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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202180052289.X在审
发明人：山崎舜平;山根靖正;安藤善范;小森茂树;方堂凉太;大贯达也;笹川慎也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该半导体装置包括第一器件层至第n(n为2以上的自然数)器件层，该器件层分别包括第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、第三阻挡绝缘膜、氧化物半导体器件、第一导电体及第二导电体，第一器件层至第n器件层中，在第一阻挡绝缘膜上配置氧化物半导体器件，以覆盖氧化物半导体器件的方式配置第二阻挡绝缘膜，通过在第二阻挡绝缘膜形成的开口以与氧化物半导体器件电连接的方式配置第一导电体，在第一导电体上配置第二导电体，在第二导电体及第二阻挡绝缘膜上配置第三阻挡绝缘膜，第一阻挡绝缘膜至第三阻挡绝缘膜具有抑制氢的扩散的功能。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510107113.2有效
发明人：和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。在形成层间绝缘膜的过程中，在水分含量等于或小于5×10^－3g/cm³的条件下形成层间绝缘膜。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810149007.4有效
发明人：和泉宇俊 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种具有以氢扩散阻挡膜覆盖的层间绝缘膜的半导体器件的制造方法。在半导体衬底上形成由绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成氢扩散阻挡膜，该氢扩散阻挡膜由氢扩散阻挡能力高于层间绝缘膜材料的材料制成。对形成有层间绝缘膜和氢扩散阻挡膜的半导体衬底进行热处理。在形成层间绝缘膜的过程中，在水分含量等于或小于5×10^-3g/cm³的条件下形成层间绝缘膜。即使在形成氢扩散阻挡膜之后进行退火处理，也难以在下面的层间绝缘膜中形成裂缝。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610095751.1有效
发明人：堀田胜彦;屉原乡子;早水太一;河野祐一 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：为了改进具有利用大马士革技术形成的熔丝的半导体器件的可靠性，在第四层布线和熔丝上方淀积阻挡绝缘膜和层间绝缘膜。该阻挡绝缘膜与位于下方的阻挡绝缘膜一样是一种用于防止Cu的扩散并且由通过等离子体CVD淀积的SiCN膜组成的绝缘膜。覆盖熔丝的该阻挡绝缘膜的厚度大于位于下方的阻挡绝缘膜的厚度，使得改进熔丝的耐潮性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]铁电存储器件及其制造方法-CN200610087761.0有效
发明人：林孝尚 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：具有半导体基板(11)、第1绝缘膜(30)、贯穿第1绝缘膜的多个第1及第2栓塞(34)及(36)、导电性氢阻挡膜(32)、铁电电容器结构体(40)、覆盖铁电电容器结构体的第1绝缘性氢阻挡膜(41)、第2绝缘膜(43)、在第2绝缘膜上延伸的局部布线(45)、覆盖局部布线的第2绝缘性氢阻挡膜(47)、第3绝缘膜(50)、贯穿第3绝缘膜并与导电性氢阻挡膜连接的第3栓塞(52)、在第3绝缘膜上延伸的第1布线层
存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610172421.8无效
发明人：韩载元 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：半导体衬底，包括导电层；第一绝缘膜，形成于半导体衬底上并具有形成于其中的通孔；下阻挡膜，形成于通孔的内壁上；第一金属布线，形成于下阻挡膜上；第二绝缘膜，形成于第一金属布线和第一绝缘膜上，所述第二绝缘膜设置有宽度大于通孔的宽度的沟槽；上阻挡膜，形成于沟槽的下表面上；第二金属布线，形成于上阻挡膜上；以及侧壁阻挡膜，形成于上阻挡膜和第二金属布线的侧壁上。所述侧壁阻挡膜具有L形镜对称结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201811430052.7在审
发明人：文浚硕;孔东植;柳成原;朱姬宣;蔡教锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底；器件隔离膜，限定衬底的有源区，栅极沟槽在有源区中延伸；栅极绝缘膜，沿着栅极沟槽的侧面和底部设置；栅电极，设置在栅极沟槽中的栅极绝缘膜上，并且具有第一部、第一部上的第二部以及第二部上的第三部；第一阻挡膜图案，介于栅电极的第一部与栅极绝缘膜之间；第二阻挡膜图案，介于栅电极的第二部与栅极绝缘膜之间；以及第三阻挡膜图案，介于栅电极的第三部与栅极绝缘膜之间。第一阻挡膜图案的功函数大于第二阻挡膜图案的功函数并且低于第三阻挡膜图案的功函数。
阻挡膜栅极绝缘膜图案栅电极栅极沟槽功函数半导体器件衬底源区器件隔离膜侧面延伸

[发明专利]传感器装置-CN202210498201.3在审
发明人：铃村功;佐野匠 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：根据一实施方式，传感器装置具备：绝缘基材，具有蛇行的带状部和与上述带状部连接的岛状部；第1无机绝缘膜，配置在上述岛状部之上；第1布线层，配置在上述第1无机绝缘膜之上；第2无机绝缘膜，配置在上述第1布线层之上；第2布线层，配置在上述第2无机绝缘膜之上；有机绝缘膜，配置在上述第2布线层之上；阻挡膜，由无机绝缘材料形成，将上述有机绝缘膜覆盖；传感器元件，配置在上述阻挡膜之上；以及密封膜，由无机绝缘材料形成，将上述传感器元件覆，上述传感器元件是有机光电二极管，上述阻挡膜将上述有机绝缘膜的侧面覆盖，上述密封膜在上述传感器元件的外侧与上述阻挡膜及上述第2无机绝缘膜相接。
传感器装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN96120327.7无效
发明人：猪原正弘;柴田英毅;松能正 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1996-09-28 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该半导体器件具备半导体基片、形成于半导体基片上的第1阻挡层膜、在第1阻挡层膜上形成的第1绝缘膜、在第一绝缘膜上形成的第2阻挡层膜、在第2阻挡层膜上形成的第2绝缘膜、以及导电构件，其填满设于第2阻挡层膜与第2绝缘膜的沟槽内和设于第1阻挡层膜与第1绝缘膜内并从沟槽的底部达到半导体基片的接触内；在由接触孔的底面和侧面限定的角落部的第1阻挡层膜具有锥形形状且与接触孔的底面和侧面相交呈钝角，在由沟槽的底面与侧面限定的角落部的第2阻挡层膜具有锥形形状且与沟槽的底面和侧面相交呈钝角。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有多个捕获膜的非易失性存储器件-CN200610004393.9无效
发明人：金柱亨;韩祯希;金桢雨;闵约赛;金汶庆;郑渊硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在该隧道绝缘膜上的存储节点；形成在该存储节点上的阻挡绝缘膜；以及形成在该阻挡绝缘膜上的控制栅极电极。该存储节点至少包括具有不同陷阱密度的两层捕获膜，该阻挡绝缘膜具有比硅氧化物膜的介电常数大的介电常数。
具有捕获非易失性存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200310114376.7无效
发明人：猪原正弘;柴田英毅;松能正 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1996-09-28 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：其方法是，在基片上形成阻挡层膜13a和绝缘膜13b。阻挡层膜13a选择对绝缘膜13bRIE的选择比大的。在绝缘膜13b上形成阻挡层膜14a和绝缘膜14b。在阻挡层膜14a上形成接点孔32的图案。在保护膜35上形成配线图案。以保护膜35和阻挡层膜14a为掩膜用RIE对绝缘膜13b、14b进行刻蚀，即自我调整地同时形成用于形成配线的沟槽和用于形成接点的接点孔。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有改良金属布线的半导体器件-CN200610142115.X无效
发明人：齐藤和美 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-10-08 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底、层间绝缘膜、钨膜、第一阻挡金属膜、第二阻挡金属膜以及金属布线膜。层间绝缘膜形成在半导体衬底上，并且具有开口。钨膜被嵌入在开口中。第一阻挡金属膜形成在钨膜上，并且不包括Ti膜。第二阻挡金属膜形成在第一阻挡金属膜上，并且是含Ti的膜。金属布线膜形成在第二阻挡金属膜上。
具有改良金属布线半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410029741.9有效
发明人：野口纯司;大岛隆文;三浦典子;石川宪辅;岩崎富生;胜山清美;斋藤达之;田丸刚;山口日出 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，目的是提高包含以铜作为主要成分的主导体膜的埋入布线的可靠性。在包含作为下层布线的布线(20)的上表面的绝缘膜(16)上，形成由铜的阻挡性优良的碳氮化硅膜组成的绝缘膜(21)，在绝缘膜(21)上形成由与低介电常数材料膜的粘合性优良的碳化硅膜组成的绝缘膜(22)，在绝缘膜(22)上，形成由低介电常数材料组成的绝缘膜(23)作为层间绝缘膜，之后，形成作为上层布线的布线(34)。使用绝缘膜(21)和绝缘膜(22)的层叠膜作为铜布线的阻挡绝缘膜，并将下层一侧的绝缘膜(21)做成高阻挡性的膜，将上层一侧的绝缘膜(22)做成高粘合性的膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210107071.6在审
发明人：池田光雄;池野大辅;梶田明广 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：实施方式提供能够抑制由于后热负荷导致的、从导电膜内起始的氧扩散的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：隧道绝缘膜；设置于隧道绝缘膜上的电荷捕获膜；导电膜；以及设置于电荷捕获膜与导电膜之间的阻挡绝缘膜。导电膜包含阻挡绝缘膜上的第1金属膜和第1金属膜上的第2金属膜，第1金属膜的位于第2金属膜侧的边界面粗糙度大于所述第1金属膜的位于所述阻挡绝缘膜侧的边界面粗糙度。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410006948.4无效
发明人：立成利贵 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在氢气氛中进行热处理的过程中，可以确实有效地防止氢侵入电容绝缘膜中。解决该任务的技术措施是，在半导体衬底100上形成第1氢阻挡膜108，在该第1氢阻挡膜108上间隔导电膜110形成电容下部电极111；在第1氢阻挡膜108上形成第1绝缘膜112，其将电容下部电极111的侧面覆盖住并使电容下部电极111的上面露出；在电容下部电极111和第1绝缘膜112的上面形成由绝缘性金属氧化物构成的电容绝缘膜113；在该电容绝缘膜113上形成电容上部电极114；第2阻挡膜115覆盖电容绝缘膜113和电容上部电极在第2绝缘膜115上形成第2氢阻挡膜116。
半导体器件及其制造方法

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