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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法-CN202211262732.9有效
发明人：曹旭丹;宓娅娜;杨辉 -专利权人：浙江融仕医疗科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面改性非晶碳膜的消融针和非晶碳膜的制备方法,包括子电极，子电极表面沉积过渡层，过渡层表面沉积非晶碳膜，非晶碳膜包括多层交替层叠的掺杂非晶碳膜，本发明在消融针的子电极沉积过渡层和非晶碳膜，非晶碳膜设置为掺Cr非晶碳膜一、掺Ti非晶碳膜和掺Cr非晶碳膜二交错层叠的结构对多极射频消融针子电极进行表面改性，保证了非晶碳膜的导电性，提高了非晶碳膜的附着力，降低了非晶碳膜的内应力，通过掺Cr非晶碳膜二控制非晶碳膜硬度，使具备该硬度的非晶碳膜在子电极针伸展和收拢过程中不会发生涂层开裂、脱落的现象，同时提高了消融过程中子电极的抗粘连性能。
一种表面改性非晶碳膜消融制备方法

[发明专利]晶化非晶Si膜的方法-CN200510072664.X无效
发明人：崔哲柊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供了一种晶化非晶Si膜的方法。这种晶化非晶Si膜的方法包括：向形成在衬底上的非晶Si膜中掺入预定的金属离子，以及，对掺有金属离子的非晶Si膜退火以晶化该非晶Si膜。根据该晶化非晶Si膜的方法，可以用更低的能量晶化非晶Si膜，且晶化的Si膜的表面粗糙度可以得到改善。
晶化非晶 si 方法

[发明专利]非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201410764284.1有效
发明人：高桥和也;古泽纯和;冈田充弘;米仓大雅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化
非晶硅结晶方法化硅膜半导体装置制造

[发明专利]含非晶碳被膜-CN201410482607.8在审
发明人：诹访浩司;广濑景太;佐藤彰;渡边裕二 -专利权人：佑能工具株式会社
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种含非晶碳被膜，其是高硬度且具有与基材的高密合力、能够大幅提升加工用工具和机械部件的寿命且实用性极为优秀的含非晶碳被膜。本发明涉及一种含非晶碳被膜，其是在基材上形成的含非晶碳被膜，其中，膜厚分别为0.05μm以上的非晶碳被膜层[A]和非晶碳被膜层[B]按照所述非晶碳被膜层[A]配置在基材侧、所述非晶碳被膜层[B]配置在表层侧的方式层积构成，该含非晶碳被膜整体的膜厚设定为0.1μm以上且1.5μm以下，所述非晶碳被膜层[A]和所述非晶碳被膜层[B]具有规定的膜质。
含非晶碳被膜

[发明专利]光电转换元件以及光电转换装置-CN201780050299.3有效
发明人：肥后辉明;冈本亲扶;小林正道;石井真人;森健史;松本雄太 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。
光电转换元件以及装置

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN201210178442.6无效
发明人：新田秀和;大仓理;海东拓生;松本克巳 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G02B26/02 文献下载
摘要：在可动快门方式的显示器中，使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。
显示装置制造方法

[发明专利]非晶碳膜的形成方法以及微机电系统器件的制作方法-CN201610885979.4有效
发明人：吴建荣;叶滋婧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳膜的形成方法以及微机电系统器件的制作方法，所述非晶碳膜的形成方法包括：提供一基底；在所述基底上沉积一非晶碳膜；对所述非晶碳膜进行一热处理工艺。本发明通过对所述非晶碳膜进行一热处理工艺，能够完全去除所述非晶碳膜表面的水汽，同时使所述非晶碳膜的材质更加致密，所述微机电系统器件的制作方法采用所述非晶碳膜作为牺牲层，增强后续后层结构与所述非晶碳膜之间的粘合性
非晶碳膜形成方法以及微机系统器件制作方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法-CN201510846344.9有效
发明人：李立伟;谷士斌;何延如;张林;张娟;徐湛;杨荣;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其界面处理的方法，改进了异质结太阳能电池的界面处理方法，在沉积氢化非晶硅n膜层或氢化非晶硅p膜层前，对传送到其沉积腔室的氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，清除氢化非晶硅i膜层在沉积传送过程中再次产生的沾污，保证氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅p膜层之间的界面以及氢化非晶硅i膜层膜层与氢化非晶硅n膜层之间的界面性能，提高电池性能。
一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法

[发明专利]一种异质结电池的制备方法-CN202210306227.3有效
发明人：周肃;龚道仁;徐晓华;张良;张景 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底层，在所述半导体衬底层至少一侧形成掺杂非晶硅膜；对所述掺杂非晶硅膜在富氧条件下进行晶化处理，使所述掺杂非晶硅膜形成掺杂微晶硅膜本发明的异质结电池的制备方法中，掺杂微晶硅膜由掺杂非晶硅膜晶化后形成，采用沉积非晶硅膜而后再微晶化的方式，其设备成本相对于直接沉积微晶硅膜的设备成本较低，且非晶硅膜晶化工艺简单，可显著降低生产成本。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]非晶硅膜的成膜方法及成膜装置-CN201210251656.1有效
发明人：柿本明修;高木聪;五十岚一将 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶硅膜的成膜方法及成膜装置。该非晶硅膜的成膜方法包括以下工序：加热基底，向加热了的基底供给氨基硅烷类气体，在基底表面上形成晶种层；加热基底，向加热了的基底表面的晶种层供给不含氨基的硅烷类气体，在晶种层上将非晶硅膜形成为层成长的厚度；对形成为层成长的厚度的非晶硅膜进行蚀刻，减小该非晶硅膜的膜厚。
非晶硅膜方法装置

[发明专利]制造非晶金属氧化物膜的方法以及制造具有非晶金属氧化物膜的电容元件和半导体器件的方法-CN03138457.9无效
发明人：足立研;堀内悟志;幸本彻哉 -专利权人：索尼公司;CVR株式会社
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：进行一种用于淀积非晶金属氧化膜，例如非晶氧化钽膜的膜淀积工艺以及一种用于改善所述非晶金属氧化膜的膜性能的膜处理工艺，其中使所述非晶金属氧化物膜维持在非晶状态，其是通过基于离子和自由基反应的高密度等离子体辐射处理保持所述非晶金属氧化物膜的非晶状态另外，由于可以淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜，非晶金属氧化膜可以有很高的可靠性并能低廉地生产。通过低温处理可低廉地制造膜特性极好的非晶氧化钽膜。同样，当制造具有非晶金属氧化膜的电容元件和半导体器件时，可以通过低温处理淀积膜特性极好的非晶金属氧化膜并且可制造高可靠性的电容元件和半导体器件。
制造金属氧化物方法以及具有电容元件半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910314914.8在审
发明人：山口直 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：形成包含铪、氧和诸如锆的第一元素的第一非晶膜，在第一非晶膜上形成包含与铪、氧和第一元素中的任何一种不同的第二元素的多个晶粒，在多个晶粒和第一非晶膜上形成由与第一非晶膜相同的材料制成的第二非晶膜，以及在第二非晶膜上形成金属膜此后，通过执行热处理，使第一非晶膜结晶以形成第一斜方铁电膜，并且使第二非晶膜结晶以形成第二斜方铁电膜。
非晶膜晶粒电膜方铁半导体装置热处理金属膜制造

[发明专利]非晶碳膜的处理方法以及使用其的半导体器件的制造方法-CN200980102550.1无效
发明人：石川拓;松冈孝明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：提供一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜的表面改性处理。
非晶碳膜处理方法以及使用半导体器件制造

[发明专利]一种双层非晶碳膜及其制备方法-CN202111549122.2在审
发明人：吴春春;杨挺;王涛;张云飞 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种双层非晶碳膜及其制备方法，涉及金属涂层材料制备技术。所述所述双层非晶碳膜包括第一层非晶碳膜和第二层非晶碳膜，且所述第一层非晶碳膜为采用类石墨结构为主的GLC非晶碳膜层，所述第二层非晶碳膜为采用类金刚石为主的DLC膜层。本发明克服了现有技术的不足，通过不同结构的非晶碳的组合，避免了单一结构非晶碳膜硬度高、内应力大、摩擦系数高或者硬度低、内应力小、摩擦系数小的极端问题，有效满足精密器件的保护与装配配合度性能要求。
一种双层非晶碳膜及其制备方法

[发明专利]柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法-CN200910198262.2无效
发明人：彭祥军;杨英颖;刘远祥;程琳 -专利权人：彭祥军;杨英颖
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶硅薄膜柔性光伏电池，由如下膜层依次排列组成：不锈钢箔-铝-氧化锌铝膜-非晶硅或微晶硅n1层-非晶硅或微晶硅i1层-非晶硅或微晶硅p1层-非晶硅b1层-非晶硅n2层-非晶硅i2层-非晶硅同时提供了一种上述柔性光伏电池的制备方法，依次包括如下步骤：不锈钢箔抛光清洗；PVD真空镀铝膜；PVD真空镀氧化锌铝膜；PECVD真空镀非晶硅膜或非晶硅-微晶硅膜系；PVD真空镀氧化铟锡膜；PVD镀银浆栅线本发明采用双结非晶硅-非晶硅或非晶硅-微晶硅电池结构，可大大提高良品率，耗能与耗材都非常少，可大幅度降低制造成本。
柔性非晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法

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