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[发明专利]温度与发射率分离方法及装置-CN202010488498.6有效
发明人：杨杭;尹忠科 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院;中国人民解放军61646部队
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供基于双网络的一种温度与发射率分离方法及装置。其中，方法包括：将目标地物的热红外辐射光谱和大气测量参数输入至第一网络模型，输出大气下行辐射；将大气下行辐射和热红外辐射光谱输入至第二网络模型，输出目标地物的温度和发射率；其中，第一网络模型是根据大气查找表进行训练获得的；第二网络模型是根据样本遥感数据及其对应的温度和发射率进行训练获得的。本发明实施例提供的温度与发射率分离方法及装置，通过第一网络模型估计大气下行辐射，通过第二网络模型进行温度与发射率分离，能提高温度与发射率分离的精度。
温度发射分离方法装置

[发明专利]一种高发射率高熵陶瓷粉体材料及涂层制备方法-CN202110073088.X有效
发明人：高明浩;栾胜家;王远鸿;周恬伊;朱宏博;常辉;徐娜;张甲;侯万良;常新春 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及高温防护材料及涂层领域，具体为一种高发射率高熵陶瓷粉体材料及涂层制备方法，有助于高效散热以避免基体材料超温失效。>SmyAl(1‑a‑b‑x‑y)O(3+x‑b)/2(下标为原子比)的高发射率高熵陶瓷粉体材料，采用“固相烧结+机械破碎”的方法制备喷涂粉末，并利用大气等离子喷涂制备高发射率涂层。该成分体系高发射率涂层耐温能力超过1100℃，在1150℃×5min、水淬条件下循环30次以上，无涂层剥落、起皮等现象，室温条件发射率高达0.96，1200℃发射率达到0.92。
一种发射率高熵陶瓷材料涂层制备方法

[实用新型]一种滑台式发射率测试装置-CN201820519679.9有效
发明人：王潇楠;李文军 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种滑台式发射率测试装置，包括X电机，X轴，X平移台，样品，Y电机，Y轴，Y平移台，环形夹。本实用新型通过设计一种滑台式发射率测试装置，能够在红外测温技术领域提供比较广泛的发射率区间，并提供连续可选的表面单元，可选的表面单元在工作温度区间内有连续稳定的发射率，还可直接得到特定发射率，提高测量发射率的精度
发射率测试装置滑台式环形夹本实用新型平移表面单元可选的工作温度区间垂直放置红外测温样品放置环口测量

[发明专利]阳光防护装置-CN201580006746.6有效
发明人： B·德沃;索菲·埃尔潘;V·达曼;R·蒂齐 -专利权人：戴卡特隆有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： E04H15/54 文献下载
摘要：)，其限定免受外部区域的阳光辐射的防护区域(3)，该装置包括至少一个面板(4)，该面板具有相对的外表面(4a)和内表面(4b)，所述面板(4)的内表面(4b)包括按以下顺序竖向相邻的各部分：具有红外线发射率E1(％)的第一层，具有红外线发射率E2(％)的第二层，第二层的红外线发射率E2(％)低于第一层的红外线发射率E1(％)。所述面板(4)还被布置成使得所述内表面(4b)的红外线发射率E3(％)低于外表面(4a)的红外线发射率E4(％)。
阳光防护装置

[发明专利]与晶片发射率无关的有效晶片温度控制的利用-CN200580020989.1无效
发明人： J·王;R·詹姆斯;E·J·拉姆伯特;J·莱昂纳;R·布林多斯;K·L·克努特森;M·阿姆斯特隆;J·桑福德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：实施例涉及衬底或者发射率大于硅晶片的发射率的晶片边缘支架，其中边缘支架用于在加工以在晶片上或者晶片中形成电路器件期间支撑晶片。具体地说，在加工期间利用具有大于或等于晶片发射率的发射率的边缘支架允许氦气喷嘴对准边缘支架和/或晶片边缘，以减少退火期间边缘的温度上升。因为来自不同工艺和退火位置的晶片可能全都具有不同的发射率，因此利用反馈环将允许一个边缘环支撑各种不同发射率的晶片的均匀退火。
晶片发射无关有效温度控制利用

[发明专利]发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法-CN202210359289.0在审
发明人：陈路路;赵海洋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本申请公开一种发射率测量装置及方法、半导体加工设备及红外测温方法，发射率测量装置用于测量被测件的发射率，发射率测量装置中，反射件支撑件用于支撑第一反射件和第二反射件，第一反射件和第二反射件均与被测件相对；第一红外辐射能量计用于测量被测件发射的能量以及被测件发射的经过第一反射件反射的能量，第二红外辐射能量计用于测量被测件发射的能量以及被测件发射的经过第二反射件反射的能量；第一红外辐射能量计和第二红外辐射能量计均与计算元件相连，计算元件用于根据第一红外辐射能量计和第二红外辐射能量计的测量值计算被测件的发射率。本申请可解决使用固定发射率的红外高温计测量不准确的问题。
发射测量装置方法半导体加工设备红外测温

[发明专利]一种用于航天器的镁合金表面热控膜层的制备方法-CN201710030848.2在审
发明人：王旭东;李荣博;赵佳旖;张鹤荠 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C25D11/30 文献下载
摘要：先对镁合金基体进行前处理，然后在一种新的电解液中进行微弧氧化，制备高半球发射率的微弧氧化膜层。其中前处理包括打磨、碱洗及待氧化件装夹。本发明省略了传统工艺中对环境有污染的活化步骤，用较为环保的着色剂和有机络合剂替代传统的氰化物盐，绿色环保，同时具有氧化时间短、电解液稳定和膜层防护性好的优点，制备的热控膜层的半球发射率为0.85～0.90
一种用于航天器镁合金表面热控膜层制备方法

[发明专利]一种高吸收率薄膜型电加热片-CN201611061045.5有效
发明人：张建堃;孙敬文;彭聪;任晓雯;陈延龙 -专利权人：上海卫星装备研究所
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H05B3/20 文献下载
摘要：本发明涉及到元器件加热所需装置，公开了一种高吸收率薄膜型电加热片，包括高吸收/发射率绝缘层、导电加热回路、粘贴层、引出导线；所述粘贴层贴在真空环境中需要加热的物体表面，所述导电加热回路由引出导线导出，附在高吸收/发射率绝缘层、粘贴层之间。所述高吸收/发射率绝缘层采用高吸收/发射率聚酰亚胺绝缘层，所述导电加热回路采用康铜电热层，所述粘贴层采用聚酰亚胺绝缘层。该高吸收/发射率薄膜型电加热片，具有结构简单，光谱吸收率高，能量转换效率高的特征。
一种吸收率薄膜加热

[发明专利]一种高温单颗粒煤焦热辐射波段的光谱发射率分布模型的建立方法-CN202110639203.5有效
发明人：闫伟杰;邢小玉;李框宇;弓慧芳;胡智超;周怀春 -专利权人：中国矿业大学;江苏汉光智能科技有限公司;江苏神火环保科技有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：一种高温单颗粒煤焦热辐射波段的光谱发射率分布模型的建立方法，实现高温单颗粒煤焦热辐射波段（200 nm‑20μm）的辐射光谱在线探测，研究煤焦颗粒在热辐射波段的光谱辐射强度分布特性；选择可见光波段辐射光谱，研究非灰体假设光谱发射率模型，实现煤焦颗粒表面温度的准确测量；研究光谱分离算法，消除气体产物辐射光谱干扰，获取煤焦颗粒在热辐射波段的光谱发射率分布；建立不同温度、不同燃尽度下的热辐射波段光谱发射率数据库，填补高温煤焦颗粒在热辐射波段内光谱发射率数据的空白。
一种高温颗粒煤焦热辐射波段光谱发射分布模型建立方法

[发明专利]一种兼容热致变发射率和频率选择散热的红外隐身超结构-CN202110625429.X有效
发明人：方菲;赵越超 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼容热致变发射率和频率选择散热的红外隐身超结构，包括设置于衬底上呈周期排列的若干电磁谐振单元，各电磁谐振单元均分别包括由下至上依次叠设的发射率调控层和介电层，以及周期排布于介电层之上的若干金属柱；发射率调控层是通过在叠设于衬底之上的金属层中嵌入相变材料制得。本发明能够实现在大气透射窗口：3‑5μm和8‑14μm调制发射率，同时增强大气吸收波段5‑8μm的热辐射来主动散热，且具有较宽的发射率调控范围，能够适应多种红外隐身场景。
一种兼容热致变发射频率选择散热红外隐身结构

[发明专利]一种发射率现场测量的方法-CN91107415.5无效
发明人：张才根;李琦 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 1991-05-30 - 公布日： 1993-06-16 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明提供了一种发射率现场测量的新方法。它是把经过调制的一定波长的辐射光束人射到被测物表面，采用相毓检波方法处理信号的辐射计接收被反射的调制辐射，再与发射率参考板的信号进行比较和运算，得到被测物的发射率。因辐射计对环境辐射和被测物的自身辐射完全不响应，故这种方法可在任何复杂的辐射环境下工作，也可对任何温度的物体进行发射率测量。通过控制人射辐射的光谱成分及辐射计的光谱响应，还可测量各种光谱及光谱范围的发射率。
一种发射现场测量方法

[实用新型]烹饪装置的测温装置及烹饪装置-CN202221163405.3有效
发明人：江德勇;郑量;江太阳;王云峰;任祥喜 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： F24C7/00 文献下载
摘要：测温装置包括烹饪器具温度检测电路、面板温度检测电路、发射率检测电路以及信号处理电路；烹饪器具温度检测电路用于检测烹饪器具的第一温度信号；面板温度检测电路，用于检测面板的第二温度信号；发射率检测电路用于检测烹饪器具的发射率；信号处理电路分别与烹饪器具温度检测电路、面板温度检测电路以及发射率检测电路连接，并基于第一温度信号、第二温度信号以及发射率，获取烹饪器具的温度信号。
烹饪装置测温

[发明专利]用于成束电力传输电缆中的电线的电瓷涂层-CN201580054346.2在审
发明人： S·E·多兰;M·M·齐姆;E·C·屈恩斯;M·小隆巴尔多 -专利权人：汉高股份有限及两合公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01B7/29 文献下载
摘要：至少一根电线涂覆有高发射率涂层，其中所述高发射率涂层包含至少10重量％的氧化铝和非氧化铝的金属氧化物。其特征是，涂覆有高发射率涂层的电线具有大于大约0.5的在电磁波谱的红外区域中的发射率，以及比涂覆高发射率涂层之前的裸露电线的表面积大至少50倍的表面积。
用于电力传输电缆中的电线涂层

[发明专利]一种抗高温耐腐蚀高发射率陶瓷涂料及其制备方法-CN202110274203.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：周少华
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及涂料技术领域，具体涉及一种抗高温耐腐蚀高发射率陶瓷涂料及其制备方法，由填料5‑12%、稀土发射剂20‑38%、陶瓷添加剂1‑3%、金属氧化物2‑5%、粘结剂15‑25%、助剂0.5‑1.5%、水18‑35%组成，本发明的抗高温耐腐蚀高发射率陶瓷涂料兼有金属和陶瓷复合材料的综合优点，具有高耐腐蚀性、硬度高、耐磨损，高抗热震能力，以及高发射率、高热导率，能够与基材紧密结合形成致密的化学惰性保护，在炉体及管道受热面形成保护层，最高可承受高达3300度的高温，大大减轻高温气流对受热面的磨损，降低高温腐蚀速率，延长炉体及管道的使用寿命，并且其发射率及换热效率高发射率不小于0.95；本发明的抗高温耐腐蚀高发射率陶瓷涂料制备方法工艺简单
一种高温腐蚀发射陶瓷涂料及其制备方法

[发明专利]α粒子发射率测试方法-CN202110654904.6在审
发明人：张战刚;陈资文;雷志锋;黄云;罗俊洋;彭超;何玉娟;肖庆中;李键坷;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种α粒子发射率测试方法，包括获取测试样品；对测试设备的背底噪声进行调试，使得测试设备的α粒子发射率小于设定值；利用完成调试的测试设备对测试样品进行α粒子发射率测试通过在对测试过程前通过背底噪声调试来降低环境噪声和设备自身发射α粒子本底对测试结果的影响，在测试完成后通过数据分析来进一步确定超低本底电子材料的测试样品的实际α粒子发射率。利用上述α粒子发射率测试方法可以实现对超低本底电子材料的测试样品α粒子发射率、能谱的准确测量，提高试验准确度。
粒子发射测试方法

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