专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]由金属氢氧化和金属碳酸盐前体制备预助熔的金属氧化的方法-CN200980113184.X无效
  • G·E·奥斯博恩;A·瓦赫德;S·W·马库森 - 维尔英科有限公司
  • 2009-02-06 - 2011-04-13 - C01G53/04
  • 由金属盐制备预助熔的金属氧化的方法,所述金属盐选自氢氧化、氢氧化钴、混合的-钴氢氧化、碳酸、碳酸钴、混合的-钴碳酸盐及其组合,所述方法包括:提供与粘合剂掺混,掺混入助熔剂添加剂以形成造渣混合的至少一种造渣的氧化与金属盐的混合,所述金属盐选自氢氧化、氢氧化钴、混合的-钴氢氧化、碳酸、碳酸钴、混合的-钴碳酸盐及其组合;使造渣的混合形成预助熔的聚结;煅烧预助熔的聚结,以产生预助熔的金属氧化。提供一种聚结,所述聚结包括金属盐、造渣的氧化和助熔剂添加剂,所述金属盐选自氢氧化、氢氧化钴、混合的-钴氢氧化、碳酸、碳酸钴、混合的-钴碳酸盐及其组合。提供一种聚结,所述聚结包括金属氧化和熔渣,所述金属氧化选自氧化氧化钴,其中金属氧化包封在熔渣内。
  • 金属氢氧化物碳酸盐体制备预助熔氧化物方法
  • [发明专利]一种多孔氧化及其两步合成法-CN202010370861.4有效
  • 陈泽祥;李兰;于常浩;王艳;卢家同;位华亮 - 电子科技大学
  • 2020-05-06 - 2021-06-01 - C01G53/00
  • 本发明公开了一种多孔氧化及其两步合成法,包括钴‑甘油酸酯球基底,钴‑甘油酸酯球基底上原位生长结合氧化纳米片;氧化纳米片堆积形成三维立体多孔状微球,且氧化纳米片表面垂直生长有多个柱状氧化;三维立体多孔状微球的直径为6‑12μm;柱状氧化的高度为10‑30nm;还公开了制成多孔氧化的两步合成法;因氧化纳米片会以模板为中心发育生长出来,所以保证了形貌的统一并避免团聚现象的产生,氧化纳米片上以模板中的钴为原点垂直生长的柱状氧化在纳米片之间形成了支撑作用,进一步增大了比表面积与结构稳定性。
  • 一种多孔氧化物及其两步合成法

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