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[实用新型]一种可调卷绕式薄膜电容-CN202122407589.5有效
发明人：李磊;闫博;顾安娜;袁刚;朱洪林;吴光斌;刘丙猛;闫光艺;任君;边荣迎 -专利权人：山东泰开互感器有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型为一种可调卷绕式薄膜电容。其技术方案为，一种可调卷绕式薄膜电容，包括卷绕层，卷绕层包括依次叠放的第一电介质薄膜、第一薄膜电极、第二电介质薄膜和第二薄膜电极，第一薄膜电极与第二电介质薄膜之间和/或第二薄膜电极与第二电介质薄膜之间设有一定数量的镂空电介质薄膜带，镂空电介质薄膜带的长度方向与卷绕层的长度方向之间存在一定夹角，镂空电介质薄膜带上设有一定数量的镂空单元，镂空单元的分布密度沿镂空电介质薄膜带的长度方向增大。本实用新型的有益效果为，镂空电介质薄膜带上分布有镂空单元，电容量在此处出现畸变，使整体电容量发生变化，通过抽拉镂空电介质薄膜带，能够微调电容量，调整误差。
一种可调卷绕薄膜电容

[发明专利]金属化薄膜电容器-CN200980126684.7有效
发明人：竹冈宏树;久保田浩;藤井浩;大地幸和;岛崎幸博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明提供一种金属化薄膜电容器，具备：第1电介质薄膜；第1金属薄膜电极，设置在第1电介质薄膜的面上；第2电介质薄膜，设置在第1金属薄膜电极上；和第2金属薄膜电极，隔着第2电介质薄膜以与第1金属薄膜电极相对的方式设置在第2电介质薄膜上。第1电介质薄膜的上述面的表面能是25mN/m～40mN/m。该金属化薄膜电容器具有较高的高耐热性并且具有良好的自愈效果。
金属化薄膜电容器

[发明专利]光学部件的粘合方法、光学部件一体结构和激光振荡装置-CN200710109921.1无效
发明人：江野泰造;后藤义明;籾内正幸 -专利权人：株式会社拓普康
申请日： 2007-06-06 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：一种光学部件的粘合方法，具有：在一个光学部件的粘合面上形成一个电介质薄膜的步骤；在另一光学部件的粘合面上形成另一电介质薄膜的步骤；以及使上述一个电介质薄膜和上述另一电介质薄膜进行光不散射粘合的步骤，将上述另一电介质薄膜和上述一个电介质薄膜粘合得到规定的光学波长特性
光学部件粘合方法一体结构激光振荡装置

[发明专利]一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构-CN202110029745.0有效
发明人：邱羽;张鹏飞;李庆 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属与电介质复合的耐高温太阳光谱选择性吸收结构，目的在于，在可见光到近红外光的宽光谱内达到了高吸收率，实现了高温条件下对太阳能的高效吸收，其包括底层金属薄膜，所述底层金属薄膜上形成有第一电介质薄膜，所述第一电介质薄膜上形成有多个金属纳米四角星形棱柱构成的阵列，每个所述金属纳米四角星形棱柱的中心具有圆柱孔，所述圆柱孔内填充有电介质填料，每个所述金属纳米四角星形棱柱的外周形成有第二电介质薄膜，所述金属纳米四角星形棱柱、所述电介质填料和所述第二电介质薄膜上形成有第三电介质薄膜，且所述第二电介质薄膜和所述第三电介质薄膜均呈四角星形。
一种金属电介质复合耐高温太阳光谱选择性吸收结构

[发明专利]强化薄膜电介质多层粘贴塑胶眼镜片及薄膜强化方法-CN03103308.3无效
发明人：裴在九;玄盛焕 -专利权人：韩独OPTEC(株)
申请日： 2003-01-22 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： B29D11/00 文献下载
摘要：本发明涉及强化薄膜电介质多层粘贴塑胶眼镜片及薄膜强化方法。该强化薄膜电介质多层粘贴塑胶镜片的电介质是为了提高镜片凹凸面上的多重薄膜的硬度、耐磨性。它把天然结晶质电介质与高折射率的电介质交叉粘贴后，在其最终表面上形成含有氟基的滑性物质，从而缓和因外部冲击造成的损伤并防止污染物质。粘贴上述电介质薄膜时，通过使用离子化能量较大的反映气体的离子束辅助粘贴方法，提高薄膜结构的均匀性和薄膜的粘贴性，不但加强了电介质薄膜的物理性质，同时克服了因温度变化而出现的波长变化。
强化薄膜电介质多层粘贴塑胶眼镜片方法

[发明专利]一种提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法-CN201910623375.6有效
发明人：余萍;陈潇洋;张仪;丁明建;庄彤;莫桃兰 -专利权人：四川大学;广州天极电子科技股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明所述提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法，是通过射频磁控溅射法在电介质薄膜与金属电极之间制备一层纳米级厚度的氧化物绝缘层，形成金属电极‑氧化物绝缘层‑电介质薄膜‑氧化物绝缘层‑金属电极结构的电介质薄膜器件，或者形成金属电极‑氧化物绝缘层‑LaNiO3过渡层‑电介质薄膜‑氧化物绝缘层‑金属电极结构的电介质薄膜器件。采用本发明所述方法，在电介质薄膜器件中引入了纳米级厚度的氧化物绝缘层，因而能有效抑制强电场作用下由金属电极向电介质薄膜的电荷注入而引起的薄膜漏电流增大，提高电介质薄膜器件在强电场下的工作电压。
一种提高电场电介质薄膜器件工作电压方法

[实用新型]一种薄膜器件-CN202020390318.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜器件，包括依次向上层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，膜层组件包括沿基板向上依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或膜层组件包括沿基板向上依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，所述膜层组件还包括GaSb膜层，所述GaSb膜层层叠在牺牲膜层上面；或所述GaSb膜层层叠在银膜层和电介质膜层之间；或所述GaSb膜层层叠在牺牲膜层上面，同时所述GaSb膜层还层叠在牺牲膜层与电介质膜层之间本实用新型可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[发明专利]电介质薄膜元件及使用它的执行元件、喷墨头和喷墨记录装置-CN01816412.9无效
发明人：镰田健;鸟井秀雄;高山良一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-09-26 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及控制电介质薄膜的结晶取向性并可以使电气特性等各种特性最佳化的电介质薄膜元件。该电介质薄膜元件(10)具有衬底(11)、形成在该衬底(11)上的第一电极(12)、形成在第一电极(12)上的电介质薄膜(13)、形成在该电介质薄膜(13)上的第二电极(14)并且它是在加热所述衬底(11作为所述衬底(11)的材料，使用有一定热膨胀系数的材料，根据衬底(11)的热膨胀系数来控制该电介质薄膜(13)的结晶取向性。
电介质薄膜元件使用执行喷墨记录装置

[实用新型]基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构-CN201720126110.1有效
发明人：张志东 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型属于光学领域和微纳系统领域，具体为基于双盘纳米天线表面等离激元增强透射的金属复合微纳结构，包括底层电介质薄膜层、在底层电介质薄膜层上沉积的带有孔洞阵列结构的金属薄膜层、在孔洞中填充的电介质、金属薄膜层上沉积的电介质层、在电介质层顶面上制备的顶层圆盘状金属阵列结构和底层电介质薄膜层底面上制备的底层圆盘状金属阵列结构，底层圆盘状金属阵列结构、底层电介质薄膜层、带有孔洞阵列结构的金属薄膜层、顶层电介质层和顶层圆盘状金属阵列结构构成金属复合微纳结构
基于纳米天线表面离激元增强透射金属复合结构

[发明专利]用于制造在触控面板中使用的透明主体的方法和系统-CN201180073335.0有效
发明人： H-G·洛茨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：所述工艺包括：在基板上沉积第一透明层堆叠，所述第一透明层堆叠包括第一含硅电介质薄膜、第二含硅电介质薄膜和第三含硅电介质薄膜。所述第一和第三含硅电介质薄膜具有低折射率，而所述第二含硅电介质薄膜具有高折射率。所述工艺进一步包括：沉积透明导电薄膜，使得所述第一透明层堆叠和所述透明导电薄膜按这种次序设置在基板上。通过溅射从靶沉积所述第一含硅电介质薄膜、所述第二含硅电介质薄膜、所述第三含硅电介质薄膜或者所述透明导电薄膜中的至少一个。
用于制造面板使用透明主体方法系统

[发明专利]一种基于金属与电介质混合薄膜源极的柔性垂直沟道场效应管-CN202211208887.4在审
发明人：刘东琦;彭应全;张月;胡洋;张宁波;吕文理 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开一种基于金属与电介质混合薄膜源极的柔性垂直沟道场效应管，其从下到上依次结柔性衬底、栅极、栅介质、金属与电介质混合薄膜源极、半导体活性层和漏极；所述金属与电介质混合薄膜采用真空共蒸发、真空共溅射、溶液旋涂、溶胶凝胶方面制备；所述金属与电介质混合薄膜的导电性能和介电性能通过改变混合薄膜中金属与电介质的重量比来调节。本发明具有制备工艺简单、易于通过改变混合薄膜中金属与电介质重量混合比提高器件性能等优点，比较适合大规模生产。
一种基于金属电介质混合薄膜柔性垂直沟道场效应

[发明专利]一种绝缘电介质复合薄膜材料及其制备方法和应用-CN202011435569.2在审
发明人：于淑会;徐鹏鹏;罗遂斌;刘捷;于均益;孙蓉 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘电介质复合薄膜材料及其制备方法和应用，绝缘电介质复合薄膜材料是将绝缘胶膜材料固化后，去除离型薄膜材料和保护膜后得到；绝缘胶膜材料由三层结构组成，包括绝缘电介质复合薄膜、离型薄膜材料以及保护膜，所述绝缘电介质复合薄膜由离型薄膜材料支撑，所述绝缘电介质复合薄膜表面覆盖保护膜；所述离型薄膜材料的离型力为30g/25cm‑120g/25cm。本发明绝缘电介质复合薄膜材料不仅具有平整光滑的外观，同时具有较高的柔韧性，可应用于印刷线路板(PCB)、基板、载板等半导体电子封装，适用于加成法或半加成法制备精细电子线路的制造。
一种绝缘电介质复合薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]透明导电性层叠体及具备该层叠体的触摸面板-CN201110139234.0有效
发明人：梨木智刚;菅原英男;吉武秀敏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2007-06-07 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种透明导电性层叠体，是在透明的薄膜基材的一个面经由电介质薄膜设有透明的导电性薄膜、在透明的薄膜基材的另一个面经由透明的粘合剂层贴合有透明基体的透明导电性层叠体，其特征是，上述透明基体是至少将2张透明的基体薄膜经由透明的粘合剂层层叠的层叠透明基体；上述电介质薄膜由第一透明电介质薄膜和第二透明电介质薄膜形成，所述第一透明电介质薄膜由相对折射率为1.6～1.9的SiOx膜(x为1.5以上且小于2)制成，所述第二透明电介质薄膜由SiO2膜制成。
透明导电性层叠具备触摸面板

[发明专利]一种薄膜器件-CN202010216022.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，所述膜层组件还包括AgGa界面膜层，所述AgGa界面膜层设置在银膜层与牺牲膜层之间和/或银膜层与电介质膜层之间，所述AgGa界面膜层中Ag与Ga原子数量比大于1。本发明可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

[发明专利]一种薄膜器件-CN202010216111.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：四川猛犸半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜器件，包括依次层叠的基板、膜层组件、顶层电介质膜层和保护膜层，所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、银膜层和牺牲膜层，或所述膜层组件包括沿基板向外依次层叠的电介质膜层、牺牲膜层和银膜层，所述膜层组件还包括GaMg界面膜层，所述GaMg界面膜层设置在银膜层与牺牲膜层之间和/或银膜层与电介质膜层之间，所述GaMg界面膜层中Ga的含量67at％。本发明可以提高膜系在高温热处理的稳定性，又可提高该薄膜器件的化学稳定性和改善其机械性能，且具有高的可见光透过率、低的电阻。
一种薄膜器件

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