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[发明专利]2μm键合单块非平面单纵模激光器-CN200610086630.0无效
发明人：高春清;高明伟;林志锋;张秀勇;李家泽;魏光辉 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：一种利用掺杂晶体和非掺杂晶体扩散键合或者组合放置构成非平面环形腔产生2μm单纵模激光输出的激光器。该激光器的激光介质是可产生2μm激光输出的掺杂晶体(如Tm:YAG、Tm:LuAG、Tm，Ho:YAG、Ho:YAG晶体等)和非掺杂晶体(如非掺杂的YAG晶体)扩散键合或者组合放置构成的单块非平面环形晶体，采用中心波长与掺杂晶体吸收波长一致的半导体激光器为泵浦源，可产生2μm单纵模激光输出。本发明的特点是：采用扩散键合或者组合放置构成的复合晶体为工作物质，采用单块非平面环形腔为激光谐振腔，可产生2μm的单纵模激光输出。
键合单块非平面单纵模激光器

[发明专利]一种非平行键合线寄生参数提取模型及其传输特性优化方法-CN202211524779.8在审
发明人：毕闯;易磊 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于微波射频技术领域，公开了一种非平行键合线寄生参数提取模型及其传输特性优化方法，使用非平行键合线寄生参数提取模型对键合线的寄生参数进行提取；在Advanced Design System软件中建立键合线等效电路模型，运用史密斯圆图设计得到适用于键合线的微带单枝节匹配电路；将微带单枝节匹配电路参数转换为实际的微带线后，基于寄生参数提取模型设计得到微带匹配结构，实现模型传输特性优化。本发明的非平行键合线寄生参数提取模型不依靠3D建模仿真就能在电路设计阶段快速提取键合线的各种寄生参数，并对电路进行优化设计在不增大电路体积的条件下降低键合线对传输特性的恶化，为电路性能优化设计提供参考依据
一种平行键合线寄生参数提取模型及其传输特性优化方法

[实用新型]2μm键合单块非平面单纵模激光器-CN200620120648.3无效
发明人：高春清;高明伟;林志锋;张秀勇;李家泽;魏光辉 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：一种2μm键合单块非平面单纵模激光器，该激光器利用掺杂晶体和非掺杂晶体构成非平面环形腔，利用非平面环形腔结构对不同本征偏振光具有不同的损耗，保证激光腔内只有损耗最小的本征偏振光实现单向行波振荡，从而得到单纵模激光输出该方法不但具有单块化、稳定性好、频率及功率噪声小的优点，同时还解决了2μm激光器较难获得光学均匀性好的大口径晶体、激光晶体对2μm波段再吸收严重的问题，采用发射波长与激光晶体吸收波长一致的半导体激光器泵浦源，可实现稳定的2μm单纵模激光输出。
键合单块非平面单纵模激光器

[发明专利]利用大角度导线键合和非金键合线进行半导体器件封装-CN202210734699.9在审
发明人： B-H·潘;C-C·李;H-Y·周;S·M·奥康纳;B·L·威廉姆斯;J·A·韦斯特;Z-X·展;S-W·黄 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请公开了利用大角度导线键合和非金键合线进行半导体器件封装。在所描述的示例中，一种装置(图2，200)包括：封装衬底(220)，其具有管芯安装部分和与管芯安装部分间隔开的引线部分；在管芯安装部分之上的半导体管芯(105)，半导体管芯在背离封装衬底的有源表面上具有键合焊盘；非金键合线(110、109)，其形成在键合焊盘中的至少一个和封装衬底的引线部分中的一个之间的电连接；键合针脚，其位于在非金键合线(109)中的一个和半导体管芯的键合焊盘(223)之间形成的凸块连接上，包括形成在弯曲螺柱凸块(211)上的针脚键合(205)；以及电介质材料(203)，其覆盖封装衬底的一部分、半导体管芯、非金键合线、针脚键合以及弯曲螺柱凸块，从而形成封装的半导体器件。
利用角度导线非金键合线进行半导体器件封装

[发明专利]结晶用基板及其制造方法-CN200410103657.7有效
发明人：美浓规央;高田祐助 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： C30B29/58 文献下载
摘要：一种结晶用基板及其制造方法，在基材的表面接触有机分子，且该有机分子，在其一方末端含有能够与所述基材表面形成共价键的末端键合官能基、在另一方末端含有对液体显示非亲合性的官能基；通过使所述有机分子的末端键合官能基和所述基材表面的活性氢反应形成共价键，而在所述基材表面形成对所述液体显示非亲合性的单分子膜，由此制造结晶用基板。
结晶用基板及其制造方法

[发明专利]一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法-CN202211378725.5在审
发明人：胡宗达;张林;张坤;赵鑫;李明兴 -专利权人：成都凯天电子股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS级晶圆的低温熔融键合方法，包括以下步骤：分别在两块硅晶圆表面沉积非晶硅层，然后将两块硅晶圆的非晶硅层接触并对两块硅晶圆进行加压预键合处理，最后，在惰性气体保护条件下于200‑250该键合方法可有效解决现有的低温熔融方法存在的键合强度不足，对操作环境要求高以及键合界面易出现孔洞的问题。
一种 mems 级晶圆低温熔融方法

[发明专利]非易失可编程芯片-CN202111028360.9在审
发明人：郭一欣;周骏;左丰国;古倩;任奇伟 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失可编程芯片。该非易失可编程芯片包括：至少一层可编程逻辑门阵列单元和至少一层非易失存储阵列单元；可编程逻辑门阵列单元包括可编程逻辑块和路由网络，其中，可编程逻辑块通过路由网络而彼此互联而被配置为若干第一功能模块，且路由网络的至少一部分扩展至第一键合区域；非易失存储阵列单元包括第二键合区域和与第二键合区域连接的若干第二功能模块；其中，可编程逻辑门阵列单元和非易失存储阵列单元通过第一键合区域和第二键合区域三维异质集成键合在一起。该非易失可编程芯片不仅大幅度降低了单元层叠互连孔径和线宽，且提升了互连密度，降低了互连功耗。
非易失可编程芯片

[发明专利]色转换晶粒的制备方法-CN202210618234.7在审
发明人：薛水源;李路成;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种色转换晶粒的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一基板，基板上设有阵列排布的色转换块；在相邻色转换块之间填充键合连接件，键合连接件的高度大于色转换块的高度以形成围绕色转换块设置的容腔；对应色转换块提供发光晶粒，发光晶粒具有相对的键合面和非键合面，键合面的面积大于容腔开口的面积；在真空环境下将发光晶粒与键合连接件永久键合以遮覆容腔形成色转换晶粒。本发明通过在色转换块之间填充高度大于色转换块的高度的键合连接件，并在真空条件下将发光晶粒与键合连接件永久键合以形成遮覆色转换块的色转换晶粒结构，该制备方法可以有效隔绝空气，保护了量子点结构，且能够去除气泡，增强键合的粘结力，键合效果好。
转换晶粒制备方法

[发明专利]基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法-CN201710758798.X有效
发明人：王从思;李锦涛;程景胜;王艳;彭雪林;许万业;王璐;王志海;刘英想;唐宝富;段宝岩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单根金丝键合的微波器件路耦合传输性能预测方法，包括确定单根金丝键合线结构参数、电磁参数及材料属性；将单根金丝键合线等效为电阻和电感；将单根金丝键合线焊盘等效为两个平行板电容；确定单根金丝键合线及其焊盘的等效二端口网络形式；计算单根金丝键合线长度；计算单根金丝键合线趋肤深度；确定等效二端口网络的串联电阻和串联电感；计算等效电容的极板间距；确定等效二端口网络并联电容；计算二端口网络阻抗Z参数；计算微波器件传输S参数；建立传输S参数与单根金丝键合线结构参数的路耦合模型；计算单根金丝键合下的微波器件传输性能。本发明实现了单根金丝键合线不同结构参数下的微波器件传输性能快速预测与分析。
基于金丝微波器件耦合传输性能预测方法

[实用新型]一种显示模组及电子设备-CN201921260484.8有效
发明人：林杨春 -专利权人：深圳柔宇显示技术有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：公开了一种显示模组及电子设备，其中显示模组包括显示面板及覆晶薄膜，显示面板包括第一键合区和第一非键合区；覆晶薄膜包括第二键合区和第二非键合区，第一键合区和所述第二键合区电性连接，第一非键合区与所述第二非键合区皆包括支撑部，当显示面板和所述覆晶薄膜受到压力时，第一非键合区的支撑部与第二非键合区的支撑部用于承载压力，避免覆晶薄膜和显示面板的变形断裂，提高了产品的良品率。
一种显示模组电子设备

[发明专利]一种扇出型晶圆级封装结构及方法-CN201711401013.X在审
发明人：吕娇;仇月东;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及方法，至少包括：重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；倒置于非导电柔性层上表面的至少一个芯片，芯片与金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。由于本发明的非导电柔性层在压力下具有形变的功能，因此，当在非导电柔性层上键合多个不同类型、不同高度的芯片时，在向下的压力下，非导电柔性层会产生形变，使嵌在其中的金属凸块暴露出，从而可以采用同一工艺一次将所有的芯片与各自对应的金属凸块进行键合电连
非导电柔性层金属凸块重新布线层上表面芯片电连键合晶圆级封装结构扇出型形变工艺操作同一工艺塑封层封装穿过暴露

[发明专利]基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法-CN201110298262.7有效
发明人：熊斌;刘米丰;王跃林;徐德辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法，首先在上基板的键合面上制备出氧化硅层，在氧化硅层上依次蒸发或溅射出钛、金膜，并去除非键合区域的钛、金膜；其次在下基板的键合面上制备出氧化硅层及非晶硅层，在非晶硅层上依次蒸发或溅射钛、金膜，并去除非键合区域的所述非晶硅层、及钛、金膜；然后，将上、下基板的键合面对准并贴合后，送入键合机，升温至250~300℃，并施加0.2~0.4MPa的压力，冷却到室温；最后，将从键合机取出的键合至一起的上、下基板送入退火炉，退火3~12小时，冷却到室温，完成金诱导非晶硅结晶的低温键合。本发明的低温键合方法不仅适用于硅圆片的键合，还可以用于非硅圆片的键合，并且由于低温的特性，具有很广的应用范围。
基于诱导非晶硅结晶低温方法

[实用新型]一种保护型细线键合劈刀-CN202020458751.9有效
发明人：张旭;刘星宇;谭和平 -专利权人：成都冶恒电子有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保护型细线键合劈刀，涉及半导体封装技术领域，包括刀柄和刀头，刀柄和刀头一体化成型，经整体加工而成；所述刀头侧面加工有入线孔槽，刀头前端内部倾斜加工有引线通孔；刀头前端端面由键合面和非键合面构成，非键合面高于键合面0.02‑0.10mm，非键合面呈外凸圆弧状，键合面与引线通孔的夹角为20度至75度，所述出线孔槽在非键合面内横向加工而成，出线孔槽紧邻引线通孔并与引线通孔连通。本实用新型出线孔槽加工在非键合面内，细线经入线孔槽引入劈刀，再经引线通孔、出线孔槽进入键合区域，避免了细线在键合过程中晃动的问题以及细线表面被划伤或划断的情形；非键合面加工为弧面，可避免在键合过程中损伤芯片表面钝化层或保护层
一种保护细线劈刀

[发明专利]织物调理组合物-CN02822172.9有效
发明人： D·S·格兰杰;A·D·格林;J·F·胡巴;M·S·莫哈马迪;D·C·塞勒 -专利权人：荷兰联合利华有限公司
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： C11D3/00 文献下载
摘要：一种织物调理组合物，该组合物包含：7.5－80％重量的含有至少一种单酯键合组分和至少一种三酯键合组分的酯键合季铵织物软化物质、0.01－10％重量的非离子表面活性剂和1.5％重量以上至15％重量的脂肪络合剂；其中化合物(a)的单酯组分与脂肪络合剂(c)的重量比为5∶1－1∶5。
织物调理组合

[实用新型]一种扇出型晶圆级封装结构-CN201721827868.4有效
发明人：吕娇;仇月东;吴政达;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构，至少包括：重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；倒置于所述非导电柔性层上表面的至少一个芯片，所述芯片与所述金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。由于本实用新型的非导电柔性层在压力下具有形变的功能，因此，当在所述非导电柔性层上键合多个不同类型、不同高度的芯片时，在向下的压力下，所述非导电柔性层会产生形变，使嵌在其中的金属凸块暴露出，从而可以采用同一工艺一次将所有的芯片与各自对应的金属凸块进行键合电连
非导电柔性层金属凸块重新布线层上表面芯片电连键合晶圆级封装结构本实用新型扇出型形变工艺操作同一工艺塑封层封装穿过暴露

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