专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种谐振腔-CN201110298048.1有效
  • 刘若鹏;栾琳;刘京京;张伟;马伟涛 - 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
  • 2011-09-30 - 2013-04-10 - H01P7/06
  • 本发明涉及一种谐振腔,包括具有内腔的壳体、装在所述壳体上的输入端和输出端,所述输入端和输出端分别伸入所述内腔中,所述谐振腔内还设置有超材料块,所述超材料块包括至少一个超材料片层,且所述超材料块与输入端/输出端之间耦合连接有匹配层采用本发明的谐振腔,通过设置具有高介电常数的超材料块,可以降低谐振频率;通过在超材料块与输入端、输出端之间耦合匹配层,能够提高耦合性能,从而将信号高效率地从输入端导入腔内,再把信号高效率地从输出端到处,
  • 一种谐振腔
  • [发明专利]存储元件和存储装置-CN201210143618.4有效
  • 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 - 索尼公司
  • 2012-05-09 - 2012-11-21 - H01L43/08
  • 本发明公开了存储元件和存储装置,该存储元件包括存储层,利用磁性物质的磁化状态来保持信息;磁化固定层,具有用作存储在存储层中的信息的基准的磁化;中间层,设置于存储层和磁化固定层之间并且由非磁性物质形成;磁性耦合层,被设置为邻接于磁化固定层并且与中间层相对;以及高矫顽力层,被设置为邻接于磁性耦合层,其中,通过利用伴随着在包括存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流所产生的自旋扭矩磁化反转,使存储层的磁化反转来存储信息,以及磁性耦合层为两层层压结构。
  • 存储元件装置

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