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[发明专利]场发射装置-CN201310031010.7有效
发明人：柳鹏;周段亮;陈丕瑾;胡昭复;郭彩林;杜秉初;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一阳极电极，该阳极电极与阴极电极间隔设置，且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。
发射装置

[发明专利]场发射装置-CN201010178218.8有效
发明人：柳鹏;周段亮;陈丕瑾;胡昭复;郭彩林;杜秉初;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01J3/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一栅极电极，该栅极电极与阴极电极绝缘设置，且所述阴极电极设置在电子引出极与栅极电极之间。
发射装置

[发明专利]一种电力半导体器件阴极图形设计-CN202111469244.0在审
发明人：王峰瀛;张磊;张婷婷;杨俊艳;杨娟宁 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形设计，包括门极引出电极、阴极梳条、终端台面，阴极梳条长度距离门极引出电极近的梳条长度较长，距离门极引出电极远的梳条长度较短，阴极梳条宽度距离门极引出电极近的梳条宽度较宽，距离门极引出电极远的梳条宽度较窄，阴极梳条面积距离门极引出电极近的梳条面积较大，距离门极引出电极远的梳条面积较小，阴极梳条同心排布密度距离门极引出电极近的梳条排布密度较大，距离门极引出电极远的梳条排布密度较小本发明提高了芯片阴极面积的有效利用率，提高了远门极端梳条开通、关断速度，提高了芯片各梳条开通、关断的均匀性，提高器件综合电气性能，扩大器件安全工作区，便于生产制造。
一种电力半导体器件阴极图形设计

[发明专利]一种金属离子源发射装置-CN202010363614.1有效
发明人：廖斌;欧阳潇;王国梁;欧阳晓平;罗军;庞盼;陈琳;张旭;吴先映;英敏菊 -专利权人：北京师范大学;广东省广新离子束科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开一种金属离子源发射装置，包括密封连接的陶瓷筒、引出电极室和三个并排设置的阴极，触发电极固定在陶瓷绝缘电极上，阴极靶材固定在间接冷却通道上，限位电极固定在固定电极上，固定电极通过螺扣将间接冷却通道固定在阴极冷却管上，阴极冷却管固定在阴极法兰上，触发接线柱通过导线和触发电极相连；引出电极室中位于阴极正下方设置有引出电极和加速电极，加速电极和引出电极上均设置有引出缝隙。该金属离子源发射装置，能够在一个阳极的情况下，同时让3个阴极进行工作，增大了离子源的照射面积，提高了工作效率、能源利用率；发射源更加紧凑，处理面积更大。
一种金属离子源发射装置

[发明专利]透射式电场辅助光电阴极-CN201210337896.3无效
发明人：唐光华;戴丽英;钟伟俊;徐汉成;申屠军;李拂晓 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种透射式电场辅助光电阴极，通过在输入光窗上预先蒸镀一层ITO膜作为阴极衬底的下表面电极和电极引出，同时将阴极衬底的上表面电极通过金属丝连接的方式与输入光窗上的第二金属电极相连接。这样可以保证阴极衬底的上下电极引出部分都制作在同一个输入光窗上，极大地降低了电场辅助光电阴极上下电极引出的制作难度。将光电阴极组件与管壳组件通过铟封接在一起后，管壳组件中的金属电极接触环与阴极衬底的上电极引出部分导通。这样便可以很方便地通过外加偏压实现光电阴极的电场辅助工作模式，以提高光电阴极的光探测量子效率和扩展光电阴极的波长探测范围。
透射电场辅助光电阴极

[发明专利]场发射阴极装置及场发射器件-CN201210518136.2有效
发明人：柳鹏;张春海;周段亮;杜秉初;郭彩林;陈丕瑾;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种场发射阴极装置，包括：一阴极电极；一电子发射体，该电子发射体与所述阴极电极电连接；一电子引出极，该电子引出极通过一绝缘隔离层与所述阴极电极电绝缘且间隔设置，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体；所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体远离阴极电极的一端至电子引出极所述通孔的侧壁的最短距离基本一致。本发明还涉及利用所述场发射阴极装置的场发射器件。
发射阴极装置器件

[发明专利]一种带温度补偿式微真空传感器-CN201110078435.4无效
发明人：王凌云;邱永荣;程伟;苏源哲;孙道恒 -专利权人：厦门大学
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： G01L21/30 文献下载
摘要：设有衬底、硅尖阵列发射阴极、金属阳极、阴极引出电极、阳极引出电极、2个发射腔体，金属阳极和阳极引出电极溅射在衬底的表面上，阴极引出电极溅射在硅片上，硅尖阵列发射阴极刻蚀在硅片上，硅片与衬底键合在一起形成第1发射腔体和第2发射腔体，第1发射腔体与所测环境相互连通，第2发射腔体通过键合技术使硅片与衬底真空密封，第1发射腔体和第2发射腔体通过硅片连接在一起，通过阳极引出电极和阴极引出电极在第1发射腔体和第2发射腔体的阴极与阳极之间加上固定电压
一种温度补偿式微真空传感器

[发明专利]一种钽电解电容器的电极引出方法及封装方法-CN202110230566.3有效
发明人：齐兆雄;李有云;曾台彪 -专利权人：东莞顺络电子有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01G9/008 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽电解电容器的电极引出方法及封装方法，所述电极引出方法包括如下步骤：S1、在钽电解电容器的电极体外部制作绝缘防护层；S2、在阴极预引出部位暴露出阴极引出部，在钽芯端子所在区域暴露出钽芯引出端；S3、分别在暴露出的所述阴极引出部和所述钽芯引出端上沉积金属层；S4、分别在所述阴极引出部的金属层上和所述钽芯引出端的金属层上制作用于贴装的外电极，以分别实现阴极和阳极的引出。
一种电解电容器电极引出方法封装

[发明专利]一种半导体器件及半导体组件-CN200910178577.0有效
发明人：张明;李继鲁;蒋谊;陈芳林;喻影;刘旭君 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔；或者，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件，不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定，安装极为方便，而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积，使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感
一种半导体器件半导体组件

[发明专利]用于串接式晶闸管的阳极管座-CN201210196638.8有效
发明人：马纲;朱萍 -专利权人：无锡天杨电子有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于串接式晶闸管的阳极管座，其包括阳极电极；阳极电极的外缘同心封接有阳极连接环，阳极连接环上设有同心封接的瓷环，瓷环的端部设有同心封接的阳极法兰；瓷环上设有若干门极引出管，门极引出管均匀封接于瓷环的外壁上，且门极引出管的一端穿过瓷环后伸入瓷环内；阳极电极的上方还设有若干阴极引出体，阴极引出体的数量与门极引出管的数量一致；所述阴极引出体包括位于阳极法兰上的阴极引出耳片及位于瓷环上的若干阴极引出端组件，所述阴极引出端组件封接于瓷环的外壁上，且阴极引出端组件的一端穿过瓷环后伸入瓷环内。
用于串接式晶闸管阳极

[实用新型]用于串接式晶闸管的阳极管座-CN201220280951.5有效
发明人：马纲;朱萍 -专利权人：无锡天杨电子有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于串接式晶闸管的阳极管座，其包括阳极电极；阳极电极的外缘同心封接有阳极连接环，阳极连接环上设有同心封接的瓷环，瓷环的端部设有同心封接的阳极法兰；瓷环上设有若干门极引出管，门极引出管均匀封接于瓷环的外壁上，且门极引出管的一端穿过瓷环后伸入瓷环内；阳极电极的上方还设有若干阴极引出体，阴极引出体的数量与门极引出管的数量一致；所述阴极引出体包括位于阳极法兰上的阴极引出耳片及位于瓷环上的若干阴极引出端组件，所述阴极引出端组件封接于瓷环的外壁上，且阴极引出端组件的一端穿过瓷环后伸入瓷环内。
用于串接式晶闸管阳极

[实用新型]一种新型铝电解电容器-CN201220075885.8有效
发明人：魏蓉晖;魏嘉傑;杜敏;魏昭光 -专利权人：深圳东佳电子有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01G9/008 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型铝电解电容器，包括电容器元件、壳体、封口体、阴极引出线与阳极引出线；所述电容器元件由阳极箔和阴极箔通过隔板卷绕而成，置于所述壳体中；所述壳体中装有电解液，封口体设置在壳体的开口处；所述阴极引出线和阳极引出线分别通过阴极电极片与阳极电极片连接阴极箔和阳极箔，阴极引出线和阳极引出线从壳体外伸出；所述阴极引出线和阳极引出线均包括铁芯，铁芯外包有铜层，铜层外设有锡铋合金镀层。阴极引出线和阳极引出线包括铁芯，铁芯外包有铜层，铜层外包有锡铋合金镀层，既具有耐高温的特点，又具有和铝相同的焊接性能，因而具有很好的高温寿命特性。
一种新型铝电解电容器

[实用新型]一种脉冲离子源镀膜引出装置-CN202120855626.6有效
发明人：郭春刚;程国安;郑瑞廷 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脉冲离子源镀膜引出装置，包括脉冲电极，阴极靶材和阳极；阳极包括阳极环；阴极靶材位于阳极环上方；阴极靶材中心线穿过阳极环的中心孔；阴极靶材与驱动电机传动连接，驱动阴极靶材向阳极环进给；阴极靶材的离子发射端外侧套设有脉冲电极，并且阴极靶材的裸露端伸出脉冲电极，阴极靶材与脉冲电极之间设置有绝缘；阳极环连接电源的正极，阴极靶材连接电源的负极或接地，脉冲电极连接脉冲电源。本实用新型离子源引出的离子束可以持续不断，引出的离子束质量提高，分布均匀。
一种脉冲离子源镀膜引出装置

[发明专利]固体电解电容器-CN202010179353.8有效
发明人：古川刚史;玉谷康浩 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01G9/012 文献下载
摘要：本发明的固体电解电容器具备元件层叠体、第一外部电极及第二外部电极。上述元件层叠体具备电容器元件、阴极引出层及密封体。上述电容器元件具备阳极箔、电介质层及阴极层。上述第一外部电极与从上述元件层叠体的上述第一端面露出的上述阳极箔连接。上述第二外部电极与从上述元件层叠体的上述第二端面露出的上述阴极引出层连接。第一阴极引出层及第二阴极引出层均为导电性膏层，且从设置在上述阴极层上的位置起一样地延伸到上述第二外部电极。在上述元件层叠体的上述第二端面露出的上述第一阴极引出层及上述第二阴极引出层与上述阳极箔绝缘。
固体电解电容器

[发明专利]门极可关断晶闸管新型陶瓷外壳-CN200810194491.2无效
发明人：陈国贤;徐宏伟;耿建标 -专利权人：江阴市赛英电子有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种门极可关断晶闸管新型陶瓷外壳，包括阴极法兰(1)、瓷环(2)、阴极密封环(3)和阴极电极(4)，其特征在于：所述瓷环(2)壳壁上穿接有阴极套管(9)和门极引线管(12)，阴极套管(9)内穿接有阴极引出棒(8)，阴极电极(4)与阴极引出棒(8)之间通过阴极连接片(10)来连接；门极引线管(12)内穿接有门极引出棒(11)，所述阴极电极(4)的中心孔内设置有门极芯(5)，所述门极芯(5)通过门极连接杆(6)与门极引线管(12)内的门极引出棒(11)相连，门极连接杆(6)置于阴极电极(4)的槽(4.1)内，门极连接杆(6)下方设置有加强片(7)。
门极可关断晶闸管新型陶瓷外壳

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