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[发明专利]静态随机存储器-CN201510090162.3有效
发明人：方伟;丁艳;陈双文;张静;潘劲东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存储器。其中，该静态随机存储器包括：存储单元阵列；检测修复电路，与存储单元阵列连接，被设置为对存储单元阵列进行检测，并在检测出存储单元阵列出错时，修复存储单元阵列。本发明解决了由于现有技术中的修复电路位于静态随机存储器的外部所导致的数据处理效率较低的技术问题。
静态随机存储器

[发明专利]高速缓冲存储器的扩展方法-CN202110242612.1有效
发明人：周鸣;朱琳琳 -专利权人：四川科道芯国智能技术股份有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G06F12/0893 文献下载
摘要：本发明涉及一种高速缓冲存储器的扩展方法，包括：在数据静态随机存储器和与外部存储器连接的总线之间设置第一开关；在数据静态随机存储器和标签静态随机存储器之间设置第二开关；在标签静态随机存储器和与处理器连接的总线之间设置第三开关；基于预设开关规则设置寄存器配置模块，以控制第一开关、第二开关和第三开关的通断将数据静态随机存储器和标签静态随机存储器切换至极高速缓存模式或高速缓存模式；设置分别和数据静态随机存储器以及标签静态随机存储器连接的极高速缓存控制器，用于在极高速缓存模式下数据静态随机存储器的数据读写控制以及标签静态随机存储器的信息维护。可以在不增加整个芯片静态容量的条件下，增加高速缓存的容量。
高速缓冲存储器扩展方法

[发明专利]静态随机存储器-CN201410539357.7有效
发明人：陈金明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本申请公开了一种静态随机存储器。该静态随机存储器包括：第一位线；第一晶体管，通过源极和漏极连接在第一位线与电源或地之间；N个存储单元，N个存储单元中的每一个用于存储电平状态，电平状态包括高电平和低电平，N大于等于1；N个第二晶体管，与N个存储单元一一对应；N个第一字线，与N个第二晶体管一一对应，N个第一字线中的每一个连接至对应的第二晶体管的栅极，用于控制从对应的存储单元读出电平状态；第二位线；N个第三晶体管；第三位线；N个第四晶体管本申请解决了静态随机存储器读取数据操作稳定性低的问题。
静态随机存储器

[发明专利]一种基于同步静态随机存储器IP的异步静态随机存储器-CN201210566409.0有效
发明人：拜福君 -专利权人：西安华芯半导体有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G11C8/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于同步静态随机存储器IP的异步静态随机存储器；由一个异步控制电路和若干同步静态随机存储器IP组成。异步控制电路产生内部时钟信号对若干同步静态随机存储器IP进行触发，异步控制电路也负责将地址等其他信号进行缓冲并发送给被选中的同步静态随机存储器。由于同步静态随机存储器IP是集成电路工艺线最基础的IP之一，本发明以成熟的同步静态随机存储器IP为基础，只需要增加一个异步控制电路就能够完成一个异步静态随机存储器，相比于传统的全定制设计流程和方法，具有设计周期短的优点
一种基于同步静态随机存储器 ip 异步

[发明专利]路由地址存储方法、装置、网络设备及存储介质-CN202211636265.1在审
发明人：赵茂聪;杜鹏霄;何志川 -专利权人：苏州盛科通信股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H04L45/74 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种路由地址存储方法、装置、网络设备及存储介质，属于通信技术领域，将多个路由地址的公共前缀存储于三态内容寻址存储器，将每个路由地址的多级中间前缀按序存储于多级静态随机存储器中除末级静态随机存储器之外的静态随机存储器，将每个路由地址的后缀信息存储于多级静态随机存储器的末级静态随机存储器上，实现路由地址的分段存储，使末级静态随机存储器无需存储路由地址的全部信息，能够提高每一级静态随机存储器的利用率，从而极大地减小SRAM
路由地址存储方法装置网络设备介质

[发明专利]静态随机存储器-CN201410538416.9有效
发明人：陈金明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本申请公开了一种静态随机存储。其中，该静态随机存储包括：第一位线；第一晶体管，通过源极和漏极连接在第一位线与电源或地之间；N个存储单元，N个存储单元中的每一个用于存储电平状态，电平状态包括高电平和低电平，N大于等于1；N个第二晶体管，与N个存储单元一一对应，N个第二晶体管中的每一个通过源极和漏极连接在对应的存储单元与第一晶体管的栅极之间；N个第一字线，与N个第二晶体管一一对应，N个第一字线中的每一个连接至对应的第二晶体管的栅极，用于控制从对应的存储单元读出电平状态本申请解决了静态随机存储器读取数据操作稳定性低的问题。
静态随机存储器

[发明专利]静态随机存储器-CN201410539431.5有效
发明人：陈金明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本申请公开了一种静态随机存储器。其中，该静态随机存储器包括：第一位线；第一晶体管，通过源极和漏极连接在第一位线与电源或地之间；N个存储单元，N个存储单元中的每一个用于存储电平状态，电平状态包括高电平和低电平，N大于等于1；N个第二晶体管，与N个存储单元一一对应，N个第二晶体管中的每一个通过源极和漏极连接在对应的存储单元与第一晶体管的栅极之间；N个第一字线，与N个第二晶体管一一对应；第二位线；第三晶体管，通过源极和漏极连接在第二位线与电源或地之间；N个第四晶体管，与N个存储单元一一对应；N个第二字线，与N个第四晶体管一一对应。本申请解决了静态随机存储器读取数据操作稳定性低的问题。
晶体管存储单元静态随机存储器位线漏极源极字线电源操作稳定性存储电平电平状态低电平高电申请

[发明专利]静态随机存储器-CN201410409377.2有效
发明人：陈金明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存储器。其中，该静态随机存储器包括：第一反相器和第二反相器，第一反相器的输出端连接至第二反相器的输入端，第一反相器的输入端连接至第二反相器的输出端；第一NMOS晶体管，分别与第一反相器的输入端、第二反相器的输出端、写字线和写位线连接，用于控制写信号的选通；第二NMOS晶体管，分别与第一反相器的输出端、第二反相器的输入端、读字线和内线连接，用于控制读信号的选通。本发明解决了现有技术中的基于6T单元的SRAM的读静态噪声容限较低的技术问题，达到了提高基于6T单元的SRAM的读静态噪声容限的技术效果。
静态随机存储器

[发明专利]静态随机存储器-CN200510125131.3无效
发明人：山内宽行 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-06-28 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：一种静态随机存储器，包括第1组及第2组基本电路，该第1组及第2组基本电路具有构成反相器的PMOS负载晶体管及NMOS驱动晶体管和将该反相器的输出联接于位线上的NMOS存取晶体管，将第1组基本电路的反相器的输出以及输入分别与第2组基本电路的反相器的输入以及输出连接，其中两组基本电路之间的反相器的截止漏电流大小为不对称。
静态随机存储器

[实用新型]静态随机存储器-CN201520431866.8有效
发明人：张弓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-06-20 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本实用新型的静态随机存储器，包括字线、第一位线、第二位线、第一单元、第二单元以及第三单元，第一单元、第二单元和第三单元分别包括阵列分布的第一晶胞、第二晶胞和第三晶胞，第一晶胞、第二晶胞以及第三晶胞分别包括两个第一传输栅晶体管本实用新型可同时对单鳍结构、双鳍结构和三鳍结构的存储单元进行测试。
静态随机存储器

[发明专利]一种嵌入式计算机系统内存数据校验电路及方法-CN201310159992.8有效
发明人：江竹轩;刘邹;庞欣然;朱杰 -专利权人：浙江中控技术股份有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式计算机系统内存数据校验电路，中央处理器的总线地址线分别与第一静态随机存储器和第二静态随机存储器连接；中央处理器的总线数据线与第一静态随机存储器和可编程逻辑器连接，并经过可编程逻辑器后与第二静态随机存储器连接，通过总线数据线向第一静态随机存储器和第二静态随机存储器写入数据；中央处理器的片选CS脚、读出使能OE脚和写入使能WE脚分别与第一静态随机存储器、第二静态随机存储器和可编程逻辑器连接，可编程逻辑器根据片选CS脚、读出使能OE脚和写入使能WE脚的输出状态，采集第一静态随机存储器和第二静态随机存储器的数据，并对采集的数据进行比较，输出比较结果。
一种嵌入式计算机系统内存数据校验电路方法

[实用新型]一种低功耗FIFO的电路结构-CN201620095725.8有效
发明人：李潇 -专利权人：启芯瑞华科技（武汉）有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G06F5/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低功耗FIFO的电路结构，包括大容量的静态随机存储器、用于控制在静态随机存储器写入数据地址的写控制电路，和用于控制从静态随机存储器读出数据地址的读控制电路，其特征在于：所述的大容量的静态随机存储器由若干个小容量的静态随机存储器构成；本电路结构还包括用于控制每个小容量的静态随机存储器的工作模式的模式控制器，模式控制器的输入端分别与写控制电路和读控制电路连接，模式控制器的输出端数量与小容量的静态随机存储器相同，每个模式控制器的输出端与一个小容量的静态随机存储器连接
一种功耗 fifo 电路结构

[发明专利]用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器-CN201410083038.X有效
发明人：仲纪者;张传宝;张斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器，在本发明提供的用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器中，通过采用4个NMOS晶体管和3个PMOS晶体管，使得读取操作和写入操作实现相互独立，增大了读取和写入的冗余度，能够避免读取干扰现象的发生，从而提高静态随机存储器读取状态的稳定性。
用于静态随机存储器存储单元

[发明专利]静态随机存储器的制造方法-CN201010593192.3有效
发明人：刘焕新;宋伟基 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种静态随机存储器的制造方法，所述静态随机存储器同时包含NMOS器件和PMOS器件，本发明通过在PMOS器件源/漏轻掺杂离子注入之后湿法清洗静态随机存储器中NMOS器件和PMOS器件的侧壁间隙壁，使得湿法清洗之后形成的NMOS器件源/漏轻掺杂区之间的距离减小，改善NMOS器件的电性，使之与静态随机存储器中PMOS器件电性相匹配，提高了所制造静态随机存储器的良品率。
静态随机存储器制造方法

[发明专利]一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端-CN202010780186.2在审
发明人：罗海燕;王文武;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存储器中冗余信息修复方法、装置、存储介质及终端，所述方法包括：当针对芯片中的存储阵列进行内建自测试实现时，共享所述存储阵列中各静态随机存储器的信息数据；根据所述各静态随机存储器的信息数据进行冗余分析，生成所述各静态随机存储器所需增加的冗余信息；基于所述所需增加的冗余信息对所述各静态随机存储器进行冗余信息分配。因此，采用本申请实施例，可以用来在芯片开发初级阶段快速的评估静态随机存储器的冗余逻辑信息，并对冗余逻辑信息进行修复，从而提升了芯片的良品率。
一种静态随机存储器冗余信息修复方法装置存储介质终端

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