专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]罐体强度检测装置-CN201610963061.7在审
  • 芦东利 - 天津市德通制罐有限公司
  • 2016-11-04 - 2018-05-11 - G01N3/10
  • 本发明提供罐体强度检测装置,包括机架,所述机架上安装有电机和传送履带,所述传送履带上设置有弧形槽,所述机架上传送方向的后端上方设置有固定支架,所述固定支架上设置有施压机构,形变检测器,吸罐机构和控制机构本发明的有益效果是利用该罐体强度检测装置,可对金属罐的侧身强度逐个进行检测,并将形变较大的不合格产品直接剔除出去,保证产品的质量。
  • 强度检测装置
  • [发明专利]强度-CN201610255960.1在审
  • 王东平 - 江阴市东升建筑机械有限公司
  • 2016-04-25 - 2017-10-31 - E04C1/41
  • 本发明公开了一种高强度砖,包括砖体,所述砖体两端对称设置有凹槽,所述凹槽设置成梯形结构,所述凹槽内设置有生石灰层,所述砖体内部设置有孔,所述孔内设置有若干铁块;本发明结构设计合理,能够通过铁块实现对砖体有效的支撑,增加砖体的强度,生石灰层实现有效吸收潮气的作用,强度高,性能好。
  • 强度
  • [发明专利]强度钢丝-CN201880042600.0在审
  • 小此木真;松井直树 - 日本制铁株式会社
  • 2018-06-29 - 2020-02-21 - C22C38/00
  • 本发明涉及一种高强度钢丝,其包含规定的成分组成,在包含钢丝的中心轴且与中心轴平行的断面中,钢丝内部的珠光体组织的面积率为90%以上,钢丝表层部的珠光体组织的面积率为80%以上;在整个所述钢丝的组织中,渗碳体的平均长度在1.0μm以上的薄片状珠光体组织的面积率为30%~65%,且渗碳体的平均长度在0.30μm以下的分割珠光体组织的面积率为20%~50%;且抗拉强度为1960MPa以上。
  • 强度钢丝
  • [发明专利]楼房强度检测方法-CN201911331490.2在审
  • 陈伟;余旭帆;陈功迪;黎伟锦 - 广州新稳房屋安全鉴定有限公司
  • 2019-12-21 - 2020-04-07 - G01N33/38
  • 本发明涉及一种楼房强度检测方法,所述方法包括:通过超声法,获得声速值;通过回弹法,获得回弹值;通过拔出法,获得拔出力;获取测量地区,根据预设的函数关系式与测量地区的关系,匹配对应的函数关系式;所述函数关系式包括对应声速值的第一函数式,对应回弹至的第二函数式,对应拔出力的第三函数式,所述第一函数式代入声速值得到第一换算强度,所述第二函数式代入回弹值得到第二换算强度,所述第三函数式代入拔出力得到第三换算强度
  • 楼房强度检测方法
  • [发明专利]强度冷柜-CN202110774679.X在审
  • 张卓伟;刘志勇;蒋炜斌;张群阔;唐穗 - 万宝电器有限公司
  • 2021-07-08 - 2021-11-09 - F25D11/00
  • 本申请公开了一种高强度冷柜。本申请的高强度冷柜包括箱体和两个加强结构,所述箱体的内侧形成有压缩机仓和冷冻仓,所述压缩机仓和所述冷冻仓之间设有保温层,所述压缩机仓的两端延伸至所述箱体的两侧;两个加强结构设于所述压缩机仓内,且分别位于所述压缩机仓的两端本申请的高强度冷柜,至少具有如下有益效果:通过在压缩机仓内设置加强结构,用于提高压缩机仓的强度,从而保护压缩机仓在运输过程中不易被磕损,导致箱体被损坏,另外,加强结构至少部分延伸至保温层,能够进一步提高该加强结构的保护范围及效果
  • 强度冷柜
  • [发明专利]横向偏置强度增强-CN202110279552.0在审
  • 毛明;C-J·钱 - 西部数据技术公司
  • 2021-03-16 - 2021-12-21 - G11B5/31
  • 本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。所述绝缘材料是多层结构。所述多层结构的第一层包括与隧道磁阻屏障层相同的材料,例如MgO,且安置成邻近于所述DFL传感器,但与所述RHB结构间隔开。所述多层结构的第二层是不同绝缘层,其安置成邻近于所述RHB结构,但与所述DFL传感器间隔开。所述多层结构有助于通过维持RHB矫顽磁性而改善面密度,而不会使头稳定性和性能可靠性降级。
  • 横向偏置强度增强

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