专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高分材料包覆金属制品的制造方法-CN202010858678.9在审
  • 吴峥;季泽楷 - 南通博联材料科技有限公司
  • 2020-08-24 - 2021-01-01 - B29C41/20
  • 本发明公开了一种高分材料包覆金属制品的制造方法,其包括以下步骤:将金属基材通过加工成型工艺,制备出符合导体公差规格的金属型材;在金属型材表面批覆有一层高分材料;将上述金属型材置于模具中,通过控制模具的尺寸,来控制批覆在金属表面的高分材料的厚度;将上述步骤得到的批覆有高分材料的金属型材置于冷却装置中进行骤冷,待批覆有高分材料的金属型材冷却至温度不高于40℃时取出金属型材;收卷批覆有高分材料的金属型材该制造方法可以有效减少施工涂覆次数,能极大地降低生产制造成本;该制造方法制得的高分材料包覆金属制品中高分材料与金属基材之间的附着力强,成品的性能较好。
  • 一种高分子材料金属制品制造方法
  • [发明专利]具有微纳米分支结构的碳纳米管基仿生材料及其制备方法-CN201310405977.7无效
  • 赵爱武;李达;梅涛 - 中国科学院合肥物质科学研究院
  • 2013-09-09 - 2014-01-01 - C01B31/02
  • 本发明涉及仿生材料技术,具体涉及微纳米分支结构的碳纳米管基仿生材料及其制备方法。该材料包括由碳纳米管与高分材料结合的碳纳米管阵列,阵列顶端为纳米尺度的碳纳米管,根部为包围有高分材料的碳纳米管,从根部到顶端之间是高分材料与碳纳米管相互渗入的微米尺度的复合结构,其直径由微米尺度渐渐缩小到纳米尺度;高分材料是具有热固化或光固化特性的高分聚合物。其制备方法是先在单晶Si基片上制得碳纳米管阵列,然后使高分材料液体覆盖在碳纳米管阵列顶端,再利用加热或光照射使高分材料完全固化;最后揭下固化高分材料得到具有微纳米结构的碳纳米管基仿生材料。本材料能有效克服粘附过程中碳纳米管弯曲变形导致的结构破坏问题。
  • 具有纳米分支结构仿生材料及其制备方法
  • [发明专利]透明有机高分材料及其制备方法-CN200710172588.9无效
  • 杨斌;赵吉洁;赵亚平 - 上海交通大学
  • 2007-12-20 - 2008-07-16 - C08L69/00
  • 本发明涉及一种光学材料技术领域的高折射率透明有机高分材料制备方法,将有机高分材料、无机微粒子的前驱体置于压力容器中,通入压力流体。无机微粒子的前驱体通过压力流体对有机高分材料的渗透,被压力流体带入高分材料内部。卸压还原处理之后,得到具有无机微粒子注入、分散在有机高分材料特征的高折射率透明有机高分材料,其组分及重量百分比含量为:有机高分材料90-99.9%,无机纳米微粒子0.1%-10%。该材料可以用于眼镜、放大镜、显微镜、照相机、望远镜等光学镜片,以及其它光导、光纤等的光通信器件。
  • 透明有机高分子材料及其制备方法
  • [发明专利]一种薄膜及其制备方法与QLED器件-CN201711431438.5有效
  • 杨一行;程陆玲 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-12-26 - 2021-02-19 - H01L51/50
  • 本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件,所述薄膜包括高分材料和分散在所述高分材料中的量子点,其中所述高分材料包括至少一种阻隔高分材料,所述阻隔高分材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比,本发明薄膜中含有量子点与高分材料,利用高分材料有效隔离量子点并增大量子点之间的相互距离,从而减少量子点之间的相互作用并最大程度抑制量子点之间的无辐射能量转移和浓度淬灭,达到薄膜中量子点发光量子产率的提升
  • 一种薄膜及其制备方法qled器件
  • [发明专利]一种薄膜及其制备方法与QLED器件-CN201711435542.1有效
  • 杨一行;程陆玲 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-12-26 - 2021-03-23 - H01L51/50
  • 本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件,所述薄膜包括高分材料和分散在所述高分材料中的量子点,其中所述高分材料包括至少一种阻隔高分材料,所述阻隔高分材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比,本发明薄膜中含有量子点与高分材料,利用高分材料有效隔离量子点并增大量子点之间的相互距离,从而减少量子点之间的相互作用并最大程度抑制量子点之间的无辐射能量转移和浓度淬灭,达到薄膜中量子点发光量子产率的提升
  • 一种薄膜及其制备方法qled器件
  • [发明专利]一种薄膜及其制备方法与QLED器件-CN201711435544.0有效
  • 杨一行;程陆玲 - TCL科技集团股份有限公司
  • 2017-12-26 - 2021-04-13 - H01L51/50
  • 本发明公开一种薄膜及其制备方法与QLED器件,所述薄膜包括高分材料和分散在所述高分材料中的量子点,其中所述高分材料包括至少一种阻隔高分材料,所述阻隔高分材料的重均分子量高于10万。与现有纯量子点的薄膜相比,本发明薄膜中含有量子点与高分材料,利用高分材料有效隔离量子点并增大量子点之间的相互距离,从而减少量子点之间的相互作用并最大程度抑制量子点之间的无辐射能量转移和浓度淬灭,达到薄膜中量子点发光量子产率的提升
  • 一种薄膜及其制备方法qled器件

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