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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成无源器件-CN200910173649.2无效
发明人：安东尼·M·基乌;伊农·德加尼;查利·春雷·高;孙昆泉;孙立国 -专利权人：赛骑有限公司
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明描述了一种包含集成无源器件(IPD)作为载体基板(IPD MCM)的多芯片模块(MCM)。寄生电气干扰通过从该表面省去金属、或选择性地使用远离敏感器件元件的MCM的部件中的金属而在IPD的一个或两个界面被控制。这些敏感的器件元件主要是模拟电路元件，尤其是RF电感器元件。
集成无源器件

[发明专利]集成无源器件-CN200610074756.6无效
发明人：安东尼·M·基乌;伊农·德加尼;查利·春雷·高;孙昆泉;孙立国 -专利权人：赛骑有限公司
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明描述了一种包含集成无源器件(IPD)作为载体基板(IPD MCM)的多芯片模块(MCM)。寄生电气干扰通过从该表面省去金属、或选择性地使用远离敏感器件元件的MCM的部件中的金属而在IPD的一个或两个界面被控制。这些敏感的器件元件主要是模拟电路元件，尤其是RF电感器元件。
集成无源器件

[发明专利]集成无源器件-CN200510091400.9无效
发明人：伊恩·迪格尼;毛瑞恩·Y·劳;金莲泰 -专利权人：赛骑有限公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：说明书描述了一种形成在多晶硅衬底上的集成无源器件(IPD)。
集成无源器件

[发明专利]一种集成声学机械波器件和集成无源器件的多工器-CN202110668102.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海芯波电子科技有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成声学机械波器件和集成无源器件的多工器，包括声学机械波器件和集成无源器件，其中，集成无源器件包括衬底，以及位于其上的绕线电感、电容和薄膜电阻；声学机械波器件PAD面通过粘合剂贴装至集成无源器件正面，声学机械波器件的边缘不超出集成无源器件的边缘，且两者之间的间隔不小于50μm。本发明是基于现有的集成无源器件(IPD)工艺的基础上，通过衬底硅通孔工艺、衬底背面重布线工艺(RDL)，将声学机械波器件封装在集成无源器件上，从而结合声学机械波器件与集成无源器件(IPD)各自优势，实现射频前端小型化
一种集成声学机械波器件无源多工器

[发明专利]一种集成性无源器件滤波器、射频前端模组及电子设备-CN202210330872.9在审
发明人：吴小娟 -专利权人：象朵创芯微电子（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成性无源器件滤波器、射频前端模组以及电子设备。该集成性无源器件滤波器包括：玻璃衬底；至少一个集成性无源器件滤波器芯片，所述集成性无源器件滤波器芯片位于所述玻璃衬底内部。本发明实施例提供的技术方案，减小了集成性无源器件滤波器的尺寸，实现了集成性无源器件滤波器的小型化和高集成度，提高了集成性无源器件滤波器的品质因数。
一种集成无源器件滤波器射频前端模组电子设备

[发明专利]包括被配置作为用于滤波器的盖的集成无源器件的封装件-CN202180060024.4在审
发明人： C·H·芸;N·朴;D·D·金;P·A·泰德萨尔;S·S·瓦达夫卡尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：一种封装件(200)，包括集成器件(201)、集成无源器件(203)和空隙(215)。该集成器件被配置作为滤波器。该集成器件(201)包括衬底，该衬底包括压电材料，以及耦合到该第一衬底的第一表面的至少一个金属层(201)。该集成无源器件(203)耦合到该集成器件(201)。该集成无源器件(203)被配置作为用于该集成器件(201)的盖。该空隙(215)位于该集成器件(201)和该集成无源器件(203)之间。
包括配置作为用于滤波器集成无源器件封装

[发明专利]芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法-CN201410366385.3有效
发明人：符会利;高崧 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片集成模块，包括管芯、无源器件及连接件，所述管芯设有管芯结合部，所述无源器件设有无源器件结合部，所述管芯的管芯结合部及无源器件的无源器件结合部相对设置，所述连接件设置于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间并连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部本发明的芯片集成模块易于集成且成本较低；且由于管芯与无源器件互连路径更短，可提升无源器件性能。本发明还公开一种芯片封装结构及一种芯片集成方法。
芯片集成模块封装结构方法

[发明专利]一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法-CN201710059503.X在审
发明人：姜理利;侯芳;郁元卫;朱健 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法，该无源器件包括衬底材料，位于衬底上方的薄膜集成无源器件层，以及位于薄膜集成无源器件层上方的信号输入输出层；薄膜集成无源器件层包括电容、电阻和电感，其中电感包括两个以上的信号耦合电感，层与层之间通过信号耦合电感实现信号互连；信号输入输出层包括器件输入端、输入电感、输出电感和器件输出端，微波信号经器件输入端、输入电感、薄膜集成无源器件层、输出电感和器件输出端输出。本发明不仅能够有效地提高器件的集成度、减少面积、缩小体积，而且能够降低工艺的复杂程度和成本。
一种多层薄膜集成无源器件及其制造方法

[发明专利]一种集成无源器件及其制作方法和集成电路-CN202010668108.3在审
发明人：樊永辉;许明伟;樊晓兵;曾学忠 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L27/13 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成无源器件及其制作方法和集成电路,所述集成无源器件至少包括第一功能层，以及堆叠制作在所述第一功能层表面的第二功能层；所述第一功能层集成了第一无源器件，所述第二功能层集成了第二无源器件。本申请通过将无源器件堆叠设置，从而减小芯片的表面积，节省电路板空间，有利于减小芯片成本，并提高芯片的电性能。
一种集成无源器件及其制作方法集成电路

[实用新型]一种背贴集成无源器件封装结构-CN202122116699.6有效
发明人：陈晓强;刘艳涛;陈红;赵坤;朱良妹 -专利权人：矽品科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种背贴集成无源器件封装结构，该封装结构包括模压树脂、芯片、被动元件、基板、集成无源器件、锡球，所述芯片与被动元件设置于模压树脂的内部下方，被动元件的下方设置于基板，基板的下方设置有集成无源器件和锡球相较于背贴电容，本技术方案介绍的背贴集成无源器件封装方式其通过焊接电路更加复杂以及完整的集成无源器件使集成电路拥有更强的功能性；该背贴集成无源器件可以更好地利用封装体空间，使集成电路在满足小型化、集成化的要求下拥有更好的电性
一种集成无源器件封装结构

[发明专利]混合单片微波集成电路及其制作方法-CN202111629639.2在审
发明人：刘胜厚;赵卫;王子辰;孙希国 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本申请提供一种混合单片微波集成电路，包括无源电路和有源器件，无源电路基板和无源器件，基板包括第一衬底，无源器件包括第二衬底，有源器件的电极通过第一导电连接件以设置在基板的无源区域，以将有源器件的背面与无源电路的正面相连接该集成电路拆分为无源电路和有源器件，无源电路采用的衬底和有源器件采用的衬底不同，因此，不会存在因有源器件的衬底需特殊设置时需要对整体衬底进行相应设置，从而不会由于占据大量面积的无源器件引起的衬底的不必要的设置或高成本的问题本申请还提供一种制作方法，分别制作无源电路和有源器件后，将有源器件连接至无源电路，避免集成电路整体成本高昂的问题。
混合单片微波集成电路及其制作方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202310154810.1在审
发明人：洪炳鹤;孙吉焕;黄寅灿;任廷爀;徐康一;朴世韩;李昇映;咸富铉;李长根;郑明勋;尹承灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011276663.8在审
发明人：郑心圃;庄博尧;陈硕懋;许峯诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其制造方法，其中，利用集成扇出工艺将多个集成无源器件集成在一起，以形成具有更小覆盖区的更大器件。在具体实施例中，多个集成无源器件是电容器，一旦堆叠在一起，可以用来提供比可以获得类似覆盖区的任何单个无源器件更大的总电容。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]使用导电柱技术的三维高质量无源结构-CN201980049621.X在审
发明人： K·刘;C·H·尹;J·金;M·F·维纶茨 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：使用导电柱技术、而非穿孔技术的无源结构包括具有第一重分布层(RDL)的基板以及该基板上的三维(3D)集成无源器件。无源结构包括基板上的多个柱，其中每个柱比3D集成无源器件高。无源结构进一步包括在基板上围绕3D集成无源器件和柱的模塑件。此外，无源结构包括通过柱耦合到第一RDL的多个外部互连。
使用导电技术三维质量无源结构

[发明专利]无源射频器件机器制作方法-CN201911073285.0在审
发明人：秦国轩;杨晓东;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明属于射频无源器件领域，为提出一种新型无源滤波器结构，具有制作工艺简单，制作工艺与半导体制作工艺兼容的特点，使得无源器件易于与有源器件进行集成。在大规模集成电路的制作、SOC芯片高集成化生产以及射频单片集成电路等领域具有广泛的应用前景。为此，本发明采取的技术方案是，无源射频器件机器制作方法，首先通过光刻技术在本征半导体衬底上形成掺杂图形区域。掺杂后对器件进行退火处理，完成新型无源射频器件的制备。本发明主要应用于射频无源器件设计制造场合。
无源射频器件机器制作方法

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