专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]折叠式光扩散-CN201521057842.7有效
  • 王士新;凌鹉;苗杰 - 常州大智光电有限公司
  • 2015-12-18 - 2016-08-10 - G02B5/02
  • 本实用新型公开了一种折叠式光扩散板,包括:第一扩散板、第二扩散板、第三扩散板和柔性连接套,所述第二扩散板的两侧分别设有第一扩散板和第三扩散板,所述第二扩散板和第一扩散板之间设有柔性连接套,所述第二扩散板和第三扩散板之间设有柔性连接套通过上述方式,本实用新型折叠式光扩散板,结构简单,可以折叠使用,简单方便,可调节光通透性。
  • 折叠式扩散
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201310661381.3在审
  • 张广胜;张森 - 无锡华润上华半导体有限公司
  • 2013-12-06 - 2015-06-10 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体器件,包括衬底,衬底上的埋层,埋层上的扩散层及扩散层上的栅极;所述扩散层包括第一扩散区和第二扩散区,所述第二扩散区的杂质类型与所述第一扩散区的杂质类型相反;在所述第二扩散区内还形成有多个第三扩散区,所述第三扩散区的杂质类型与所述第二扩散区的杂质类型相反。上述半导体器件,通过在第二扩散区内形成杂质类型相反的多个第三扩散区,可以通过调整第三扩散区的大小从而实现对第二扩散区浓度的调节及控制,实现对半导体器件的阈值电压的控制,获得可变阈值的半导体器件。
  • 半导体器件及其制备方法
  • [实用新型]一种高耐热扩散-CN202121377172.2有效
  • 吴恺 - 常州奥智高分子新材料有限公司
  • 2021-06-21 - 2021-11-26 - G02B5/02
  • 本实用新型属于扩散板领域,公开了一种高耐热扩散板,包括扩散层,所述扩散层的上表面和下表面均设置有耐热层,所述扩散层的上表面等间距开设有扩散槽,上表面上的所述耐热层的顶部设置有扩散膜,下表面上的所述耐热层的底部设置有导热涂层本方案的扩散板利用扩散层、扩散槽和扩散膜对光线进行折射和散射,使光线扩散到各个方向,使光线分布得更加的均匀,通过耐热层使扩散板具备极佳的耐高温性,避免长期使用扩散板发生变形或折皱现象,同时导热涂层具有较高的导热系数,能将热量快速的分散到外部,加快扩散板的散热。
  • 一种耐热扩散
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03801672.9无效
  • 中村光宏 - 索尼株式会社
  • 2003-08-29 - 2005-03-16 - H01L21/337
  • 提供了半导体器件,其中通过单次扩散使扩散层中的杂质扩散深度一致,并获得期望的阈值电压,从而提高产量,以及提供了制造这种半导体器件的方法。该半导体器件具有形成于衬底(12)上的沟道层(16),形成于该沟道层(16)上表面上的扩散停止层(17),形成于扩散停止层上表面上的扩散层(18),以及掺杂区域(25),其至少形成于扩散层(18)的一部分中以便与扩散停止层(17)相接触,且其中扩散有杂质。扩散停止层(17)的杂质扩散速率低于扩散层(18)的杂质扩散速率,因此停止杂质从扩散层(18)的扩散
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]多级扩散制氮装置-CN201710244178.4在审
  • 侯秋华;杨凡;蒋建荣;何彦甫;冯成方 - 杭州天利空分设备制造有限公司
  • 2017-04-14 - 2017-07-21 - B01D53/04
  • 本发明公开了一种多级扩散制氮装置,包括一级扩散层、二级扩散层、五级扩散层和初级扩散接管,所述初级扩散接管的一端设置有进气法兰,另一端设置有排气法兰,所述一级扩散层安装在初级扩散接管的内部下方,且一级扩散层的内部设置有丝网,所述初级扩散接管的内部中间位置处开设有进气孔,所述二级扩散层安装在初级扩散接管的上方,且二级扩散层的外部设置有套筒,所述二级扩散层的上方设置有三级扩散层,所述三级扩散层的内部设置有螺旋片旋风扩散器,本发明吸附塔内的分子筛的吸附能力得到充分发挥,气体因经多次扩散,减少了气体在膨胀时对分子筛的冲击,提高了分子筛的使用寿命和吸附能力。
  • 多级扩散装置
  • [实用新型]发光结构及移动电源-CN201922502480.2有效
  • 雷桂斌;邓伟;晏升福;张亮 - 深圳七千猫设计服务有限公司
  • 2019-12-31 - 2020-09-22 - F21S8/00
  • 发光结构,包括:光源;及导光体,导光体与光源对应设置、以使光源发出的光进入导光体中,导光体设有散光孔,散光孔包括第一扩散面、及与第一扩散面间隔相对设置的第二扩散面;其中,光在进入导光体后能够在第一扩散面的作用下折射并扩散到第二扩散面上,且扩散在第二扩散面上的光能够在第二扩散面的作用下折射并扩散、以从导光体射出。上述的发光结构中,光从光源发出后进入到导光体中,光达到第一扩散面后会在第一扩散面的作用下折射并扩散到第二扩散面上,且扩散在第二扩散面上的光能够在第二扩散面的作用下折射并扩散,形成更大的发光区域并从导光体射出
  • 发光结构移动电源
  • [实用新型]一种具有导光、扩散合一功能的导光扩散-CN202022378334.6有效
  • 黄伟胜 - 常州顺唯尔材料科技有限公司
  • 2020-10-23 - 2021-05-11 - G02B5/02
  • 本实用新型公开了一种具有导光、扩散合一功能的导光扩散板,涉及导扩散板技术领域,具体为一种具有导光、扩散合一功能的导光扩散板,包括导光层,所述导光层的顶部设置有扩散层,所述扩散层的上表面设置有凸面镜和扩散槽,所述扩散层的顶部设置有保护膜,所述导光层的底板设置有散热层。该具有导光、扩散合一功能的导光扩散板,通过一体化制作导光层和扩散层,由于导光层和扩散层之间的材料相同,光线在导光层和扩散层之间传播时损失的较少,有利于保持光线的亮度,通过在扩散层的表面设置扩散槽和保护膜,利用扩散槽和保护膜对光线进行折射和散射,使光线扩散到各个方向,使光线分布在更加的均匀,避免光线直射伤害视网膜。
  • 一种具有扩散合一功能
  • [实用新型]一种抗刮扩散膜及背光模组-CN202122541868.0有效
  • 刘学锋;蔡小超 - 张家港康得新光电材料有限公司
  • 2021-10-21 - 2022-11-22 - G02B5/02
  • 本实用新型提供一种抗刮扩散膜及包含该抗刮扩散膜的背光模组,所述抗刮扩散膜包括基材层、正扩散层和背扩散层,所述正扩散层可以为涂覆于所述基材层第一表面的包含有扩散粒子的胶粘剂涂布层,所述背扩散层设置在所述基材层第二表面,为在UV胶层上设置凸凹微结构的结构扩散层,所述背扩散层与导光板接触设置,所述背扩散层具有的凸凹微结构可以达到类似扩散粒子的扩散效果,并且可以解决耐磨、耐刮、抗冲击的问题。
  • 一种扩散背光模组
  • [发明专利]一种太阳能电池智能扩散工艺-CN202310915187.7在审
  • 梁玲;郭岂宏;王超;张波;赵科巍;杨旭彪;吕涛 - 山西潞安太阳能科技有限责任公司
  • 2023-07-25 - 2023-09-12 - H01L31/18
  • 本发明涉及太阳能电池生产领域,一种太阳能电池智能扩散工艺,获取数据库中评分最高的扩散工艺的设定参数;在扩散炉中,按照扩散工艺的设定参数进行扩散,实时检测扩散过程中的尾气中的气体组成和浓度;根据扩散工艺的设定参数、扩散过程中的尾气中的气体组成和浓度获得扩散过程中气体实时的消耗量;根据扩散过程中气体实时的消耗量,实时调整扩散工艺的气体流量的设定参数;将调整后的扩散工艺的气体流量的设定参数作为扩散工艺的设定参数,返回步骤二按照扩散工艺的设定参数继续进行扩散,直至完成整个扩散工艺;检测扩散完成后太阳能电池片的扩散情况,将评分及其对应的扩散工艺的设定参数反馈回数据库中。
  • 一种太阳能电池智能扩散工艺
  • [实用新型]一种高抗刮扩散-CN202021268893.5有效
  • 丁利明;王嫣红;翟才金 - 常州华威新材料有限公司
  • 2020-07-01 - 2021-01-08 - G02B5/02
  • 本实用新型公开了一种高抗刮扩散膜,包括基材层、第一扩散层、抗刮层、第二扩散层,基材层一侧与第一扩散层连接,另一侧与抗刮层连接,第一扩散层散布有第一扩散粒子,第二扩散层与第一扩散层连接,第二扩散层设置有第二扩散粒子,第一扩散层与第二扩散层连接处周期设置有凸起与凹槽,凸起之间的间距为35~40um,第二扩散粒子部分容纳于凹槽中。第一扩散膜的凹槽为第二扩散粒子提供了容纳空间,并增大了第二扩散粒子的回弹空间,大粒径颗粒的第二扩散粒子防刮伤能力强,且大粒径颗粒的第二扩散粒子下方存在树脂缓冲区,在遭受外力作用时,可以有效减缓划伤,并进行回复,使高抗刮扩散膜具有更好的防刮伤能力。
  • 一种高抗刮扩散
  • [实用新型]一种ESD保护器件-CN202122536041.0有效
  • 杨晓亮;李泽宏 - 济南市半导体元件实验所
  • 2021-10-21 - 2022-04-05 - H01L27/02
  • 本实用新型公开一种ESD保护器件,属于集成电路静电放电保护领域,包括N型单晶材料、P扩散区、N+扩散区和P+扩散区,P扩散区形成于N型单晶材料上,N+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一N+扩散区和形成于P扩散区上的第二N+扩散区、第三N+扩散区,P+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一P+扩散区和形成于P扩散区上的第二P+扩散区,N+扩散区和P+扩散区的上方设有多个形成于相邻N+扩散区和P+扩散区之间的表面钝化层,多个表面钝化层上连接形成第一金属层、第二金属层、第三金属层;第一N+扩散区和P扩散区之间设有隔离槽。
  • 一种esd保护器件

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