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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]床头柜（BG18-BG01）-CN201930325762.2有效
发明人：向爱芝 -专利权人：深圳一横科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：床头柜（BG18‑BG01）。2.本外观设计产品的用途：用于放置物品。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
床头柜 bg18 bg01

[外观设计]耳机（挂脖BG18）-CN202230292006.6有效
发明人：杨娜娜 -专利权人：杨娜娜
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：耳机（挂脖BG18）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于接收音频。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
耳机挂脖 bg18

[发明专利]一种用于测试漏电断路器的测试设备-CN201610475456.2在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种用于测试漏电断路器设备

[发明专利]一种测试设备-CN201610474916.X在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种测试设备

[发明专利]一种测试设备-CN201610475061.2在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种测试设备

[发明专利]一种用于测试漏电断路器的测试设备-CN201610474942.2在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种用于测试漏电断路器设备

[发明专利]一种测试设备-CN201610466422.7在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种测试设备

[发明专利]一种用于测试漏电断路器的测试设备-CN201610473834.3在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种用于测试漏电断路器设备

[发明专利]一种测试设备-CN201610473914.9在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种测试设备

[发明专利]一种用于测试漏电断路器的测试设备-CN201610460808.7在审
发明人：胡小青 -专利权人：胡小青
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种用于测试漏电断路器设备

[发明专利]一种用于测试漏电断路器的测试设备-CN201210262490.3有效
发明人：辛欣;郝越;于新龙;庞健;姜鹏;李涵涵;王泉;付鹏 -专利权人：国家电网公司;国网山东省电力公司泰安供电公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种用于测试漏电断路器设备

[发明专利]一种用于测试漏电断路器的测试设备-CN201610466389.8有效
发明人：胡小青 -专利权人：乐清市华尊电气有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种用于测试漏电断路器设备

[实用新型]一种测试设备-CN201220366560.5有效
发明人：胡小青 -专利权人：苏州贝腾特电子科技有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：相位产生电路、交流漏电调节电路和时间检测电路；其特征在于：相位产生电路包括可控硅电流控制电路；所述可控硅电流控制电路包括：根据所述第一半波整流电路、第二半波整流电路和第三半波整流电路输出的控制信号而导通的三极管BG18、由三极管BG18驱动的光耦芯片IC4，由光耦芯片IC4控制通断的双向可控硅BG19，双向可控硅BG19的A、K极串联在外接模拟漏电回路中。
一种测试设备

[外观设计]床（BG18-BT01A）-CN201930325267.1有效
发明人：向爱芝 -专利权人：深圳一横科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： 06-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：床（BG18‑BT01A）。2.本外观设计产品的用途：用于供人休息。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
bg18 bt01a

[外观设计]边几（BG18-FJ01）-CN201930325261.4有效
发明人：向爱芝 -专利权人：深圳一横科技有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： 06-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：边几（BG18‑FJ01）。;2.本外观设计产品的用途：用于摆放物品。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
边几（BG18-FJ01）

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