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- [发明专利]一种空化污水处理装置-CN202311063867.7在审
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王兆霖;李丕成;尚瑞;姚付江;赵奂
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山东奥美环境股份有限公司
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2023-08-23
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2023-09-15
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C02F1/34
- 本发明公开了一种空化污水处理装置，涉及污水处理装置技术领域，包括壳体和空化组件所述壳体的内部形成有空化腔，且空化腔的两端分别设置有进液口和出液口；所述空化组件包括涡状叶片，所述涡状叶片的内部具有一级涡状腔，且所述一级涡状腔在涡状叶片宽度方向一端具有涡状开口，所述一级涡状腔内侧的涡状叶片上均匀设置有一级空化发生孔。本发明能在污水通过空化组件过程中，使污水发生两次空化，以充分的降解污水中的有害物质，提升对污水的处理效果，并且本发明在保证空化组件强度的前提下，增加了空化发生孔的数量，一方面使得空化区域更大，提高对污水的处理效率，另一方面使得空化区域更加集中，提升空化过程中对污水处理的效果。
- 一种污水处理装置
- [发明专利]晶体管布局装置-CN201210545672.1无效
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林肇崧
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成一电子股份有限公司
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2012-12-14
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2014-05-07
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H01L29/06
- 一种晶体管布局装置，包含半导体基底、栅极结构及第一、二金属层，半导体基底包括漏极区与源极区，漏极区在相邻源极区间且源极区在相邻漏极区间而成阵列排列，栅极结构包括在漏极区与源极区间的栅极；第一金属层包括多数第一块状区及第一图案化板状区，第一块状区电连接漏极区，第一图案化板状区间隔围绕第一块状区并电连接源极区，第二金属层包括多数第二块状区及第二图案化板状区，第二块状区电连接第一图案化板状区，第二图案化板状区间隔围绕第二板状区并电连接第一块状区本发明通过此第一、二块状区，有效降低第一、二金属层的寄生电阻。
- 晶体管布局装置
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