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[发明专利]栅极驱动器电路和检测逆变器支路中的短路事件的方法-CN202010685943.8在审
发明人：李旻燮;李俊培 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H03K17/18 文献下载
摘要：该栅极驱动器电路包括：高侧功率晶体管；低侧功率晶体管，其耦接至高侧功率晶体管，其中，在耦接在低侧功率晶体管与高侧功率晶体管之间的负载节点处产生输出电压；栅极驱动器，其被配置成接收高侧控制信号和低侧控制信号、基于高侧控制信号驱动高侧功率晶体管并且基于低侧控制信号驱动低侧功率晶体管；以及短路检测电路，其被配置成基于高侧控制信号、低侧控制信号和输出电压来监测高侧功率晶体管处和低侧功率晶体管处的短路事件，并且响应于检测到在高侧功率晶体管或低侧功率晶体管的任一个处的短路事件而生成故障信号
栅极驱动器电路检测逆变器支路中的短路事件方法

[发明专利]具有集成浪涌电压限制元件的功率模块和功率电路-CN202010299680.7在审
发明人：李旻燮;秋秉镐;李俊培;卢凯元 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：一个或更多个实施方式提供了一种功率模块和功率电路。该功率模块包括：高侧功率晶体管；耦接至高侧功率晶体管的低侧功率晶体管，该低侧功率晶体管包括负载电流通过其进入低侧功率晶体管的第一负载路径端子以及负载电流通过其离开低侧功率晶体管的第二负载路径端子；栅极驱动器集成电路(IC)，其被配置成驱动高侧功率晶体管和/或低侧功率晶体管；引线框，其具有被配置成耦接至低侧电压源的低侧电压引脚；浪涌电压限制元件，其耦接在低侧功率晶体管的第二负载路径端子与低侧电压引脚之间；以及模块封装，其中，高侧功率晶体管、低侧功率晶体管、栅极驱动器IC、引线框和浪涌电压限制元件被封装在模块封装中。
具有集成浪涌电压限制元件功率模块电路

[发明专利]功率开关布置-CN201980078075.2在审
发明人： J·朱斯;A·施佩特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率开关布置(1)，所述功率开关布置包括低侧晶体管(LSS)和高侧晶体管(HSS)，所述低侧晶体管和所述高侧晶体管如此设置，使得所述低侧晶体管和所述高侧晶体管在所述功率开关布置(1)的切换周期的分别交替的时间区段中导通或阻断所述低侧晶体管(LSS)的源极连接端(2)与负载连接端(3)连接，并且所述低侧晶体管(LSS)的漏极连接端(5)通过存储电感与供给电压(Vin)连接。所述高侧晶体管(HSS)的漏极连接端(6)与所述负载连接端(3)连接，并且所述高侧晶体管(HSS)的源极连接端(7)通过所述存储电感与所述供给电压(Vin)连接根据本发明，提供一种所提及类型的功率开关布置(1)，其特征在于，所述低侧晶体管(LSS)包括至少两个晶体管部段(LSS1，LSS2，LSS3)。所述功率开关布置(1)如此设置，使得在所述功率开关布置(1)的切换过程期间，所述晶体管部段(LSS1，LSS2，LSS3)中的至少两个在不同的时间点进行切换。
功率开关布置

[发明专利]用于以PFM模式运行的开关电压调节器的可控导通时间减少-CN201510303579.3有效
发明人： D·奇尔哈特;B·唐;R·皮尔逊 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：一种开关电压调节器包括通过电感器向负载传送输出电流的功率级。该功率级具有高侧晶体管和低侧晶体管。该开关电压调节器还包括控制器，该控制器用于在输出电流减少至第一阈值以下时，将功率级设置为PFM(脉冲频率调制)开关模式。该PFM开关模式中的每个周期包括导通时间、截止时间和HiZ时间，在导通时间期间高侧晶体管导通并且低侧晶体管截止，在截止时间期间低侧晶体管导通并且高侧晶体管截止，在HiZ时间期间高侧晶体管和低侧晶体管均截止
用于 pfm 模式运行开关电压调节器可控时间减少

[实用新型]用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块-CN201721288955.7有效
发明人：李祥;吴美飞;盛春长 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块。该集成功率模块包括：引线框架，所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚；以及固定在所述多个管芯垫上的多个高侧晶体管和多个低侧晶体管、第一栅极驱动芯片和第二栅极驱动芯片；其中，所述多个高侧晶体管固定在公共的管芯垫上，所述多个低侧晶体管分别固定在各自的管芯垫上，所述多个高侧晶体管和所述多个低侧晶体管在彼此垂直的第一方向和第二方向上分别有第一尺寸和第二尺寸，所述第一尺寸在0.6毫米至2.5毫米的范围内，所述第二尺寸在该集成功率模块改进了高侧晶体管和低侧晶体管的布局方式，从而可以增加功率面积。
用于电机驱动集成功率模块智能

[发明专利]高功率晶体管-CN201780062199.2有效
发明人：阿兰姆·姆希塔良;文森特·恩戈 -专利权人：麦克姆技术解决方案控股有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：描述了高功率晶体管，例如高功率氮化镓(GaN)晶体管。通过平行布置多个栅极接触区线性阵列、漏极接触区线性阵列和源极接触区线性阵列，这些高功率晶体管具有比传统高功率晶体管更大的总栅极宽度。由此，可以在不延长高功率晶体管的管芯的情况下，增加高功率晶体管的总栅极宽度和额定功率。因此，相对于具有相同额定功率的传统管芯，高功率晶体管的管芯可以安装在更小的电路封装中。
功率晶体管

[发明专利]DC-DC转换器的位于电感器下的分立功率级晶体管晶片-CN201610355322.7有效
发明人： D·奇尔哈特;B·唐;E·托德罗夫 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种DC‑DC转换器，其包括具有相对的第一侧和第二侧的基体、附接至基体的第一侧和包括高边功率晶体管的第一分立功率级晶体管晶片，以及附接至基体的第一侧的第二分立功率级晶体管晶片，该第二分立功率级晶体管晶片包括电连接到高边功率晶体管的低边功率晶体管以构成DC‑DC转换器还包括附接至基体的第一侧的电感器以在基体上将输出相电连接至金属输出迹线。电感器至少部分地覆盖第一和第二分立功率级晶体管晶片中的至少一个。
dc 转换器位于电感器分立功率晶体管晶片

[发明专利]级联自举GaN功率开关和驱动器-CN201980069312.9在审
发明人：李剑锋;R·阿南思;M·查普曼;迈克尔·A·德·鲁伊;R·比奇 -专利权人：宜普电源转换公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H03K17/06 文献下载
摘要：一种级联自举栅极驱动器，配置成提供高侧功率开关场效应晶体管的快速导通和低静态电流消耗。初级自举级包括电阻器，以减少晶体管关断期间的静态电流消耗。次级自举级包括由初级自举级驱动的具有低导通电阻的GaN FET晶体管。GaN FET晶体管的源极端子被配置为向高侧功率开关FET提供栅极驱动电压。GaN‑FET晶体管的低导通电阻提供了高侧功率开关FET的快速导通。级联自举栅极驱动器中的晶体管优选为增强模式GaN FET，并且可以集成到单个半导体芯片中。
级联 gan 功率开关驱动器

[发明专利]用于减少BLDC驱动器的逆变器损耗的块换向-CN201811394117.7在审
发明人： V·A·普拉布哈拉;K·科尔卡;V·奥克耐安 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H02P7/29 文献下载
摘要：一种技术，该技术用于感测通过逆变器驱动电路的功率晶体管的电流的方向，以及用于无刷直流(BLDC)电机的转子的位置。在去磁电流流动的时间期间，功率晶体管被接通，将去磁电流导向通过更低阻抗的晶体管通道，而不是通过体二极管。将电流导向到晶体管通道，可减少功率晶体管中的二极管损耗，从而减少总体功率损耗。在另一示例中，低侧以及高侧功率晶体管可以在去磁电流流动通过给定功率晶体管的时间期间被接通。
功率晶体管去磁电流驱动器晶体管通道逆变器换向接通高侧功率晶体管逆变器驱动电路二极管损耗电流导向功率损耗体二极管无刷直流转子低阻抗低侧感测流动电机

[发明专利]栅极高侧驱动电路及系统-CN202310430087.5在审
发明人：李云峰;杜睿 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请提供了一种栅极高侧驱动电路及系统，栅极高侧驱动电路包括高侧驱动晶体管、驱动单元和峰值电流调节单元；驱动单元与高侧驱动晶体管的栅极电连接，驱动单元用于控制高侧驱动晶体管的开关状态；峰值电流调节单元包括混合上拉模块，混合上拉模块与高侧驱动晶体管的漏极电连接，混合上拉模块用于将高侧驱动晶体管开启时的峰值电流拉高至预设值。通过设置混合上拉模块在被驱动功率器件通过米勒平台时将高侧驱动晶体管短暂开启，将峰值电流拉高至预设值，从而得以在同样功耗和芯片面积条件下提供更大的峰值电流，进而提高了被驱动功率器件的开启速度，解决了现有方案在驱动功率器件开启时通过米勒平台过慢的问题
栅极驱动电路系统

[发明专利]静电防护电路及电子装置-CN202111366080.9在审
发明人：管要宾;盛健健 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：静电防护电路包含第一晶体管、第二晶体管第三晶体管。第一晶体管具有源极、栅极、及漏极，其中第一晶体管之源极连接至功率装置的第一端点，且第一晶体管之漏极连接至功率装置的第二端点，其中功率装置的第一端点为高电子迁移率晶体管之源极，且功率装置的第二端点为横向高电子迁移率晶体管之栅极第二晶体管具有源极、栅极、及漏极，其中第二晶体管之源极连接至第一晶体管之栅极，且第二晶体管之栅极连接至第二晶体管之漏极。第三晶体管具有源极、栅极、及漏极，其中第三晶体管之源极连接至第二晶体管之漏极，且第三晶体管之栅极连接至所述第三晶体管之漏极与功率装置的第二端点。
静电防护电路电子装置

[发明专利]驱动PMOS和NMOS全桥功率级的高效概念-CN202310310755.0在审
发明人： D·伯纳唐 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及驱动PMOS和NMOS全桥功率级的高效概念。一种电路，可以是全桥驱动电路，包括第一PMOS高侧晶体管器件和第一NMOS低侧晶体管器件。该电路还包括导通电路装置，其被配置为：通过将存储在第一PMOS高侧晶体管器件的栅极中的电荷路由到第一NMOS低侧晶体管器件的栅极，导通第一PMOS高侧晶体管器件、同时导通第一NMOS低侧晶体管器件，以对第一NMOS低侧晶体管器件的栅极充电。
驱动 pmos nmos 功率高效概念

[实用新型]一种带过载保护的晶体管输出电路-CN201320780051.1有效
发明人：何雄伦;张继周 -专利权人：临海市新睿电子科技有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带过载保护的晶体管输出电路，涉及电路过载保护领域，解决了现有技术复杂，成本高的问题。其包括功率输出晶体管和用于控制功率输出晶体管在过载或负载短路时关断的保护晶体管，功率输出晶体管的基极连接一电阻并接入电路控制输入端，功率输出晶体管的集电极直接接入功率输出端，功率输出晶体管的发射级直接接地，保护晶体管与功率输出晶体管并联，保护晶体管的集电极接在功率输出晶体管的基极，保护晶体管的基极和保护晶体管的发射极之间接有电容并接入功率输出晶体管的发射极。本实用新型的保护晶体管可用于在过载和负载短路时关断功率输出晶体管的输出，能实现电路的过流和短路保护功能，具有电路结构简单，成本低的特点。
一种过载保护晶体管输出电路

[发明专利]具有充电电流缩减的功率级电路-CN201810027971.3有效
发明人：杨曜玮 -专利权人：晶豪科技股份有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种功率级电路，包括多个高侧金氧半场效晶体管以及控制电路。每一个高侧金氧半场效晶体管的第一端电性连接至电源，所述高侧金氧半场效晶体管的第二端彼此电性连接用以产生输出信号。控制电路电性连接至每一个高侧金氧半场效晶体管的门极端，控制电路以任意顺序导通所述高侧金氧半场效晶体管，以缩减高侧金氧半场效晶体管导通时的充电电流，借此减少电力消耗和延长高侧金氧半场效晶体管的使用寿命。
具有充电电流缩减功率电路

[发明专利]单片式共享高电压漏极的高电流晶体管和低电流晶体管-CN201210091264.3有效
发明人：庞纳斯·乔 -专利权人：普缘芯半导体科技(上海)有限公司;普缘芯半导体科技有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种平面单片式高电压集成电路，包含具有一高电压扩散连接的功率场效应晶体管和/或双极功率晶体管。该高电压集成电路还包含几种类型的高电压、低电流场效应晶体管，例如耗尽型晶体管和/或增强型晶体管，和/或高电压-低电流双极晶体管。所述高电压-低电流晶体管以不同的结合方式通过共享他们的高电压扩散连接集成于所述高电压-高电流晶体管或功率晶体管结构中，其在减小芯片面积的同时也增强了设计的通用性。隔离扩散结构和掩埋扩散结构提供较高的工作电压和/或增强的耗尽型场效应晶体管关断。高电压-低电流绝缘栅场效应晶体管的体区和/或双极晶体管的基区与接地隔离扩散区或者隔离、或者连接，进一步改善了设计通用性。
单片共享电压电流晶体管

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