专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5474833个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]-纳米陶瓷复合及其制备方法-CN200910072451.5有效
  • 王铀;田伟;杨勇 - 哈尔滨工业大学
  • 2009-07-02 - 2009-12-02 - B22F1/00
  • -纳米陶瓷复合及其制备方法,它涉及一种陶瓷复合及其制备方法。本发明解决了现有用于热喷涂喷枪上的纳米结构粉末材料致密度低,流动性差及现有用于热喷涂喷枪上的纳米结构粉末材料的制作方法工艺复杂,成本高的问题。本发明非-纳米陶瓷复合由陶瓷粉、金属陶瓷添加剂和稀土添加剂制成。非-纳米陶瓷复合可经球磨混、烘干制粉、压制成型、高温烧结、破碎制粉和等离子处理进行制备,还可经球磨混、低温烘干、高温烧结、球磨制浆、喷雾干燥和等离子处理进行制备。本发明的非-纳米陶瓷复合致密度高,流动性好,制作方法工艺简单,成本低,本发明的非-纳米陶瓷复合应用范围广泛。
  • 纳米陶瓷复合及其制备方法
  • [发明专利]高损耗复合结构磁性材料的制备方法-CN200510110175.9无效
  • 郁黎明;曹世勋;张金仓 - 上海大学
  • 2005-11-10 - 2006-06-28 - H01F41/02
  • 本发明采用硝酸盐溶-凝胶法制作材料前驱,随后用自燃法制作纳米铁氧体纳米;取部分上述纳米铁氧体纳米放入烧结炉中,并在1000~1400℃温度下烧结1~2小时;然后随炉冷却,得微米尺寸的微米铁氧体;将上述制得的纳米铁氧体(或纳米)和微米铁氧体按一定比例混合,经研磨、造粒,压制成型,然后放入烧结炉内,在900~1300℃温度下烧结1~2小时,然后随炉冷却,即可制得高损耗复合结构磁性材料
  • 损耗复合结构磁性材料制备方法
  • [发明专利]一种吸波材料的制备方法-CN201010619559.4无效
  • 钱坤明;纪松;吴敏;丁昂;张延松;李明利 - 中国兵器工业第五二研究所
  • 2010-12-22 - 2011-04-27 - C22C38/00
  • 一种吸波材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①以单辊激冷的方法制备的铁基纳米材料为母材,将该母材在氮气保护下进行纳米化处理,得到纳米相结构的铁基纳米材料;②用高速切削对铁基纳米材料进行机械破碎,得到;③用气流磨对进行再处理,气体工作压力0.5~2.0MPa,处理时间0.5~4h。与现有技术相比,本发明的优点在于:利用气流磨高速碰撞,实现的细化,对纳米磁性的微观形貌进行修饰的方法,来改变材料的微观形貌,从而使得的磁电特性发生改变,达到提高材料磁电效应与吸波性能的目的
  • 一种材料制备方法
  • [实用新型]电缆外皮生产用有机废气集中处理装置-CN202120216925.5有效
  • 李云能 - 昆明康家工贸有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-10-29 - B01D53/86
  • 本申请公开了一种电缆外皮生产用有机废气集中处理装置,通过在光解箱内设置高能UV紫外光灯,并在箱体内沿其纵向间隔设置多层光催化纳米薄膜层,并在相邻光催化纳米薄膜层间设置光催化纳米储盒,利用废气经过箱体时,一方面带起光催化纳米储盒中存储的光催化纳米材料,同时利用紫外光对光催化纳米薄膜层催化活性的激活,增强紫外光对气体中所含有机废气的分解效果,实现对电缆生产环境中存在有机废气的有效分解去除。
  • 电缆外皮生产有机废气集中处理装置
  • [发明专利]制备纳米SnO2的方法-CN200410018011.9无效
  • 郑茂俊;马荔;沈文忠;徐维丽;丁古巧 - 上海交通大学
  • 2004-04-29 - 2005-01-26 - C01G19/02
  • 一种用于纳米材料领域的制备纳米SnO2的方法,以Al、SnCl2·2H2O、HCl为原料,采用固液氧化还原制备Sn,SnO,SnOx混合,然后采用固态热氧化技术,对混合进行热氧化处理,制备出超纯纳米SnO2,再经进一步碾磨得到超细纳米SnO2。本发明不需多次洗涤和分离技术就可得到高纯中间混合,并且由于中间体由Sn,SnO,SnOx构成的混合,有效避免了由纯金属锡熔化聚集结块问题。因而容易获得由纳米结构SnO2松散构成的,极易被碾磨成超细、超均匀SnO2。本发明采用固液氧化还原反应法和固态热氧化技术合成了SnO2氧化物纳米材料,充分显示了产率高、无污染、粒径均匀等优点。
  • 制备纳米snosub方法
  • [发明专利]一种SiBCN-Ta4-CN202010025977.4有效
  • 李达鑫;王柄筑;杨治华;贾德昌;周玉 - 哈尔滨工业大学
  • 2020-01-06 - 2022-07-08 - C04B35/58
  • Sub>HfC5复相陶瓷及其制备方法,所述制备方法包括:制备Ta4HfC5单相纳米;将所述Ta4HfC5单相纳米、六方氮化硼、立方硅和石墨混合后进行高能球磨,得到非纳米复合;将所述非纳米复合进行烧结,即制得SiBCN‑Ta4HfC5复相陶瓷。Sub>HfC5作为添加相引入SiBCN系列陶瓷中,超高温相Ta4HfC5纳米的形式均匀分散于非
  • 一种sibcntabasesub
  • [发明专利]一种生长纳米的方法-CN201110202753.7有效
  • 于威;徐艳梅;王新占;詹小舟;傅广生 - 河北大学
  • 2011-07-20 - 2012-01-18 - C01B33/03
  • 本发明公开了一种生长纳米的方法,包括以下步骤:从进气管道向反应腔中通入混合气体;通过射频源向竖直设置的电极中输入射频交流电,使得工作气体放电,在石英片之间形成等离子区;反应气体在等离子区被等离子分解,分解的碎片形成纳米硅核;通过调整通入的气体的流量和/或调整反应腔的压强,即可控制反应气体流经等离子区的时间,通过控制停留时间来控制生长纳米硅颗粒的大小;纳米硅颗粒随着气流流出等离子区后停止生长,在收集网上进行收集,得到粒度分布均匀的纳米。本发明操作简单,温度要求较低,不需要加热装置,能生产粒度分布均匀、可控的纳米,可以实现产业化生产。
  • 一种生长纳米晶硅粉体方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top