专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种太阳能电池吸收层薄膜制造方法-CN202011110086.5在审
  • 徐维键 - 江苏佳佳新能源有限公司
  • 2020-10-16 - 2021-01-05 - H01L21/02
  • 包括以下步骤:衬底的准备,将三种元素沉积于所述衬底表面,以形成前驱体;将元素沉积于所述前驱体表面,形成堆叠式前驱体;将堆叠式前驱体置于真空环境中,并通入由保护气体和硫化氢气体组成的混合气体;将上述堆叠式前驱体从室温升温至600‑650℃,自然冷却至室温,得到太阳能电池吸收层薄膜。本发明的优点在于:将三种元素沉积于衬底表面,以形成前驱体,再将元素沉积于前驱体表面,形成堆叠式前驱体,制备工艺简单,制造方便,且薄膜太阳电池的转换效率提高。
  • 一种太阳能电池吸收薄膜制造方法
  • [发明专利]配体溶液、其构成的水基浆料及制备方法-CN201410341002.7有效
  • 唐江;钟杰;夏哲;李冰 - 华中科技大学
  • 2014-07-17 - 2017-05-10 - H01L31/032
  • 配体溶液、其构成的水基浆料及制备方法,属于纳米浆料制备领域,解决现有配体溶液引入碳杂质,污染环境的问题。本发明的配体溶液,由单质、单质、硫化铵与水混合进行反应生成;包含所述配体溶液的水基浆料,其由硫化合物纳米颗粒、硫化合物纳米颗粒、硫化合物纳米颗粒、配体溶液和水组成;所述水基浆料的制备方法,包括制备配体溶液步骤、制备前驱体溶液步骤、制备前驱体溶液步骤和混合步骤。本发明的配体溶液纯度高,制备方法简单易行,安全环保;所配制的水基浆料,制备过程简单、杂质含量少、环境友好,可采用丝网印刷或者旋涂的方法制备出低成本高品质的半导体薄膜。
  • 锡硫配体溶液构成浆料制备方法
  • [发明专利]一种高结晶度薄膜的制备方法-CN201610492218.2在审
  • 郭舒洋;张明;王统军 - 郭舒洋
  • 2016-06-29 - 2016-11-09 - H01L31/18
  • 本发明公开了一种高结晶度薄膜的制备方法,属于薄膜制备技术领域。本发明将制得的颗粒分别用无水乙醇和去离子水清洗后,加入有机混合液混合后球磨得浆料,涂布于ITO导电玻璃片上,得薄膜后将薄膜进行干燥,并退火处理,从而得到高结晶度薄膜的制备方法该方法将颗粒和椰油酸二乙醇酰胺表面活性剂混合,可以提高颗粒的表面活性,以利于后续结晶形成,再通过不同温度分级退火,阻止元素流失,促进晶体的逐渐生成,制得的薄膜晶粒大、致密度较高且结晶质量极好
  • 一种结晶度铜锌锡硫薄膜制备方法
  • [发明专利]一种太阳电池吸收层薄膜的制备方法-CN202010646745.0有效
  • 刘瑞建 - 内蒙古大学
  • 2020-07-07 - 2023-07-21 - H01L21/02
  • 本发明提供一种太阳电池吸收层薄膜的制备方法,一种太阳电池吸收层薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、ZnS致密层的制备;S2、薄膜的制备:在ZnS致密层上制备薄膜,将卤化铵作为添加剂加入到前驱体溶液中,然后涂覆于S1的ZnS致密层上,在150~250℃下加热退火0.5~2h,得到太阳电池吸收层薄膜。该方法通过在ZnS致密层上制备薄膜,再经退火处理,得到高致密性、高结晶度的薄膜;其中,添加了卤化铵起到辅助结晶的作用。
  • 一种铜锌锡硫太阳电池吸收薄膜制备方法
  • [发明专利]一种含有掺杂工艺的薄膜制备方法-CN201310040589.3无效
  • 向勇;张海涛;谢梦;吴露;闫宗楷 - 电子科技大学
  • 2013-02-03 - 2013-05-15 - H01L31/18
  • 一种含有掺杂工艺的薄膜制备方法,涉及光电材料及新能源材料领域,该方法可以有效解决薄膜太阳能电池吸收层即薄膜的结晶性较差的问题,其步骤包括:a、提供一衬底;b、将三种金属沉积在衬底上,形成金属前躯体;c、在金属前躯体上沉积含有锑元素的膜层作为掺杂层;d、将金属前躯体及掺杂层在含的气氛下热处理,此过程中元素与形成薄膜。该方法改善了的结晶性,降低了结晶温度,提高了薄膜的质量,同时还降低了工艺难度和成本,具有很好的推广利用价值。
  • 一种含有掺杂工艺铜锌锡硫薄膜制备方法
  • [发明专利]一种薄膜的硒化方法-CN201710202998.7在审
  • 袁晓杰;张军;彭峰 - 华南理工大学
  • 2017-03-30 - 2017-08-25 - H01L31/032
  • 本发明公开了一种薄膜的硒化方法,涉及半导体光电材料技术领域;该方法包括如下步骤)以乙二硫醇和乙二胺混合液为溶剂,溶解硒粉制备硒溶胶;控制硒粉在硒溶胶的质量浓度为0.15~0.18g/mL;2)通过旋涂‐烘烤的方法在前驱薄膜的上表面制备硒薄膜;3)在直接快速退火工艺中实现前驱薄膜的硒化,制备出达到硒太阳能电池吸收层要求的大晶粒硒薄膜。对比一般使用外部硒源快速硒化的工艺,本发明能促进硒化过程中硒源向薄膜的内部扩散,减少薄膜硒化过程中使用硒粉的量,能制备出达到硒太阳能电池吸收层要求的大晶粒硒薄膜。
  • 一种铜锌锡硫薄膜方法

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