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[发明专利]鳍状场效晶体管及其工艺-CN201210080899.3在审
发明人：林建廷;江文泰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状场效晶体管(FinFET)及其工艺，该工艺包括下述步骤。首先，提供基底。接着，形成第一鳍状场效晶体管以及第二鳍状场效晶体管于基底上，其中第一鳍状场效晶体管包括第一金属层，而第二鳍状场效晶体管包括第二金属层。然后，进行处理工艺于第一金属层，以改变第一鳍状场效晶体管的临限电压。
鳍状场效晶体管及其工艺

[发明专利]一种SRAM及其形成方法和电子装置-CN201911011958.X在审
发明人：林昱佑 -专利权人：广东汉岂工业技术研发有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种SRAM的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成NMOS器件区和PMOS器件区，其中，NMOS器件区包括由SiP构成有源区的PG晶体管和由Si构成有源区的PD晶体管，PMOS器件区包括由SiGe构成有源区的PU晶体管；形成包括第一鳍状件、第二鳍状件和第三鳍状件的鳍结构，其中，第一鳍状件形成在PD晶体管，第二鳍状件形成在PG晶体管，第三鳍状件形成在PU晶体管。相较于传统的由Si组成的位于NMOS器件的鳍结构，由SiP构成有源区的PG晶体管可以将SRAM的性能提升约20％～30％，同时由于PD晶体管采用Si构成有源区，因此还可以同时保持良好的稳定性。
一种 sram 及其形成方法电子装置

[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法-CN202110011339.1在审
发明人：李伟齐;叶书玮;陈昌宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法，其中该静态随机存取存储器的布局图案至少包含一基底，多条鳍状结构位于该基底上，多条栅极结构位于该基底上并且跨越该多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于该基底上，其中该多个晶体管包含，一第一上拉晶体管(PU1)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二上拉晶体管(PU2)、一第二下拉晶体管(PD2)、一第一存取晶体管(PG1)、一第二存取晶体管(PG2)、一第一读取晶体管(RPD)与一第二读取晶体管(RPG)，以及一增设鳍状结构，其中该增设鳍状结构位于该第一存取晶体管(PG1)的该鳍状结构与该第二读取晶体管(RPG)的该鳍状结构之间。
静态随机存取存储器布局图案及其形成方法

[发明专利]一种碳纳米管三维鳍状晶体管及其制备方法-CN201910730427.X有效
发明人：徐琳;张志勇;彭练矛 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳纳米管三维鳍状晶体管及其制备方法，其中，所述碳纳米管三维鳍状晶体管是一种以狄拉克二维半金属为源漏极的基于内嵌栅鳍的晶体管结构，这种结构的碳纳米管三维鳍状晶体管在具有较小尺寸的同时，能够降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应，这是因为狄拉克二维半金属具有二维的超薄结构，将其作为碳纳米管三维鳍状晶体管的源极和漏极材料可以减小源漏极对于栅结构中的栅电极的静电屏蔽作用，从而降低碳纳米管三维鳍状晶体管的短沟道效应。另外，所述碳纳米管三维鳍状晶体管可以通过在内嵌金属栅鳍上施加电压，从而影响沟道内的电势分布，进而实现对器件阈值的分立调控作用，实现动态控制器件阈值的功能。
一种纳米三维晶体管及其制备方法

[发明专利]用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图-CN202010821446.6有效
发明人：陈尚志;张玉静;杨忙 -专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于指状结构鳍式场效应晶体管的电性解析版图，涉及集成电路技术领域。电性解析版图包括第一版图和第二版图，第一版图为指状结构鳍式场效应晶体管，指状结构鳍式场效应晶体管的栅极、源极、漏极和基底均为并联，第二版图为用于解析指状结构鳍式场效应晶体管的版图，第二版图的至少部分的栅极、源极或漏极具有个别的金属线连接，第二版图的基底共用，第二版图的至少部分的晶体管可被单独量测，这样，可以将原先要解析的指状结构鳍式场效应晶体管的个别晶体管的电学行为进行拆解和组合，可以完全地解析指状结构鳍式场效应晶体管的电学行为此版图还可用于校验鳍式场效应晶体管的电路模型，以及其版图效应的加成性是否准确。
用于结构场效应晶体管解析版图

[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其制作方法-CN201210019069.X有效
发明人：陈东郁;王志荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状场效晶体管结构及其制作方法。鳍式场效晶体管结构包含基底、鳍状结构、绝缘层与栅极结构。绝缘层覆盖基底以及部分围绕鳍状结构的侧面形成一L型绝缘层，其中该L型绝缘层与鳍状结构有蚀刻选择比。栅极结构部分包围鳍式结构，通过L型绝缘层，可以控制鳍状场效晶体管的通道宽度。
鳍状场效晶体管结构及其制作方法

[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备-CN202010399407.1在审
发明人：李永亮;李俊杰;程晓红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在鳍状结构与衬底之间形成隔离层，以抑制寄生沟道及源漏漏电，降低鳍式场效应晶体管的制作成本。所述鳍式场效应晶体管包括衬底、隔离层、鳍状结构和栅堆叠结构。隔离层形成在衬底上。鳍状结构形成在隔离层上。鳍状结构沿第一方向延伸。鳍状结构包括源区、漏区和沟道区，沟道区分别与源区和漏区接触。隔离层覆盖衬底的面积小于或等于鳍状结构覆盖衬底的面积。栅堆叠结构形成在沟道区的外周。栅堆叠结构沿第二方向延伸。所述鳍式场效应晶体管的制作方法用于制作上述技术方案所提供的鳍式场效应晶体管。本发明提供的鳍式场效应晶体管应用于电子设备中。
一种场效应晶体管及其制作方法电子设备

[发明专利]通过子鳍状物半导体材料的背面处理减小源极/漏极泄漏的晶体管-CN202211025428.2在审
发明人： R·米恩德鲁;S·塞亚;P·基斯;A·利拉克;C·韦伯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：集成电路包括具有在鳍状物的基部部分上方的沟道部分的晶体管结构。鳍状物的基部部分是绝缘非晶氧化物或反掺杂的晶体材料。可以首先利用通过晶体衬底的正面引晶的外延工艺来形成诸如鳍状物的沟道部分以及源极和漏极材料的晶体管结构。在正面处理之后，可以暴露晶体管结构的背面，并且使用避免使沟道材料劣化同时减少晶体管截止状态泄漏的背面处理和低温将鳍状物的基部部分从晶体衬底组成修改为非晶氧化物或反掺杂晶体材料。
通过子鳍状物半导体材料背面处理减小泄漏晶体管

[发明专利]静态随机存取存储器的布局图案-CN201610356955.X有效
发明人：叶书玮;吴宗训;苏智洺;郭有策 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含一第一上拉晶体管、一第二上拉晶体管、一第一下拉晶体管、一第二下拉晶体管、一第一存取晶体管以及一第二存取晶体管位于一基底上，多个鳍状结构位于基底上，至少包含有一至少一第一鳍状结构与至少一第二鳍状结构，至少一J状栅极结构，该至少一J状栅极结构包含有一长边部分、一短边部分以及一连接该长边部分与该短边部分的桥接部分，以及至少一第一延伸接触结构，横跨于该至少一第一鳍状结构与该至少一第二鳍状结构，其中该至少一第一延伸接触结构与该桥接部分不重叠
静态随机存取存储器布局图案

[发明专利]鳍状晶体管与鳍状晶体管的制作方法-CN201510355085.X在审
发明人：许智凯;洪裕祥;傅思逸;郑志祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-06-25 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状晶体管与鳍状晶体管的制作方法。该鳍状晶体管，包含一基底，其上定义有多条鳍状结构，一栅极结构横跨各个鳍状结构以及二外延层分别设置于栅极结构的两侧，其中各个外延层的一上表面包含一第二凹凸轮廓，一接触插塞接触第二凹凸轮廓，第二凹凸轮廓可使得接触插塞和外延层的接触面积增加
晶体管制作方法

[发明专利]多栅极场效应晶体管结构及其制造方法-CN200810215910.6无效
发明人：保罗·帕特诺 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有鳍状结构的多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，该鳍状结构用于在其中形成该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道，该鳍状结构是在SOI型结构的埋入绝缘体上从所述SOI型结构的至少一个有源半导体层起形成的，所述方法包括以下步骤：提供SOI型基板，该SOI型基板包括至少一个有源半导体层、一埋入绝缘体以及一载体基板；以及在所述绝缘体上从所述半导体层起形成一鳍状结构，所述鳍状结构形成了用于该多栅极场效应晶体管结构的晶体管沟道的区域本发明的目的是提供一种多栅极场效应晶体管结构及其制造方法，其中，可以近乎理想地制备出这种多栅极场效应晶体管结构，从而解决几个相关问题。
栅极场效应晶体管结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201710998624.0在审
发明人：杨玉如;刘志建;谢朝景;周孝邦 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含有一鳍状晶体管，位于一基底上，该鳍状晶体管包含有一栅极结构跨越于一鳍状结构上，以及至少一源/漏极区，以及一电阻式随机存取存储器(RRAM)，包含一下电极、一电阻转换层与一上电极依序位于该源/漏极区上并电连接于该鳍状晶体管。
半导体结构鳍状晶体管源/漏极电极电阻式随机存取存储器电阻转换栅极结构鳍状结构电连接基底鳍状制作

[发明专利]鳍式场效应晶体管装置及其制造方法-CN201410201636.2在审
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种鳍式场效应晶体管装置及其制造方法。该鳍式场效应晶体管装置包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的鳍状结构，鳍状结构包括支撑柱和加宽层，支撑柱设置在半导体衬底上，加宽层设置在支撑柱上。根据本申请的鳍式场效应晶体管装置及其制造方法，提高整个鳍式场效应晶体管的控制性能，使载流子输运更加可靠且使栅极与外延层的界面稳定性得到提高。
场效应晶体管装置及其制造方法

[发明专利]静态随机存取存储器单元阵列及其形成方法-CN201710963096.5有效
发明人：黄俊宪;郭有策;王淑如 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：首先，图案化而形成多个鳍状结构于一基底上，其中此些鳍状结构包含多个主动鳍状结构以及多个牺牲鳍状结构，各通道晶体管(PG FinFET)与对应的一降压晶体管(PD FinFET)至少共享一主动鳍状结构，在一存储器单元中二相邻的升压晶体管(PU FinFET)跨设的二主动鳍状结构之间设置有至少一牺牲鳍状结构。接着，移除此些牺牲鳍状结构的至少一部分。
静态随机存取存储器单元阵列及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202310364008.5在审
发明人：李永亮;贾晓锋;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以降低三维叠层互补晶体管的制造难度，提升三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括：对半导体衬底进行图案化处理，以在半导体衬底上形成鳍状结构。鳍状结构包括沿半导体衬底的厚度方向依次设置的第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部。在半导体衬底上形成浅槽隔离层。采用离子注入工艺并以第一注入角度，对第二鳍部进行掺杂处理。采用离子注入工艺并以第二注入角度，对第三鳍部进行掺杂处理。对浅槽隔离层进行回刻处理，以暴露出第二鳍部。基于第二鳍部形成第一环栅晶体管、以及基于第三鳍部形成第二环栅晶体管。第一环栅晶体管和第二环栅晶体管构成三维叠层互补晶体管。
一种半导体器件制造方法

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