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[发明专利]双卡帕分布式布拉格反射器激光器-CN202011071998.6在审
发明人：松井康浩 -专利权人： II-VI特拉华有限公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：提供了双卡帕分布式布拉格(DBR)反射器激光器。一种双卡帕DBR激光器包括有源区、高反射镜、第一DBR区以及第二DBR区。高反射镜耦接至有源区的后部。第一DBR区耦接至有源区的前部，第一DBR区具有第一DBR光栅，该第一DBR光栅具有第一卡帕κ1。第二DBR区耦接至第一DBR区的前部，使得第一DBR区位于有源区与第二DBR区之间。第二DBR区具有第二DBR光栅，该第二DBR光栅具有比第一卡帕κ1小的第二卡帕κ2。双卡帕DBR激光器被配置成在激射模下操作，并且具有包括DBR反射峰的DBR反射曲线。激射模对准至DBR反射峰的长波长边缘。
双卡帕分布式布拉格反射激光器

[发明专利]一种DBR滤波器及DBR双工器-CN201310293581.8有效
发明人：苏涛;茹洪涛;王盛杰;张青青 -专利权人：南京中兴软件有限责任公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种DBR滤波器，所述DBR滤波器包括：耦合单元和至少一个DBR谐振腔，所述至少一个DBR谐振腔通过所述耦合单元串接；所述DBR谐振腔包括：DBR单侧枝节和补偿单元，所述至少一个DBR谐振腔的所有DBR单侧枝节设置于所述耦合单元的一侧，所述至少一个DBR谐振腔的所有补偿单元设置于所述耦合单元的另一侧。本发明同时还公开了一种DBR双工器。采用本发明的技术方案，既保证了DBR滤波器的通带要求，又使得DBR滤波器的尺寸仅为原有DBR滤波器尺寸的一半，大大减小了DBR滤波器及DBR双工器的尺寸，且隔离性更好。
滤波器谐振腔耦合单元双工器补偿单元侧枝隔离性串接减小通带保证

[发明专利]一种蚀刻背镀DBR层的方法-CN202111476844.X在审
发明人：阚钦 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提出了一种蚀刻背镀DBR层的方法，所述方法包括：将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。本发明所提出的蚀刻背镀DBR层的方法，工序流程简单方便。首先对DBR层进行气体蚀刻形成凹凸不平的DBR层。然后可通过蚀液对凹凸不平的DBR层进行充分蚀刻，达到剥离DBR层的效果。
一种蚀刻 dbr 方法

[发明专利]操纵多结垂直腔表面发射激光器的光束发散度-CN202310078576.9在审
发明人： M·G·彼得斯;杨军;赵国为;B·凯斯勒;E·R·海格布洛姆 -专利权人：朗美通经营有限责任公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：在一些实施方式中，形成在基板和顶部接触部之间的所述一组层可以包括腔、第一分布式布拉格反射器(DBR)对以及第二DBR对，腔包括第一有源区、第二有源区和连接第一有源区和第二有源区的隧道结，第一分布式布拉格反射器(DBR)对包括在腔和顶部接触部之间的高对比度p型DBR(p‑DBR)和低对比度p‑DBR，第二DBR对包括在腔和基板之间的高对比度n型DBR(n‑DBR)和低对比度n‑DBR。低对比度p‑DBR和低对比度n‑DBR位于堆叠体的内侧，高对比度p‑DBR和高对比度n‑DBR位于堆叠体的外侧。
操纵垂直表面发射激光器光束发散

[发明专利]一种微型发光元件及其制备方法-CN202110740250.9有效
发明人：刘伟;刘伟文;彭绍文;林锋杰;周弘毅 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种微型发光元件及其制作方法，其DBR结构层包括依次层叠的DBR黏附层、DBR反射层和DBR牺牲层，通过DBR黏附层改善后续DBR反射层的结构披覆性；并利用所述DBR牺牲层、DBR反射层及DBR黏附层的蚀刻速率依次降低的设置，通过刻蚀工艺形成具有斜侧壁的通孔，消除位于电极扩展条上方的DBR反射层与位于ITO上方的DBR反射层的高度差，形成平滑的台面，进而使得电极基本处于同一高度以提升其推拉力可靠性，避免掉电极的风险；且通过通孔的斜侧壁设置，有利于后续第一电极的披覆，并增大第一电极与DBR结构层的接触面积，使得DBR结构层与电极之间能够形成良好的黏附；进而保证发光元件的可靠性。
一种微型发光元件及其制备方法

[发明专利]一种激光器的DBR电流的控制方法、装置以及光模块-CN201710579150.6在审
发明人：胥嫏 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明实施例涉及光通信技术领域，尤其涉及一种激光器的DBR电流的控制方法、装置以及光模块，用于提高输出DBR电流值的精度。本发明实施例中，根据目标波长和DBR电流值的对应关系，确定待输出DBR电流值；使用差值小于电流阈值的准量程输出待输出DBR电流值，所述差值为待输出DBR电流值与多个量程的差值；通过准量程输出待输出DBR由于本发明实施例中待输出DBR电流是通过使用待输出DBR电流值与多个量程的差值中差值小于电流阈值的准量程输出的；因此，输出待输出DBR电流时使用与该待输出DBR电流值接近的准量程输出的，在芯片bit位相同的条件下，使用量程小的准量程输出DBR电流值的精度较高。
一种激光器 dbr 电流控制方法装置以及模块

[发明专利]一种半导体激光发射器-CN202011354208.5在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光发射器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，位于第一DBR层上方的谐振部，以及配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区，所述第一DBR层还连接衬底层，通过如此设计，N‑DBR对数可由原来的22‑26pairs减少至8‑10pairs，可以有效的减小N‑DBR电阻以及工作过程产生的焦耳热。
一种半导体激光发射器

[发明专利]一种去除DBR膜层的制作方法-CN201710793690.4有效
发明人：艾国齐 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种去除DBR膜层的制作方法，包括：提供一LED晶圆，其中，所述LED晶圆的底部设有DBR膜层，对所述DBR膜层进行刻蚀，形成第一孔洞，对所述第一孔洞进行干法刻蚀，形成贯穿所述DBR膜层的第二孔洞，对所述DBR膜层进行湿法刻蚀，去除所述DBR膜层，先对DBR膜层进行光刻，能够形成多个规则、尺寸同一的第一孔洞，这样有利于后续的刻蚀，从而最终使DBR膜层顺利去除，进一步地，通过形成第二孔洞便于使刻蚀溶液渗入到所述DBR膜层与所晶园的述衬底之间，从而便于去除所述DBR膜层，提高DBR膜层的去除率。
一种去除 dbr 制作方法

[发明专利]一种半导体激光发射器-CN202010895476.1在审
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光发射器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区；至少部分包含于所述第一DBR层之内的第一电极。通过该结构的设计将至少部分的第一电极包含于所述第一DBR层之内的设计减少了电流流经的P型DBR异质结界面，从而可以减少DBR串联电阻，同时，有可以保证有源区中心的电流密度。
一种半导体激光发射器

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器-CN202222306693.X有效
发明人：马德正;陈柏翰 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器，包括依次由下至上层叠的P型衬底、第一P型DBR层、第一MQW层、N型DBR层、第二MQW层和第二P型DBR层；在第二P型DBR层内形成氧化层；第一P电极位于第一P型DBR层上或P型衬底上，N‑DBR层具有蚀刻形成外露台面，N电极位于N‑DBR层的外露台面上，第二P电极位于第二P型DBR层上；在第一MQW层与第二MQW层上下两层之间均有分离限制异质结层；第二MQW层的厚度大于第一MQW层的厚度，第一P型DBR层组成的对数大于N型DBR层组成的对数，N型DBR层组成的对数大于第二P型DBR层组成的对数。
一种垂直发射激光器

[发明专利]前光栅部和后光栅部的分离控制-CN201080017074.6有效
发明人： H·K·恩古耶;C-E·扎 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2010-04-12 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：提供一种控制DBR激光二极管的方法，其中控制前、后DBR加热元件使得DBR区段的后光栅部的反射率低于DBR区段的前光栅部的反射率。由此，激光发射模式选择由前光栅部支配，且可控制前DBR区段加热元件用于波长调谐。此外，可控制后DBR区段加热元件，以使DBR反射光谱的光谱带宽变窄。公开并要求保护其它实施例。
光栅分离控制

[发明专利]一种椭圆形多台面激光器结构-CN202211014903.6有效
发明人：李惠;陈志明;徐嘉祺 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开一种椭圆形多台面激光器结构，包括由下到上依次设置的衬底层、N‑DBR、功能层和P‑DBR；衬底层上固接有N接触层；N‑DBR固接在衬底层的顶端，N接触层环绕N‑DBR设置；N‑DBR内插入设置有space层；功能层固接在N‑DBR的顶端；P‑DBR固接在功能层的顶端，P‑DBR顶端固接有P接触层；P‑DBR内插入设置有另外的space层。
一种椭圆形台面激光器结构

[发明专利]基于TiS3-CN202111404430.6有效
发明人：张凯;张君蓉;张玉双 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TiS3的垂直腔面激光器，包括上DBR、下DBR以及设置于上DBR和下DBR之间的有源层，所述有源层采用TiS3，所述上DBR和下DBR之间的微腔的厚度为1.74μm~2.44μm，激光器的发光波长λ=1260~1360nm。本发明利用TiS3与特定DBR微腔耦合，可实现O波段的垂直腔面激光器。
基于 tis base sub

[实用新型]一种新型红光结构外延片-CN201921605345.4有效
发明人：王克来;刘芬;徐培强;熊珊;张银桥;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型红光结构外延片，包括GaAs衬底，其中：所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅰ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅱ、AlGaAs/AlAsDBR反射层Ⅲ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅳ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅴ、AlGaAs/AlAs DBR反射层Ⅵ、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、MQW有源层、p‑AlGaInP本实用新型通过设计DBR结构为多种厚度复合，增加DBR反射层的反射图谱的宽度，且由于不同DBR厚度对应不同波长的干涉相长，减少器件本身对光子的吸收，被反射的光子数更多，从而提高发光二极管的光提取效率。
一种新型红光结构外延

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN201910896404.6在审
发明人：杨锦泷;王晓平;丁怀义;潘楠;熊谦 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，所述垂直腔面发射激光器的制备方法通过磁控溅射法分别在第一衬底和第二衬底上形成第一DBR层和第二DBR层，通过旋涂在所述第二DBR层上形成发光层，避免了通过外延生长制备DBR层和发光层需要考虑膜层之间的晶格匹配的问题，使得用于制备第一DBR层和第二DBR层的材料无需受到晶格匹配的限制，有利于增加构成第一DBR层和第二DBR层中两种介质层之间的折射率差，使得第一DBR层和第二DBR层只需要较少的膜层即可具有高反射率，降低了器件的制备工序，从而降低了器件的制备周期、制备成本，提高了器件的制备效率。
制备垂直腔面发射激光器晶格匹配发光层衬底膜层磁控溅射法高反射率外延生长折射率差制备周期介质层旋涂申请

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