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[发明专利]闪存-CN201110257705.8有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种闪存，该闪存包含：闪存芯片；串并转换电路，用于接收一串行数据，并将该串行数据转换为并行数据；以及数据模式判决器，连接于该串并转换电路的输出端，以通过该并行数据产生一反向控制信号，并在该反向控制信号的控制下对该并行数据进行反向处理后输出一反向并行数据至该闪存芯片，本发明通过先将串行数据转换成并行数据，再将并行数据写入至闪存芯片，这样跟以前的位反技术相比，在相同编程效率和平均编程功耗的情形下，减少了反相控制信号占所有数据总数的比例，从而减少了面积损失。
闪存

[发明专利]闪存-CN201710175009.X在审
发明人：李阳 -专利权人：合肥仁德电子科技有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存，包括用于接收串行数据的串并转换电路和连接于所述串并转换电路的输出端的数据判断器，本发明的有益效果是本发明解决了现有技术闪存读取速度慢的问题。
闪存

[发明专利]闪存-CN202011206783.0在审
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存，包括：栅极叠层结构、通道柱、第一导体柱以及第二导体柱以与栅介电层。栅极叠层结构包括彼此电性绝缘的多层栅极层。每一层栅极层包括：第一栅极部、第二栅极部与铁电部。
闪存

[发明专利]闪存-CN201110300758.3有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种闪存。所述闪存包括存储单元阵列和预充电单元；所述预充电单元，连接所述存储单元阵列对应的各条位线，在所述闪存的预充电阶段，将各条位线上的电压预充至工作电压；所述预充电单元包括稳压单元，向各条位线提供恒定电流。所述闪存增加了稳压单元，在编程过程中，未涉及编程操作的其他位线不会因为漏电流的存在而导致电压下降，因此保证了除进行编程操作的存储单元外，其他存储单元均处于截止状态，无电流流经，从而有效地防止了编程过程中对不涉及编程操作的存储单元的干扰
闪存

[发明专利]闪存-CN200710188650.3有效
发明人：张明成;廖伟明;王哲麒;黄建章 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存，包括：一基底；一形成于该基底上的第一绝缘层；一设置于该第一绝缘层上的控制栅极；以及两个分别和该基底共平面的浮置栅极，其分别设置于该控制栅极的两侧。
闪存

[发明专利]闪存-CN201810063032.4有效
发明人：田志;钟林建 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存，在闪存单元阵列中，在半导体衬底表面包括由场氧化层隔离出的有源区，各有源区呈条形结构并平行排列，多晶硅浮栅位于有源区的顶部并通过第一栅氧化层隔离。本发明能降低相邻的多晶硅浮栅之间的互相干扰，有利于增加漏极电压，提高编程速度；还能增加控制栅和浮栅之间的耦合率，有利于进一步降低栅极电压；能有利于闪存单元的尺寸的进一步的缩减。
闪存

[外观设计]闪存-CN201830168348.0有效
发明人：张万军 -专利权人：张万军
申请日： 2018-04-22 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：闪存。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于移动存储数据的技术领域，是一种闪存。3．本外观设计产品的设计要点：在于外观结构形状。
外观设计闪存外观结构移动存储图片

[外观设计]闪存-CN03310183.3无效
发明人：张富平 -专利权人：张富平
申请日： 2003-06-20 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：俯视图与仰视图对称，省略仰视图。
闪存

[发明专利]提供虚拟闪存装置的方法和设备-CN200680032600.X无效
发明人： J·吕德里克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-08-03 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种向主机提供虚拟闪存装置的闪速存储器系统。所述系统包括主控制器和闪存装置。主控制器(例如处理器)经由闪存接口耦合到闪存装置。闪存装置包括集成控制器、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)和闪存阵列。集成控制器基于闪存阵列的物理资源向主控制器提供虚拟资源。集成控制器包括闪存配置标识符和闪存配置器。所述闪存配置标识符可以被配置为识别闪存阵列的第一闪存配置。例如，第一闪存配置可以是闪存阵列的物理闪存配置或默认闪存配置。闪存配置标识符还可以识别第二闪存配置。例如，第二闪存配置可以是逻辑闪存配置或替代的闪存配置。闪存配置可以被配置为将所述闪存阵列从所述第一闪存配置配置为所述第二闪存配置。
提供虚拟闪存装置方法设备

[发明专利]一种高兼容性层次化的NAND闪存控制系统与方法-CN201610873164.4在审
发明人：方小玲;许伟;胡民;潘永斌;骆国庆;李国阳 -专利权人：联芸科技（杭州）有限公司
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种高兼容性层次化的NAND闪存控制系统与方法，用于适配各种厂商提供的各类型号的NAND闪存颗粒。该NAND闪存控制方法将NAND闪存控制分为三个层次1. 操作层，负责并行管理多个NAND闪存颗粒的操作流程；2. 命令层，负责处理NAND闪存命令集；3. 物理层，负责驱动NAND闪存接口总线。对于该NAND闪存控制系统收到的NAND闪存操作指令，闪存操作层根据配置好的NAND闪存操作的命令时序和流程控制，将闪存操作拆分为闪存命令，发送给闪存命令层，并且操作层可对多个闪存操作进行并行流程控制；闪存命令层根据配置好的闪存命令的总线控制序列，将闪存命令拆分成闪存总线状态序列，发送给闪存物理层；闪存物理层根据配置好的闪存接口的总线行为，控制闪存接口总线状态，驱动NAND闪存接口总线。
一种兼容性层次 nand 闪存控制系统方法

[发明专利]闪存物理层的测试方法及闪存设备-CN202111672874.8在审
发明人：陆震熙;黄运新 -专利权人：深圳大普微电子科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本申请实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存物理层的测试方法及闪存设备，该方法包括：将闪存控制器的闪存物理层与模拟颗粒的闪存物理层对接；由闪存控制器的闪存物理层向模拟颗粒的闪存物理层执行读操作，以使闪存控制器的闪存物理层获取模拟颗粒的闪存物理层发送的数据；若闪存控制器的闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致，则确定闪存控制器的闪存物理层的功能正常。通过设置一个模拟颗粒，将模拟颗粒的闪存物理层与闪存控制器的闪存物理层对接，若闪存控制器的闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致，则确定闪存控制器的闪存物理层的功能正常，本申请能够提高对闪存物理层的测试能力
闪存物理层测试方法设备

[发明专利]一种驱动闪存的方法及其装置-CN200510007955.0有效
发明人：江晋毅;曾俊华 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：一种驱动闪存的方法及其闪存装置。闪存装置包括闪存控制器以及闪存。首先，利用闪存控制器在重置状况下，检测闪存控制器的参数定义脚位的电压电平，以获得闪存的基本读写参数。然后，以闪存控制器根据基本读写参数对闪存做基本读取操作。之后，至闪存的特定数据区块读取详细读写参数。最后，依据闪存的基本读写参数与详细读写参数来驱动闪存。
一种驱动闪存方法及其装置

[发明专利]无线闪存卡扩充系统-CN200780012515.1有效
发明人：陈维斌;N.黎;D.孙 -专利权人：金士顿科技股份有限公司
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种闪存卡系统，该闪存卡系统包含闪存无线主机配接器(adapter)及闪存总线无线装置。闪存无线主机配接器包含闪存卡连接器及耦接至闪存卡连接器的闪存控制器，其中闪存卡命令数据及状态信号被闪存控制器转换为标准闪存内部总线信号。主机配接器还包含耦接至闪存控制器的闪存无线模块，用以无线地接收及传送标准闪存内部总线信号。闪存总线无线装置包含耦接至闪存的闪存总线无线装置配接器，其中装置配接器是与用以无线地接收并传送标准闪存内部总线信号的无线模块配对。
无线闪存卡扩充系统

[实用新型]一种闪存芯片、闪存设备及闪存存储系统-CN201921895985.3有效
发明人：张吉兴;杨亚飞;李卫军 -专利权人：深圳大普微电子科技有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种闪存芯片、闪存设备及闪存存储系统。其中所述的闪存芯片，应用于闪存设备，所述闪存设备包括闪存控制器，所述闪存芯片包括多个闪存通道，每一闪存通道对应设置有一个信号标志单元，所述信号标志单元通过信号标志值确定与其对应的闪存通道处于高功耗状态或低功耗状态；所述闪存控制器包括功耗检测单元，用于确定是否存在处于高功耗状态的闪存通道，以使所述闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令。通过信号标志单元的信号标志值确定对应的闪存通道的功耗状态，以使闪存控制器确定是否向空闲闪存通道发送命令，从而解决闪存芯片的瞬时功耗较高的技术问题，有效保障闪存芯片的正常工作。
一种闪存芯片设备存储系统

[发明专利]并行闪存控制器-CN200710074355.5在审
发明人：黄河 -专利权人：忆正存储技术（深圳）有限公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种并行闪存控制器，用于控制多个闪存通道的闪存芯片组，包括：传输控制器、多个闪存控制单元、多个指令仲裁单元、多个指令队列单元；传输控制器通过片内数据总线与各闪存芯片进行数据交互；闪存通道内的闪存芯片划分成多个闪存行；闪存控制指令按通道并行下发到指令队列单元，指令队列单元解析并存储对应闪存通道的闪存控制指令，指令仲裁单元根据设定的仲裁规则确定闪存控制指令的发送顺序；闪存控制单元对通道内的闪存行按行进行分时复用方式的读写控制采用本发明的闪存控制器的闪存存储器可以成倍提高读写速率，有效的解决了利用闪存芯片实现高速大容量存储设备存在的瓶颈问题。
并行闪存控制器

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