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[实用新型]集成电路挂具装置以及集成电路工艺系统-CN202222950945.2有效
发明人：薛根进;林志铭 -专利权人：日月新半导体（昆山）有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C25D17/08 文献下载
摘要：本申请提出一种集成电路挂具装置和集成电路工艺系统。所述集成电路挂具装置包括：机械手以及接液装置。所述机械手经配置以夹取集成电路挂具。所述接液装置经配置以移动至所述集成电路挂具下方以接取残留在所述集成电路挂具上的液滴。所述集成电路工艺系统包括上述的集成电路挂具装置、工艺槽以及清洗槽。所述工艺槽经配置以对所述集成电路挂具上的晶圆进行电镀工艺。所述清洗槽经配置以对工艺后的所述集成电路挂具进行清洗。
集成电路装置以及工艺系统

[实用新型]集成电路工艺系统-CN202222908300.2有效
发明人：陈君跃;甘明正;林佳德 -专利权人：日月光半导体（上海）有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种集成电路工艺系统，包括：工艺板、集成电路基板以及挡板单元。所述工艺板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第一极。所述集成电路基板经配置以作为所述集成电路工艺系统的第二极。所述挡板单元设置在所述工艺板和所述集成电路基板之间。所述挡板单元包括孔洞结构。
集成电路工艺系统

[发明专利]一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成工艺-CN201910443269.X在审
发明人：陈志辉;江钧;杨建国;魏骏 -专利权人：上海浦睿信息科技有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成工艺，包括以下步骤：通过常规集成电路制造工艺制造大尺寸集成电路晶圆；当完成金属互连层的最后一层层间介质层后停止常规集成电路制造工艺获得大尺寸集成电路晶圆；通过化学机械抛光设备抛光大尺寸集成电路晶圆，使表面平坦化；采用集成电路清洗设备清洗表面平坦化后的大尺寸集成电路晶圆；把同尺寸大小的铁电单晶薄膜键合至大尺寸集成电路晶圆电路表面上；对键合后的铁电单晶薄膜做半导体工艺加工处理；通过尽可能不改变集成电路晶圆流片生产工艺流程的情况下，通过减少工艺步骤，即实现与铁电单晶薄膜集成、结构简单，方便实用，可广泛应用于新型电子器件开发。
尺寸集成电路晶圆铁电单晶薄膜集成常规集成电路表面平坦化制造工艺化学机械抛光设备集成电路清洗新型电子器件半导体工艺金属互连层电路表面工艺步骤设备清洗工艺流程薄膜键介质层抛光键合流片集成电路薄膜应用制造开发生产

[发明专利]一种低压制造工艺的集成电路及其电源电路-CN201810123022.5有效
发明人：杨明汉;钟伟金 -专利权人：珠海市一微半导体有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：目前采用低压制造工艺的USB PD集成电路中只提供恒压充电的模式而不具备恒流充电的模式，USB PD集成电路的应用有所受限，本发明提供了一种低压制造工艺的集成电路及其电源电路，该集成电路支持PD3.0协议，所述低压制造工艺的集成电路相对于现有技术具备恒流模式，所述电源电路是基于低压制造工艺的集成电路设计的，该电源电路通过对输出信号的实时监测和调整，从而达到恒流/恒压的充电功能，克服市面上低压制造工艺的USBPD集成电路缺少恒流功能的缺陷，相对于采用高压制造工艺的USB PD集成电路而言降低了生产的成本，为PD充电的大量普及奠定基础。
一种低压制造工艺集成电路及其电源电路

[发明专利]引导式集成电路缺陷检测-CN201780085151.3有效
发明人：刘华玉;林杰;张兆礼;俞宗强 -专利权人：东方晶源微电子科技（北京）有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：已经提供了一种用于检测集成电路的缺陷的方法和系统。该方法包括：生成集成电路的工艺制程敏感图形；使用高分辨率系统扫描该工艺制程敏感图形以提供该集成电路的工艺制程条件参数；使用该参数确定该集成电路的关注区域；和使用该高分辨率系统扫描该关注区域以检测该集成电路的至少一个缺陷该系统包括处理器和存储器，该存储器具有能够由处理器执行的指令，以生成集成电路的工艺制程敏感图形，使用高分辨率系统扫描工艺制程敏感图形以提供集成电路的工艺制程条件参数，使用工艺制程条件参数确定集成电路的关注区域，和使用高分辨率系统扫描所述关注区域以检测集成电路的至少一个缺陷。
引导集成电路缺陷检测

[发明专利]集成电路制造设备状态监测系统和方法-CN201210074960.3有效
发明人：蔡柏沣;何家栋;巫尚霖;王若飞;牟忠一;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了监测集成电路制造系统的工艺设备的方法和系统。一种示例性方法包括限定集成电路制造工艺设备的区域；基于所限定的区域将集成电路制造工艺设备的参数分组；并且基于所分组的参数评估集成电路制造工艺设备的状态。本发明还公开了集成电路制造设备状态监测系统和方法。
集成电路制造设备状态监测系统方法

[发明专利]一种基于径向基网络算法获取集成电路成品率的方法-CN201210451975.7无效
发明人：叶佐昌;姚健;王燕 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于径向基网络算法获取集成电路成品率的方法，属于集成电路技术领域，该方法包括：根据集成电路工艺厂商提供的工艺参数，采用径向基网络算法，建立一个替代电路仿真的替代模型，将工艺参数作为替代模型的自变量，电路性能指标作为替代模型的函数值；根据最小范数方法，获取最易使集成电路失效的工艺浮动值；得到的替代模型和最易失效的工艺浮动值，进行统计采样，获取采样点和电路性能指标；根据所述采样点及其电路性能指标，通过统计学方法得到该集成电路的成品率该方法可降低成品率获取过程中的电路仿真次数，减少分析集成电路成品率所用的时间，缩短集成电路设计周期，加快集成电路生产，降低集成电路的成本，提高经济价值。
一种基于径向网络算法获取集成电路成品率方法

[发明专利]一种自供电集成电路芯片及其制备方法-CN200910199879.6无效
发明人：吴东平;张世理;娄浩涣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的集成电路和太阳能电池。所述的集成电路包含金属-氧化物-半导体效应晶体管。该集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该集成电路的工艺兼容。该集成电路可以由该太阳能电池供电，从而形成自供电的集成电路。
一种供电集成电路芯片及其制备方法

[发明专利]集成电路设计制造方法以及集成电路设计系统-CN201510859455.3有效
发明人：黄旭霆;刘如淦;周硕彦;高蔡胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一集成电路设计制造方法以及集成电路设计系统。该集成电路设计制造方法包括：接收一集成电路版图文件；以及对集成电路版图文件执行一反式电子束技术工艺以产生一最终掩膜图案，其中反式电子束技术工艺使用一单一反式电子束技术模型以模拟一掩膜工艺以及晶圆工艺。
集成电路设计制造方法以及系统

[实用新型]集成电路工艺系统-CN202223364330.8有效
发明人：褚夫强 -专利权人：日月新半导体（昆山）有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：一种集成电路工艺系统。所述集成电路工艺系统包括预清洗装置以及清洗装置。所述预清洗装置设置于工艺系统作业台面的上方。所述预清洗装置经配置以对集成电路料条进行预清洗。所述清洗装置经配置以对所述集成电路料条进行清洗。
集成电路工艺系统

[发明专利]先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法-CN201910643441.6有效
发明人：曹鹏;杨泰;郭静静 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明公开了一种先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法，通过对先进工艺下集成电路的工艺参数波动情况进行仿真建模，基于低电压下集成电路延时与工艺参数间的关系建立电路时序统计模型，分析集成电路时序波动情况下的最大延时和最小延时与传统的静态时序分析方法相比，能够更准确的分析工艺参数波动下的电路延时分布情况，对于先进工艺和低电压下集成电路设计具有重要意义。
先进工艺压下集成电路统计时序分析方法

[发明专利]支持无线电力传输和近场通信的通信装置-CN201310378647.3有效
发明人： A·史密斯 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H04B5/00 文献下载
摘要：这些通信装置的各种集成电路可以使用高电压半导体工艺、低电压半导体工艺或其任何组合而被制造在一个或多个半导体衬底、芯片和/或模片上。这些高电压和/或低电压半导体工艺集成电路中的一些可以与其他模块的其他高电压和/或低电压半导体工艺集成电路一起在单个半导体衬底、芯片和/或模片上制造。这允许一个模块的低电压半导体工艺集成电路和/或高电压半导体工艺集成电路与通信装置的另一模块的低电压半导体工艺集成电路和/或高电压半导体工艺集成电路组合。
支持无线电力传输近场通信装置

[发明专利]一种集成电路图生成的方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210987823.2在审
发明人：管文超;郭建国;张剑云 -专利权人：上海极海盈芯科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种集成电路图生成的方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：遍历原始集成电路图中的原始数据；根据原始数据和目标数据的映射关系，将所述原始数据调整为目标数据；根据所述目标数据生成目标集成电路图，其中，所述原始集成电路图和所述目标集成电路图对应不同的设计工艺。采用本申请实施例提供的技术方案，在将集成电路图由原始工艺迁移至目标工艺后，可以保留原始集成电路图中各种对象的类和属性信息，便于设计人员对目标集成电路图进行分析和调整。
一种集成电路图生成方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法-CN200910247550.2无效
发明人：吴东平;张世理;娄浩涣;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体公开了一种自供电低功耗集成电路芯片及其制备方法。该集成电路芯片包括一个半导体衬底以及在衬底上的低功耗集成电路和太阳能电池。所述的低功耗集成电路包含隧穿场效应晶体管。该低功耗集成电路和太阳能电池在同一个半导体衬底上同时形成。形成该太阳能电池的工艺可以和形成该低功耗集成电路的工艺兼容。该低功耗集成电路可以由该太阳能电池供电，从而形成自供电的低功耗集成电路。
一种供电功耗集成电路芯片及其制备方法

[发明专利]具填隙组件的集成电路堆叠构造-CN200810109484.8有效
发明人：简圣辉;白忠巧;刘裕文 -专利权人：坤远科技股份有限公司
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明为一种具填隙组件的集成电路堆叠构造，包括有基板、填隙组件、下层集成电路、上层集成电路、以及封胶层。其中，基板的上表面并排设有填隙组件与下层集成电路，填隙组件高于下层集成电路，且下层集成电路包括有焊垫区、及邻近填隙组件的无焊垫区。此外，上层集成电路迭置于填隙组件上并部分对应遮迭于下层集成电路的无焊垫区上。因此，本发明能有效降低堆叠后集成电路的高度，又能简化封装工艺，使工艺更稳定，同时亦可提高良率。再者，本发明将导线的入线端电连接到上层集成电路的焊垫上，可使封装高度更缩小，进一步降低整体高度。
填隙组件集成电路堆叠构造

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