专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纳米二氧化钛薄膜光催化剂表面气相扩改性方法-CN201010213903.X有效
  • 姜兆华;姚忠平;贾方舟;李春香 - 哈尔滨工业大学
  • 2010-06-30 - 2010-10-20 - B01J27/24
  • 一种纳米二氧化钛薄膜光催化剂表面气相扩改性方法,它涉及纳米二氧化钛薄膜光催化剂的扩改性方法。本发明解决现有用于光催化制的二氧化钛薄膜的产效率低的问题。本发明的方法:首先利用阳极氧化方法在钛基体上制备纳米二氧化钛薄膜,然后加热滴炉至500~800℃,向滴滴入甲醇使其中空气排空,然后将处理后的钛基体放入滴,再将剂滴入滴即可。本发明的方法将碳,碳和氮,碳和稀土元素,或者碳、氮和稀土元素修饰至纳米二氧化钛薄膜表面及晶格中,得到的改性纳米二氧化钛光催化剂的光催化制的产速率是是没有进行气相扩处理的二氧化钛薄膜的产速率的1.16~1.48倍,光催化制性能大大提高。
  • 一种纳米氧化薄膜光催化剂表面气相扩渗改性方法
  • [发明专利]一种应力与条件下金属表面电势原位测试装置及方法-CN202010866706.1有效
  • 姜建堂;何奇垚;甄良;邵文柱 - 哈尔滨工业大学
  • 2020-08-26 - 2021-08-10 - G01Q60/30
  • 本发明提供了一种应力与条件下金属表面电势原位测试装置及方法,装置包括应力加载机构、机构和表面电势测量机构,应力加载机构包括基座、试样、压头、螺母和千分表,试样、压头和螺母均设置在基座;表面电势测量机构包括KPFM测试系统、开尔文探针和样品台,开尔文探针与KPFM测试系统相连,开尔文探针用于对试样表面电势检测,试样通过导线与样品台相连;机构包括电化学工作站、充槽、充溶液、辅助电极和参比电极,充槽置于样品台上,基座置于充槽中。本发明能够将应力加载与过程相结合,采用试样底面充方式实现渗透与开尔文探针的并行测试,完成金属试样在应力与耦合条件下的表面电势原位测试。
  • 一种应力条件下金属表面电势原位测试装置方法
  • [发明专利]一种分离合金临界脆的表征方法-CN201610825418.5有效
  • 李新中;黄菲菲;梁骁;刘冬梅;陈瑞润;郭景杰;苏彦庆 - 哈尔滨工业大学
  • 2016-09-14 - 2019-10-08 - G01N15/08
  • 一种分离合金临界脆的表征方法,涉及分离合金性能研究领域,具体涉及一种分离合金临界脆的表征方法。本发明为了解决目前还没有一种分离合金临界脆的表征方法。本发明首先在真空状态下对分离合金进行加热,然后在分离合金两侧通入氢气;保持分离合金两侧具有一定的压差,将所述分离合金在恒定的降温速率下逐渐冷却,直至发生脆或降到20℃~25℃;记录该过程的流量、时间和温度;根据降温过程的温度、时间、流量,并结合压力得到分离合金在特定压力下流量与温度的关系曲线,通过流量与温度的关系曲线对分离合金临界脆进行表征。本发明适用于分离合金性能研究领域。
  • 一种分离合金临界表征方法
  • [实用新型]锌和柔性工程漆酚酞防腐涂层-CN201020504226.2有效
  • 邹积强 - 邹积强
  • 2010-08-25 - 2011-05-18 - F28F19/02
  • 本实用新型公开了一种锌和柔性工程漆酚酞防腐涂层,涉及冷换设备领域。所述锌和柔性工程漆酚酞防腐涂层是在冷换设备管束的表面或外表面设有锌层,在冷换设备管束锌层外覆盖有防腐涂层,所述锌层包括冶金化混合铁锌合金层和锌铁合金层。本实用新型所述锌和柔性工程漆酚酞防腐涂层是在冷换设备管束内外表面的整体高温锌,外加柔性工程耐温的漆酚钛涂层进行封闭。锌涂层一个显著的特点就是表面形成的Zn5(CO3)2(OH)6,Zn5(OH)8Cl2H2O及NaZnCl(OH)6SO46H2O具有防腐功能。同时锌层具有阴极保护作用,可以减少设备发生脆、鼓泡、致开裂的发生率,延长设备的使用寿命。
  • 柔性工程酚酞防腐涂层
  • [发明专利]一种钕铁硼磁体晶界扩的制备方法-CN201610423986.2在审
  • 高学绪;包小倩;卢克超;汤明辉;李纪恒 - 北京科技大学
  • 2016-06-15 - 2016-08-24 - H01F41/02
  • 本发明属于磁性功能材料领域,特别提供了一种钕铁硼磁体晶界扩的制备方法。其特征在于将R-M合金破粉作为钕铁硼磁体晶界扩的扩源,其中R为La,Ce,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy,Ho中的至少一种,M为Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Al中的至少一种,M的原子分数5-具体工艺步骤为:用速凝法制备R-M合金薄片;将合金薄片进行破处理得到R-M破粉;将R-M破粉附着在钕铁硼磁体的表面作为扩源;进行晶界扩及退火热处理。该发明的主要优点是:R-M破粉具有很强的抗氧化性;R‑M破粉熔点低,扩效率高;工艺简单,操作方便。
  • 一种钕铁硼磁体晶界扩渗制备方法

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