专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种行波管屏蔽结构-CN201320058831.5有效
  • 李国;李新义;黄春林;夏晓明;陈燕;郭锐 - 成都国光电气股份有限公司
  • 2013-02-02 - 2013-07-31 - H01J23/04
  • 本实用新型公开了一种行波管屏蔽结构,该行波管丝结构为三层屏蔽结构,包括阴极组件、内热组件、中组件、外,所述阴极组件包括阴极,所述内热组件包括内热和内热组件台阶,所述中组件包括中和中台阶,所述阴极上有固定所述内热的台阶,所述中与内热组件台阶固定,所述外与中台阶固定。使用上述结构,与原有技术相比,阴极正常工作丝加热功率降低10%,较为显著的提高了丝加热效率,提高了阴极的可靠性和使用寿命。
  • 一种行波管热丝热屏蔽结构
  • [发明专利]可消除挥发份在外侧沉积的单晶炉-CN201010232685.4无效
  • 张志强;黄振飞;黄强;袁为进 - 常州天合光能有限公司
  • 2010-07-19 - 2010-12-15 - C30B15/14
  • 本发明涉及硅单晶炉设备技术领域,特别是一种可消除挥发份在外侧沉积的单晶炉场。它包括炉腔、炉腔内具有保温装置和坩埚,保温包围在坩埚外侧,装置盖设在保温上形成封闭式场,通入炉腔上部的保护气体通过热装置向下进入坩埚,然后通过热装置与坩埚之间的间隙向上流动进入装置与保温所围形成的保温腔,在装置上开设导气孔,保护气体直接通过导气孔进入保温腔上部,导气孔的两端开口高于坩埚上沿。通过在装置上开设导气孔,引导小部分保护气体进入装置与保温之间的顶部空间,改善装置与保温间隙内的气流结构,避免富含挥发份的气体在该处滞留以及挥发份在该处避免上的沉积。
  • 消除挥发外侧沉积单晶炉热场
  • [发明专利]一种用于直拉单晶炉节电型屏蔽结构-CN201711048539.4在审
  • 施小红 - 扬中市惠丰包装有限公司
  • 2017-10-31 - 2018-03-06 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种用于直拉单晶炉节电型屏蔽结构,主要内容为包括保温桶、保温盖、内导流定位环和外导流;所述保温桶为圆筒结构,保温桶的顶端设有定位凹槽,外导流安装在保温桶的定位凹槽里,外导流的顶面上设有定位凸台,外导流内底面上设有定位凹槽,内导流底端安装在外导流的定位凹槽内,定位环底面上设有环形凹槽,定位环中心孔靠近顶面处为内锥面,内导流上端卡在定位环内孔锥面上,定位环安装在外导流顶面上的定位凸台上,保温盖安装在保温桶的顶面上,定位环卡在保温盖的环形凹槽内。
  • 一种用于直拉单晶炉节电屏蔽结构
  • [发明专利]高温真空石墨烧结炉-CN202210000262.2在审
  • 张小元;张亚;郝国奇;陈永强 - 昇力恒(宁夏)真空科技股份公司
  • 2022-01-03 - 2022-04-12 - F27B21/00
  • 该温真空石墨烧结炉包括炉及设置在炉两端的炉盖,炉内设置有主体,炉盖内侧设置有端盖组件,端盖组件包括前、滑轨及驱动件,滑轨固定设置在炉盖上,前滑动设置于滑轨上,驱动件的输出端连接前,当炉盖盖合于炉时,驱动件能够驱动盖合于主体的端部的前主体分离。烧结完成后,自然降温至适合的温度后,驱动件向前施加一个远离主体的端部的力,使得前主体分离,形成气体交换通道,加速内均热区的降温速率,从而有利于缩短降温时间,加快降温速率。
  • 高温真空石墨烧结炉
  • [发明专利]一种及单晶炉用-CN201910044963.4在审
  • 李博一;冉瑞应;杨东;金雪;唐青 - 银川隆基硅材料有限公司
  • 2019-01-17 - 2020-07-24 - C30B15/00
  • 本发明提供了一种及单晶炉用场,涉及太阳能光伏技术领域。所述包括:本体和热量反射;所述本体具有拉晶通道;所述热量反射至少部分位于所述拉晶通道内,所述热量反射具有通孔;所述通孔与所述拉晶通道连通。热量反射至少部分位于拉晶通道内,热量反射具有通孔,该通孔与拉晶通道连通,使得热量通过拉晶通道向单晶炉低温部件传输过程中,由于位于拉晶通道中的热量反射的反射和阻挡等,大部分的热量会再次返回至熔体中,同时,包括本体和热量反射本体和热量反射可以分别单独加工,便于加工,且结构简单,便于装配。
  • 一种单晶炉用热场
  • [实用新型]一种单晶炉-CN201120275647.7有效
  • 王伟;卫志敏 - 常州天合光能有限公司
  • 2011-07-30 - 2012-04-11 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及太阳能光伏行业中的单晶炉,尤其是一种低功耗的单晶炉场。一种单晶炉场,它包括炉盖和炉,炉内设有大盖、、中保温、加热器、下保温、石英坩埚、三瓣埚,所述的大盖位于炉顶部的下方,所述的由内热和外组成,内热和外之间设置有碳毡层,所述的中保温位于下保温的上方,中保温位于加热器的外周,中保温和下保温的交接处位于加热器的下方部位,加热器位于三瓣埚的外周,三瓣埚围在石英坩埚的外周。
  • 一种单晶炉热场
  • [实用新型]一种直拉单晶炉用-CN201120055890.8有效
  • 钮应喜;张志强;黄振飞 - 常州天合光能有限公司
  • 2011-03-05 - 2011-10-05 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及一种直拉单晶炉用场,场从上到下,有上保温盖,上保温层,支撑环和保温,保温分为上保温、中保温和下保温场底部具有底部保温层,场中心设有支承轴,支承轴上具有坩埚托盘,坩埚托盘上依次是碳碳坩埚和石英坩埚,保温和碳碳坩埚之间设有加热器,支撑环连接有为内外两层,中间有碳毡隔热层,上保温层的厚度为20~40mm,上保温内径与加热器内径之间的距离5~10mm,底部保温层厚度为100~140mm本方案通过优化的结构和调整底部保温结构,来改善单晶炉的保温效果,改善场分布,从而降低能量消耗,本方案相比现有场能耗降低了30%左右,同时长晶速度也提高了20%。
  • 一种直拉单晶炉用热场
  • [实用新型]一种晶体拉制装置-CN202220726407.2有效
  • 宋克冉;董朝海;颜玉峰 - 曲靖晶龙电子材料有限公司
  • 2022-03-31 - 2022-09-06 - C30B15/00
  • 本实用新型提供一种晶体拉制装置,包括:导流,所述导流形成为筒状且底端设有气流出口;水冷热,所述水冷热形成为筒状且所述水冷热的外壁贴合于所述导流的内壁;环,所述环可拆卸地贴设在所述水冷热内壁底端本实用新型实施例的晶体拉制装置通过在水冷热的内壁底端可拆卸地设置环,从而通过将环贴设在水冷热内壁上或将环从水冷热内壁拆下,以适应不同尺寸晶体的拉制需求,避免了储备不同规格的水冷热和频繁更换水冷热
  • 一种晶体拉制装置
  • [实用新型]一种单晶硅生长炉的冷却式装置-CN202120455779.1有效
  • 万关良 - 永清县良晶半导体设备有限公司
  • 2021-03-02 - 2021-11-05 - C30B15/00
  • 本实用新型公开了一种单晶硅生长炉的冷却式装置,包括主体和连接环,所述连接环与所述主体的顶端固定连接,所述主体通过所述连接环与单晶硅生长炉相连接,所述主体为呈喇叭形的圆筒状,所述主体自内而外依次设置有内、若干组冷却管道、隔热层、反射层和外,所述内上设置有若干褶皱,所述冷却管道由冷却管壁与内组成,所述冷却管道内设置有冷却水,所述冷却管道的两端穿过所述连接环与外界联通,所述隔热层环绕所述冷却管道设置本实用新型采用上述结构的一种单晶硅生长炉的冷却式装置,能够提高热的隔热效果和拉晶效率,进而降低能耗,减少生产成本。
  • 一种单晶硅生长冷却式热屏装置

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