“高掺杂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3519891个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]静电放电保护装置、电路及其制作方法-CN201710616644.7有效
发明人：洪慈忆;陈信良 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：其中，静电放电保护装置包括：第一掺杂剂类型的基础阱，位于基底上；第一掺杂剂类型的第一阱，位于基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，位于基础阱中；第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及第二掺杂剂类型的第二高掺杂区，位于第一阱中；第二掺杂剂类型的第三高掺杂区，位于第二阱中；以及第一掺杂剂类型的第四高掺杂区，位于第三高掺杂区中。第一高掺杂区与第二高掺杂区耦合至第一电压端子，且第三高掺杂区及第四高掺杂区耦合至第二电压端子。
静电放电保护装置电路及其制作方法

[发明专利]一种超结结构的碳化硅DSRD器件及脉冲功率发生器-CN201810330360.6在审
发明人：梁琳;谈国强;颜小雪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种超结结构的碳化硅DSRD器件及脉冲功率发生器，包括：金属化阳极、高掺杂P+区、Pbase区、多个柱形高掺杂P区、多个柱形高掺杂N区、N+型衬底以及金属化阴极；金属化阴极位于N+型衬底下表面；多个柱形高掺杂P区和多个柱形高掺杂N区位于N+型衬底上表面，且柱形高掺杂P区和柱形高掺杂N区交替排布，柱形高掺杂P区位于柱形高掺杂N区的两侧，并与柱形高掺杂N区形成超结结构；Pbase区位于多个柱形高掺杂P区和多个柱形高掺杂N区的上表面，高掺杂P+区位于Pbase区的正上方，并与Pbase区接触，高掺杂P+区的上表面与金属化阳极接触。
高掺杂柱形脉冲功率发生器超结结构金属化阳极金属化阴极上表面碳化硅衬底上表面衬底下表面工作频率交替排布输出电压输出效率衬底重复

[实用新型]开关电源用整流二极管-CN201922467605.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉开关电源用整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，所述N型硅衬底上有2个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅层和外环高掺杂N型硅环中间有一个高掺杂P型硅基环；所述高掺杂P型硅基环和高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环横向距离相等，所述低掺杂的N型硅衬底、高掺杂P型硅层、高掺杂N型硅环上沉积石墨烯层。
开关电源整流二极管

[实用新型]桥式整流二极管-CN201621469010.0有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm，有源区尺寸4.72mm×4.72mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管反向击穿电压高，正向电流高。
整流二极管

[发明专利]用于HBT中的发射极镇流电阻器的结构和方法-CN03812696.6有效
发明人： K·豪恩;R·S·伯顿;N·马迪尼;D·L·格林;C·F·克鲁姆 -专利权人：空间工程股份有限公司
申请日： 2003-04-01 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：该异质结双极晶体管(200)进一步包括第一发射极覆盖层(218)，它包括第一高掺杂层(204)、低掺杂层(206)和第二高掺杂层(208)，其中第一高掺杂层(204)位于发射极(216)上，低掺杂层(206)位于第一高掺杂层(204)上，且第二高掺杂层(208)位于低掺杂层(206)上。第一高掺杂层(204)、低掺杂层(206)和第二高掺杂层(208)形成发射极镇流电阻器。根据该实例性实施例，低掺杂层具有一定厚度和掺杂物浓度水平，从而低掺杂层(206)的电阻基本与掺杂物浓度水平无关，而是对应于低掺杂层(206)的厚度。
用于 hbt 中的发射极流电结构方法

[实用新型]一种复合半导体衬底-CN202121722381.6有效
发明人：田野;王晓宇 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种复合半导体衬底，包括：高掺杂SiC基底，用于降低电流损耗；低掺杂SiC转移层，用于作为SiC外延层的生长基底；键合界面层，设置在所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层之间，用于键合所述高掺杂SiC基底与所述低掺杂SiC转移层。本实用新型通过采用基于键合剥离转移技术的高掺杂‑低掺杂复合半导体衬底，在能够使用高掺杂的SiC基底材料降低器件导通损耗的前提下，通过在高掺杂SiC基底材料上方引入低掺杂SiC转移层，解决了传统高掺杂SiC衬底在生长外延时难以控制SiC外延层掺杂浓度的弊端。
一种复合半导体衬底

[实用新型]一种桥式整流二极管-CN201721882359.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，有源区尺寸2.71mm×2.71mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属V作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管尺寸小，反向击穿电压高。
高掺杂衬底低掺杂基环桥式整流二极管本实用新型沉积金属石墨烯层反向击穿电压阳极金属电极阴极金属电极圆角长方体二极管阴极阳极保护膜硅晶片源区背面

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710131189.1在审
发明人：王彦;张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括掺杂结构，所述基底上具有介质层，所述介质层中具有器件接触孔，所述器件接触孔暴露出所述掺杂结构；在所述掺杂结构表面形成高掺杂区，所述高掺杂区中具有第一掺杂离子；在所述器件接触孔中形成器件插塞，所述器件插塞与所述高掺杂区形成欧姆接触。高掺杂区的形成不需要使进行非晶化，因此，形成所述高掺杂区的过程不容易损伤所述高掺杂区下方的掺杂结构。
高掺杂区接触孔掺杂基底半导体结构介质层插塞掺杂离子结构表面欧姆接触非晶化损伤暴露

[实用新型]一种快恢复二极管-CN201520928417.4有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，硅晶片尺寸为2.7mm×1.8mm，厚度为270±10μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有4个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有三个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。本实用新型反向击穿电压高，正向压降低，开关特性好。
一种恢复二极管

[实用新型]汽车传感器用光电二极管-CN201922467618.X有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，其特征在于，所述高掺杂P型硅层外边缘、高掺杂N型硅层内边缘和低掺杂的N型高阻硅衬底上覆盖氮化硅钝化薄膜；所述氮化硅钝化薄膜、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上沉积碳纳米层。本实用新型的二极管稳定性好，灵敏度高，可应用于汽车传感器。
汽车传感器用光电二极管

[实用新型]电子书触控板传感器用光电二极管-CN201721880634.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种电子书触控板传感器用光电二极管，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅层上有碳纳米层，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述碳纳米层上有圆角正方形状接触孔，接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积Cr/Au混合金属作为阴极。本实用新型的二极管尺寸小，寿命长，灵敏度高，适用于电子书触控板传感器。
高掺杂衬底低掺杂触控板传感器光电二极管接触孔碳纳米阴极本实用新型圆角正方形二极管沉积金属混合金属外延硅层阳极灵敏度外凸起沉积背面

[发明专利]将半导体衬底减薄至高均匀性的方法以及半导体衬底-CN202110662237.6在审
发明人： A·弗雷;B·格勒;I·莫德;I·穆里;A·西格尔;T·魏因德勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：半导体衬底包括高掺杂半导体衬底层、高掺杂半导体器件层以及布置在高掺杂半导体衬底层和高掺杂半导体器件层之间的低掺杂半导体蚀刻停止层。去除高掺杂半导体衬底层，其中去除包括在低掺杂半导体蚀刻停止层处停止的掺杂物选择性化学蚀刻。此外，减薄低掺杂半导体蚀刻停止层以生成高掺杂半导体器件层的暴露表面。
半导体衬底至高均匀方法以及

[实用新型]一种高压整流二极管-CN201520928435.2有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种高压整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，厚度为252±15μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角正方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有高掺杂P型硅基双环结构，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管（CNT）层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。本实用新型尺寸小，反向击穿电压高，正向压降低，稳定性好。
一种高压整流二极管

[实用新型]IGBT模块用快恢复整流二极管-CN202023327304.9有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型涉及IGBT模块用快恢复整流二极管，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅环，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅环中间有两个高掺杂P型硅基环，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅环上沉积氮掺杂碳纳米层，所述P型硅基环顶端包裹在氮掺杂碳纳米层内。本实用新型的IGBT模块用快恢复整流二极管采用氮掺杂碳纳米层和三个环形结构，内环的硅基环顶端略陷入氮掺杂碳纳米层内降低有源区对基区的注入，增加和碳纳米层的接触面积，形成的二极管结构反向恢复时间短，性能稳定
igbt 模块恢复整流二极管

[实用新型]音响放大器用NPN型三极管-CN201922459012.1有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：低掺杂N型集电区上设有高掺杂P型基区，基区上设有高掺杂N型发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的圆柱状发射区，圆柱状发射区和四角的基区引线孔组成三极管晶圆片的晶格单元，所述三极管晶圆片呈轴对称结构；所述低掺杂N型集电区上，高掺杂P型基区外围处设有高掺杂N型保护环结构，所述低掺杂N型集电区、保护环、高掺杂N型发射区、高掺杂P型基区上设有石墨烯层，所述石墨烯层与高掺杂P型基区、高掺杂N型保护环连接处向下凹陷，延伸至高掺杂N型保护环、高掺杂P型基区内。
音响放大器用 npn 三极管

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条