬底下表面形成底电极，最终形成APD探测器二极管。本发明采用β‑Ga2O3材料，发挥该材料在深紫外光区域和可见光区域的极高光透率和透明度，并确保了APD探测器的耐压极高、击穿电场较高，适合高频、高辐射、高温高压等极端环境，在极端环境下不仅器件可靠性大幅提高
基于 ir2o3 ga2o3 深紫 apd 探测二极管及其制作方法

[发明专利]采用冷凝回流装置的Ga₂O₃溶解方法-CN201010231021.6无效
发明人：孙晶;李昌立;姜丽霞;于文生;王媛;刘淑梅 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：采用冷凝回流装置的Ga2O3溶解方法属于难溶物溶解技术领域。现有技术采取加热搅拌酸溶解法溶解Ga2O3，所使用的酸为浓硝酸。可是该方法，酸的用量相当大、浓度高；溶解时间长，达数天之久；溶解量为40毫升浓硝酸溶解0.2克Ga2O3；甚至需要再加入盐酸，杂质离子Cl-因此被引入。在本发明之方法中，Ga2O3的溶解过程在冷凝回流装置中进行，将Ga2O3加入烧瓶中，然后加入浓度为4～6mol/L的稀硝酸，配制成溶解液，溶解液中硝酸与Ga2O3摩尔比为5～6∶1，在170～200℃恒温加热回流3～5h，获得澄清透明的硝酸镓溶液。
采用冷凝回流装置 ga sub 溶解方法

[发明专利]在平板玻璃上沉积多晶β-Ga₂O₃薄膜的方法-CN200910229435.2无效
发明人：闫金良;赵银女;刘建军;石亮 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： C03C17/245 文献下载
摘要：本发明涉及一种在平板玻璃上沉积多晶β-Ga2O3薄膜的方法，属于电子材料技术领域。本发明以Ga2O3粉末经压片、烧结获得的块体材料为靶材，在温度为室温的玻璃衬底上利用射频磁控溅射技术制备Ga2O3薄膜。工艺条件为：溅射气体氩气压强0.2～2Pa、溅射偏压-40～-100V、溅射功率40～150W。将Ga2O3薄膜置于退火炉中，400～550℃空气气氛下处理50～80分钟，即形成具有多晶结构的β-Ga2O3薄膜。本发明方法设备简单便宜、成本低、易于大面积成膜。
平板玻璃沉积多晶 ga sub 薄膜方法

[发明专利]一种Zn:Ga₂O₃薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法-CN201610837110.2有效
发明人：郭道友;秦新元;王顺利;时浩泽;李培刚;唐为华;沈静琴 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。 1
紫外光电探测器制备薄膜基日盲薄膜磁控溅射生长致密工艺可控性光生载流子蓝宝石单晶薄膜表面叉指电极光吸收层厚度稳定颗粒生长收集电极紫外探测光响应潜在的靶材衬底溅射晶面均一起辉应用

[发明专利]基于Ga2O3材料的U型栅MOSFET及其制备方法-CN201611124460.0在审
发明人：贾仁需;张弘鹏;元磊;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga2O3材料的U型栅MOSFET及其制备方法。该方法包括：选取β‑Ga2O3衬底；在β‑Ga2O3衬底表面生长同质外延层并在同质外延层表面进行离子注入形成N型掺杂区；在N型掺杂区表面采用离子注入工艺形成P阱区；在P阱区表面位置处采用刻蚀工艺在β‑Ga2O3衬底内形成U型槽；在U型槽内制备栅介质层及栅电极；在β‑Ga2O3衬底异于P阱区的上表面位置处制备源电极，并在β‑Ga2O3衬底的下表面制作漏电极，最终形成U型栅MOSFET。本发明实施例的MOSFET采用U型栅电极结构可有效克服MOSFET功率器件导通电阻较高的缺点，且将Ga2O3材料应用于该U型栅结构的衬底及同质外延层，可提高该MOSFET功率器件的耐压和反向击穿电压，在降低导通电阻的同时大幅提高功率器件的性能以及器件可靠性
基于 ga2o3 材料型栅 mosfet 及其制备方法

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