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[发明专利]非易失存储器件-CN200810166448.5有效
发明人：田中利广;梅本由纪子;平木充;品川裕;藤户正道;铃川一文;古川博之;山木贵志;神垣良昭;南真一;片山弘造;松崎望 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2002-07-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种半导体器件包括多个非易失存储单元(1)，各个非易失存储单元包含用于信息储存的MOS型第一晶体管区(3)以及对第一晶体管区进行选择的MOS型第二晶体管区(4)。第一晶体管区具有连接到源线的源线电极(10)、连接到存储器栅控制线的存储器栅电极(14)、以及设置在存储器栅电极正下方的电荷储存区(11)。第二晶体管区的栅承受电压低于第一晶体管区的栅承受电压。
非易失存储器件

[发明专利]存储器模块及操作存储器模块的方法-CN200610077697.8无效
发明人： L·德安布洛吉 -专利权人：英飞凌科技弗拉斯有限责任两合公司
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种存储器模块包含电耦合的非易失存储器件(2)和易失存储器件(1)。非易失存储器件(2)可用来永久地存储数据。易失存储器件(1)可用来装入存储在非易失存储器件(2)中的数据以便基于上述数据执行操作。
存储器模块操作方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN03153417.1无效
发明人：姜熙福;朴泳震 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明关于一种非易失性存储器件，更具体地说，本发明关于一种使用一电阻型存储器件的可编程非易失性逻辑开关存储器(寄存器)器件。该非易失性寄存器使用一逻辑开关或一非易失性电阻型存储器件，可经由一通过该非易失性电阻型存储器件的受控电流来设定该非易失性电阻型存储器件的电阻状态。
非易失性存储器

[发明专利]使用纳米管开关的非易失性阴影锁存器-CN200680024940.8有效
发明人： C·L·伯廷;F·郭;T·鲁克斯;S·L·孔瑟科;M·梅恩霍德;M·斯特拉斯伯格;R·斯瓦拉贾;X·M·H·黄 -专利权人：南泰若股份有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元包括：易失性存储器件，响应于电刺激而存储对应逻辑状态；以及阴影存储器器件，耦合于易失性存储器件。阴影存储器器件响应于电刺激而接收和存储对应逻辑状态。阴影存储器器件包括存储阴影器件的对应状态的非易失性纳米管开关。
使用纳米开关非易失性阴影锁存器

[发明专利]安全的非易失性存储器件及对其中的数据进行保护的方法-CN200780035773.1有效
发明人：陶国桥;史蒂文·V·E·S·范戴克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-09-27 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器件，其包括：输入端，用于提供要被存储在非易失性存储器件上的外部数据(D1)；第一非易失性存储模块(100)和第二非易失性存储模块(200)，第一非易失性存储模块(100)和第二非易失性存储模块(200)被设在单个裸片(10)上，其中第一非易失性存储模块(100)和第二非易失性存储模块(200)属于不同的类型，从而为了从第一非易失性存储模块(100)和第二非易失性存储模块(200)中获取数据，需要不兼容的多个外部攻击技术，外部数据(D1)以分布的方式(D1’，D1”)存储到第一非易失性存储模块(100)和第二非易失性存储模块(200)中。本发明还涉及一种对非易失性存储器器件中的数据进行保护的方法。
安全非易失性存储器中的数据进行保护方法

[发明专利]基于非易失存储器的存储和数据处理方法、装置及设备-CN202010468344.0有效
发明人：张锋;霍强;宋仁俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非易失存储器的存储和数据处理方法、装置及设备，方法包括：获取需要存储至所述非易失存储器的权重值；如果所述非易失存储器为高阻态存储器件，则根据第一转换方法确定出所述权重值对应的电导值；如果所述非易失存储器为低阻态存储器件，则根据第二转换方法确定出所述权重值对应的电导值，其中，所述第一转换方法与所述第二转换方法为不同的转化方法；按照所述电导值设置所述非易失存储器，以存储所述权重值。本发明提供的基于非易失存储器的存储和数据处理方法、装置及设备用以解决现有非易失存储器存储的权重值精确度不足的技术问题。实现了提高存储精确度和数据处理精确度的技术效果。
基于非易失存储器存储数据处理方法装置设备

[发明专利]非易失性存储器件、系统及其操作方法-CN200810171440.8有效
发明人：边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：可以通过下述步骤提供一种操作包括在存储卡中的非易失性存储器件的方法：重映射存储卡中的第一非易失性MAT中的坏块的地址和重映射存储卡中的第二非易失性MAT中的坏块的地址，该第二非易失性MAT包括与第一非易失性还可以通过下述步骤提供扫描非易失性存储器件的坏块的方法：从非易失性存储器件的最低块地址之上的开始块地址开始顺序扫描非易失性存储器件中的块以寻找表示相应块是坏块的数据，其中该开始块地址基于非易失性存储器件的产率
非易失性存储器系统及其操作方法

[发明专利]电阻切换存储器件和用于形成电阻切换存储器件的方法-CN202111526137.7在审
发明人： S·纳拉亚南;甘为辰;N·小瓦斯克斯 -专利权人：科洛斯巴股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本文提供了电阻切换存储器件的制造。例如，公开了一种用于制造非易失性电阻存储器件的两步蚀刻的方法。在另一实施例中，公开了一种用于制造非易失性电阻存储器件的三步蚀刻的方法。其他实施例公开了一种用于制造非易失性金属氮/金属氧电阻切换存储器件的方法。另外的实施例公开了一种用于制造易失性电阻切换选择器装置的方法。还提供了与制造所公开的电阻存储器件一起形成保护垫片的工艺。
电阻切换存储器件用于形成方法

[发明专利]一种异构混融层次式内存设备-CN201510007537.5在审
发明人：吴丹宇;邢伟;张东 -专利权人：浪潮（北京）电子信息产业有限公司
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：提出一种异构混融层次式内存设备，包括内存控制器、由DRAM器件构成的缓存器、以及由PCM非易失存储器和FLASH非易失存储器构成的混融扩展存储器；其中，所述混融扩展存储器可以通过增加所述PCM非易失存储器或所述FLASH非易失存储器的方式进行容量扩展。
一种异构混融层次内存设备

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200410038425.8有效
发明人：松江一机 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于：在具有由可电改写的非易失性的多个存储单元构成的存储区和使电源电压升压、发生在上述存储区的改写中所需要的电压的升压电路的非易失性半导体存储器件中，提供防止在器件内部的电源电压的降低，能够稳定地向存储区进行数据改写的非易失性半导体存储器件非易失性半导体存储器件配备：判定存储区(24)的改写时的半导体存储器件内的规定节点的电压电平的电压判定部(38)；以及根据电压判定部(38)的判定结果，决定一次改写的输入数据的位数的改写单位决定部(44
非易失性半导体存储器件

[发明专利]非易失存储器件和非易失存储器阵列-CN200610132100.5有效
发明人：李明宰;柳寅儆;李殷洪;金钟完;金东彻;安承彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极
非易失存储器件存储器阵列

[发明专利]具有统一的存储单元操作特性的非易失性半导体存储器件-CN200610006392.8无效
发明人：姜东求;边大锡;林瀛湖 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-20 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND类型的非易失性半导体存储器件，其包括单元串，单元串包括伪单元，伪单元插入在所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元之间，并且串行连接到所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元。该NAND类型的非易失性半导体存储器件还包括适合用于激活伪字线以选通伪单元的伪字线驱动器。
具有统一存储单元操作特性非易失性半导体器件

[发明专利]抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法-CN200810177916.9有效
发明人：李昌炫;徐康德;林瀛湖;崔正达 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。
抑制寄生电荷积累非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]一种利用非易失性元器件的电阻特性实现片上信号延时的电路-CN201410341515.8在审
发明人：康旺;郭玮;赵巍胜;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明一种利用非易失性元器件的电阻特性实现片上信号延时的电路，提出了一种利用非易失性存储芯片(磁性随机存取存储器、自旋转移力矩磁性随机存取存储器、相变随机存取存储器、阻变式随机存取存储器等)中虚设单元内的非易失性元器件构建RC延时电路，这样既节省了芯片面积，降低了成本，又提高了存储芯片中虚设单元的利用率。它在非易失性存储器和非易失性逻辑领域里具有较好的实用价值和广阔应用前景。
一种利用非易失性元器件电阻特性实现信号延时电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510086030.X有效
发明人：久本大;安井感;木村绅一郎;石丸哲也 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种即使缩小存储单元也具有优良读出电流驱动能力的非易失性半导体存储器件。在分裂栅极结构的非易失性半导体存储器件中，在凸型衬底上形成存储栅极，将其侧面作为沟道使用。
半导体器件及其制造方法

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